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[发明专利]铟镓氮薄膜的制备方法-CN202310897320.0在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;杨静 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
铟镓氮薄膜制备方法

[发明专利]在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法及基于该薄膜的紫外光探测器的制备方法-CN202111423249.X有效
发明人：陈旭;孟冬冬;葛坤鹏;陈政委;赵德刚 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法及基于该薄膜的紫外光探测器的制备方法。在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法，包括：利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上，在不同温度条件下，外延生长不同晶向的Ga2O3薄膜；上述技术方案原料易得，薄膜制备简单，晶格间结合紧密，匹配度高，外延层不易脱落；本申请还提出了基于上述薄膜的紫外光探测器的制备方法，包括：采用光刻的叉指电极掩膜板制备光敏遮挡层，利用磁控溅射的技术在Ga2O3薄膜表面分别溅射Ti/Au叉指金属电极作为电极的S端和D端，获得紫外光探测器；上述技术方案制备的紫外光电探测器响应度高，响度速度快，暗电流小。
蓝宝石衬底生长不同氧化薄膜方法基于紫外光探测器制备

[实用新型]一种具有物料流化装置的料仓-CN202321180104.6有效
发明人：赵怀宇;李晓波;赵福生;赵德刚;宋建文;陈文斌;李睿;何雅丹 -专利权人：金川集团铜业有限公司;金川集团股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B65D88/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有物料流化装置的料仓，包括锥形的料仓本体，料仓本体的锥段位置处设有若干个流化喷嘴，实现料仓锥段全覆盖，保证无死角吹扫，料仓本体外侧设有气源分配器，气源分配器上设有若干个出风口，气源分配器的出风口与流化喷嘴相连通，气源分配器入风口与气控阀出口相连通，气控阀入口与油水分离过滤器出口端相连通，油水分离过滤器的入口端与空气压缩机的压缩风出口相连通，流化喷嘴喷出压力气体对静止状态下的物料进行增压，使得物料快速流动起来，锥体四周的物料随着脉冲式供气增强了锥壁物料的流动性，使物料在锥体内部迅速运动，智能便捷，实用性强。
一种具有物料流化装置

[发明专利]一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2-CN202111426791.0有效
发明人：孟冬冬;葛坤鹏;陈旭;陈政委;赵德刚 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料的技术领域，具体公开了一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器，该方法包括以下步骤：通过磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积得到纯相Ga2O3薄膜，磁控溅射参数为：衬底温度为500‑800℃，所述蓝宝石衬底选用（0006）、（30#imgabs0#0）、（01#imgabs1#2）取向的蓝宝石晶片中的任意一种或几种；本申请中公开的日盲紫外探测器包括所述的蓝宝石衬底及其表面外延生长的纯相Ga2O3薄膜。本申请具有可以在蓝宝石衬底上长成纯相Ga2O3薄膜，满足器件需求的特点。
一种蓝宝石衬底生长 ga base sub

[发明专利]茶树抗冷性miRNA分子及其应用-CN202310579731.5在审
发明人：赵懿琛;叶坤;赵德刚 -专利权人：贵州大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：本发明涉及了茶树抗冷性miRNA分子及其应用。本方法首先对筛选得到的抗冷相关miRNA进行化学合成，将双链形式的miRNA添加到营养液中，通过水培的方式对茶树短穗进行外源处理，最终达到提高抗冷性的目的。本发明避开了茶树遗传体系不完善的问题，与传统的转基因改良或化学农药相比，具有操作简单，绿色安全的优点，为茶树的冻害防治提供了新的策略。
茶树抗冷性 mirna 分子及其应用

[发明专利]一种杜仲原生质体的制备方法-CN202210787688.7有效
发明人：赵懿琛;梁德盟;赵德刚 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C12N5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种杜仲原生质体的制备方法。本方法以杜仲愈伤组织为起始材料，具体操作步骤如下：(1)杜仲愈伤组织的诱导，(2)分离所需酶的准备，(3)杜仲愈伤组织的预处理，(4)杜仲原生质体的分离与纯化。本发明优选得到制备原生质体的工艺条件，并初步探索原生质体的瞬时转化体系，用共聚焦成像显微镜观察原生质体转染结果。结果显示，通过前述方法分离出来的原生质体具有活性，其基因表达产物位于细胞膜上，能进行瞬时转化。本发明初步建立杜仲原生质体分离体系，为杜仲后续进行基因功能验证以及更深入的探究提供方法。
一种杜仲原生质体制备方法

[发明专利]InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法和应用-CN202210104087.1在审
发明人：本钰豪;赵德刚;梁锋;杨静;刘宗顺;陈平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本公开提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法和应用。该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构；其中，在一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构的生长间隙中，通入含氢气的反应气体并维持预设时长，以及在经过氢气处理的InGaN量子阱层上继续生长GaN垒层，以获得InGaN/GaN量子阱结构。
ingan gan 量子结构及其制备方法应用

[发明专利]氮化镓基激光器-CN202210103748.9在审
发明人：黄渝婕;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化镓基激光器，包括：N型电极(1)，所述N型电极(1)上形成有依次叠设的衬底(2)、缓冲层(3)、N型铝镓氮下限制层(4)、N型铝镓氮下波导层(5)、有源区(6)、P型铝镓氮上波导层(7)、P型电子阻挡层(8)、P型铝镓氮上限制层(9)、P型欧姆接触层(10)和P型电极(11)；其中，所述P型铝镓氮上限制层(9)为渐变掺杂，沿所述P型电子阻挡层(8)指向所述P型欧姆接触层(10)方向，渐变掺杂的浓度逐渐增大。氮化镓基激光器的阈值电流和输出功率得到明显改善，电光转换效率高。
氮化激光器

[发明专利]氮化铝外延结构及其制备方法-CN202210103747.4在审
发明人：张宇恒;赵德刚;梁锋;杨静;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化铝外延结构及其制备方法，制备方法包括：对衬底进行图形化，以在所述衬底表面形成预设大小的孔洞；沿垂直于所述衬底表面的方向生长氮化铝以形成成核层，其中，所述孔洞上没有覆盖所述氮化铝；在所述成核层上沿所述孔洞的空缺区域侧向外延氮化铝与所述成核层合并，以形成表面平滑的氮化铝薄膜。该制备方法能够在低成本的条件下制备高质量的氮化铝外延结构。
氮化外延结构及其制备方法

[外观设计]戒指-CN202330129201.1有效
发明人： 赵德刚 -专利权人： 赵德刚
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：戒指。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴装饰。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
戒指

[外观设计]手镯（系列）-CN202330129202.6有效
发明人： 赵德刚 -专利权人： 赵德刚
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（系列）。2.本外观设计产品的用途：用于装饰和佩戴，属于珠宝和首饰。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
手镯系列

[发明专利]一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法-CN202310103535.0在审
发明人：吴忠亮;赵德刚;吕进;胡开朋 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法。一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法，其包括如下操作步骤：S1、在单晶锭待衍射晶面的背面绘制平面直角坐标系；S2、对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第一分量α；S3、将单晶锭顺时针旋转90°再对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第二分量β；S4、利用第一分量α和第二份量β计算取向偏离角γ和迹线角δ；S5、在单晶锭背面的平面直角坐标系中绘出迹线，将单晶锭上表面研磨平整。采用本申请用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法的修整时间在4.0‑4.1h，大幅度缩短修整单晶锭取向偏离的加工周期，减少晶体材料损耗。
一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离方法

[实用新型]一种用于磷化铟晶棒定位面定向及其磨削夹具-CN202320214922.7有效
发明人：吴忠亮;赵德刚;吕进;胡开朋 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于磷化铟晶棒定位面定向及其磨削夹具，涉及晶棒夹具的技术领域，其包括可拆连接于平面磨床上的底座，所述底座上连接有托架，所述托架上开设有与晶棒适配的定位槽，所述托架上还设有用于将晶棒固定在所述定位槽内的固定组件。本申请具有提高晶棒定位精度，加快生产效率，并减少环境污染，十分节能环保的效果。
一种用于磷化铟晶棒定位定向及其磨削夹具

[发明专利]一种楠木种胚无菌苗的培养方法-CN202210479441.9有效
发明人：赵丹;谢娜;王建存;赵德刚 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种楠木种胚无菌苗的培养方法，包括如下步骤：1)对楠木种子进行预处理，选取种子并置于培养皿中，将种皮划开，冲洗，得到种胚；2)将得到的种胚，用无菌水冲洗，用乙醇溶液浸泡1.8‑2.2min后，无菌水冲洗，然后加入升汞溶液消毒18‑20min后，用无菌水冲洗，得到消毒后的种胚；3)将所述消毒后的种胚吸干表面水分，用解剖刀切掉78％‑82％的子叶，选取带有18％‑22％子叶的胚，接种至添加1.8‑2.2mg/L赤霉素GA3的MS培养基中进行萌发培养，得到无菌苗。本发明属于植物组织培养技术领域，使用楠木种子进行培养，存活率控制在75％以上，污染率控制在10％以下，萌发率达到90％以上。
一种楠木种胚无菌苗培养方法

[实用新型]一种空气压缩机的排污装置-CN202222568636.9有效
发明人：左嘉宁;赵德刚 -专利权人：青岛山森机械有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： F04B39/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空气压缩机的排污装置，包括处理罐，所述处理罐的外壁安装有保温加热层，且处理罐的底部连通有排料管，并且处理罐外壁的一侧连通有进料管，所述处理罐内部的顶部安装有集液伞，且处理罐的顶部连通有方形管件，并且处理罐顶部两侧的两端皆安装有吊装杆，所述方形管件的内侧壁安装有固定滤板，且方形管件远离进料管的一侧贯穿有过滤仓，并且过滤仓靠近进料管的一侧开设有定位孔。本实用新型通过承载网仓的内部均匀设置有分隔网板和吸附料，使得空气可以通过方形管件，并充分与吸附料接触，使得吸附料可以对空气中的水分和油进一步进行吸附，从而避免其直接排出对周边空气或者设备等造成污染。
一种空气压缩机排污装置

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