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[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201811532311.7有效
发明人：黄瑄;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]视觉伺服控制方法、控制系统、控制设备及存储介质-CN202210372619.X在审
发明人：赖禹昊;刘英策;耿仕能;邱谭平;刘德顺;李晓华 -专利权人：广东博智林机器人有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开一种视觉伺服控制方法、控制系统、控制设备及存储介质。视觉伺服控制方法包括：通过位姿感知模块产生与目标施工对象对应的感知信息；通过状态观测器观测目标施工对象并调用观测模型产生与目标施工对象对应的运动状态预测信息；通过运动控制模块根据感知信息以及运动状态预测信息产生运动控制指令；通过执行驱动模块根据运动控制指令执行运动；通过运动控制模块接收执行驱动模块反馈的实时运动状态信息；通过运动控制模块根据运动控制指令以及实时运动状态信息生成动态补偿控制指令；以及通过执行驱动模块根据动态补偿控制指令执行修正运动。根据本发明实施例的视觉伺服控制方法，能够提高对建筑机器人的视觉伺服控制精度。
视觉伺服控制方法控制系统设备存储介质

[实用新型]一种高压微型发光器件-CN202320601956.1有效
发明人：刘伟;曹衍灿;邬新根;刘英策;王恩泽;何剑 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高压微型发光器件，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟道相互隔离的若干个LED单元；其中，相邻两个LED单元通过桥接电极形成电连接，且在所述沟道内设有玻璃化绝缘层，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式连接相邻两个LED单元。从而通过玻璃化绝缘层减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，同时，由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题，进而提高高压微型发光器件的可靠性。
一种高压微型发光器件

[发明专利]一种LED及其制备方法-CN202110895672.3有效
发明人：陈德伪;翁启伟;刘英策;刘宇轩 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED及其制备方法，以镂空区和边缘镂空区处填充的光刻胶层为保护结构，以在外延片上蒸镀金属反射层和保护层，而后去除光刻胶层。本发明提供的技术方案，仅需要一次光刻工艺即可得到最终的金属反射层和保护层，使得LED制备方法的流程简单。
一种 led 及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310348992.6在审
发明人：段方方;刘伟;邬新根;吴和俊;刘英策 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过深蚀刻所述外延叠层至裸露所述衬底表面，形成通过沟道相互间隔排布的若干个LED单元；接着，沉积第一电极和第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽，所述第二电极层叠于所述台面；接着，在所述沟道内预留划片道区域，并在所述划片道区域的表面制作粘附层；接着，制作钝化层，所述钝化层覆盖所述外延叠层，并通过刻蚀工艺裸露所述粘附层、第一电极以及第二电极的至少部分表面；接着，沿所述划片道进行划片、裂片加工，以获得若干个LED单元；在划片、裂片过程中，通过所述粘附层增加所述钝化层与外延叠层的粘附性，以用于缓解所述钝化层的翘曲。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法-CN202310336014.X在审
发明人：邬新根;崔恒平;火东明;刘英策;刘伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底和外延层，所述外延层具有凹槽，凹槽暴露出部分外延层中的N型半导体层；位于所述外延层背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层背离所述衬底一侧的表面具有纳米疏水结构；位于所述纳米疏水结构背离所述衬底一侧的有机氟化物层。该LED芯片结构中的钝化层具有纳米疏水结构，通过纳米疏水结构和有机氟化物层，可以使得LED芯片结构的表面实现小于20的表面能，LED芯片结构表面的水滴角大于110°，这样在高温高湿环境中，水汽不容易被LED芯片结构的表面吸附或润湿，避免了吸潮现象的出现，从而提升了LED芯片结构在高温高湿环境中的可靠性能。
一种可靠性 led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法-CN202310245841.8在审
发明人：刘伟;刘伟文;曹衍灿;邬新根;刘英策 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法，在厚光阻应用时，通过弱曝光减弱图形交叉点的泊松光斑影响，在避免图形失真的同时，在后续的刻蚀工艺过程中可取消SiO2/金属的硬掩膜工艺，极大地降低生产成本；并通过低温固化、显影的循环操作，以改善厚光阻的均匀性及显影后线宽的均匀性。进一步地，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形的设置，使用成本低、可塑性强、导热性能更高的铝材质的承载盘，可以很好地解决传统碳化硅载盘导热性能差、蚀刻速率低的问题；从而大大提高产能，有效地降低制造成本。
基于厚光阻应用光刻方法 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种高压微型发光器件的制备方法-CN202310296933.9在审
发明人：刘伟;曹衍灿;邬新根;刘英策;王恩泽;何剑 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。
一种高压微型发光器件制备方法

[发明专利]蒸镀装置及蒸镀方法-CN202211685513.1在审
发明人：刘伟;邬新根;刘英策;陈宣良;王锐;蔡海防;金张育 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，在对LED芯片的电极中的各材料进行蒸镀的过程中，对于任一材料膜层，通过旋转监控系统中的晶振片转盘使晶振片转盘上的多个晶振片中的一个晶振片位于蒸发系统的蒸汽开口内的预设位置上，监控该材料膜层的镀膜过程，不同材料膜层对应的晶振片不同，以避免不同材料膜层因材料密度、应力等差异造成的晶振片对膜层监控的差异，提高晶振片监控精度，提升蒸镀形成LED芯片电极中的各材料膜层的均匀性和稳定性，同时降低由于晶振片监控不同材料镀膜应力失配造成的晶振片跳频概率，提升晶振片的可靠性，并且，相同材料膜层采用相同晶振片监控，提升晶振控制精度，使相同材料膜层的蒸镀均匀性、稳定性较好。
装置方法

[实用新型]一种集成式RGB Mini-LED芯片-CN202222560992.6有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;柯志杰;刘英策;艾国齐 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片，集成式RGB Mini‑LED芯片包括：在同一水平面上，呈阵列分布的RGB发光单元，阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成，相邻RGB发光单元之间互相绝缘，且其中一种同性电极相邻，使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点，既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良；又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极，减少三次打线工艺，有效减少工艺流程及成本；还可有效减小单个电极的面积，增加发光面积，避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡，进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
一种集成 rgb mini led 芯片

[发明专利]一种发光芯片的分选方法及系统-CN202211535831.X在审
发明人：邬新根;崔恒平;火东明;刘英策;王锐;金张育 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
一种发光芯片分选方法系统

[发明专利]用于六轴机器人的奇异点处理方法、装置、设备及介质-CN202110952970.1在审
发明人：孟浩;赖禹昊;刘英策;董忠;李晓华 -专利权人：广东博智林机器人有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于六轴机器人的奇异点处理方法、装置、设备及介质，该方法包括：如果确定预先规划的路径中包括至少一个奇异区域，则获取预先配置的至少一个约束指标；其中，所述约束指标包括位姿指标、速度指标以及轨迹偏差指标中的至少一个；根据所述至少一个约束指标，确定与各奇异区域相对应的至少一个通行策略和通行损失值；基于各通行策略所对应的通行损失值，确定目标通行策略，以基于所述目标通行策略通过相应的奇异区域。本发明实施例的技术方案，可以保证机器人顺利通过奇异点，在满足用户原始编程轨迹的要求同时，兼顾了机器人的适用范围和通用性。
用于机器人奇异处理方法装置设备介质

[发明专利]一种轨迹调整方法、装置、存储介质及电子设备-CN202111114991.2在审
发明人：吕兆波;赖禹昊;董忠;李晓华;牛心健;李靖;刘英策 -专利权人：广东博智林机器人有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种轨迹调整方法、装置、存储介质及电子设备。其其中方法包括获取执行端与移动底盘分别对应的规划轨迹，并基于所述移动底盘的规划轨迹控制对所述移动底盘进行运动，其中，所述执行端配置在所述移动底盘上；在所述移动底盘的运动过程中，获取所述移动底盘的实际运动轨迹相对于移动底盘的规划轨迹的运动误差；基于所述移动底盘的运动误差对所述执行端的规划轨迹进行补偿，并基于补偿后的轨迹控制所述执行端进行运动。本实施例中，执行端的补偿后轨迹满足任务需求，保证执行端在强干扰环境运行时，执行端可以保证稳定高精度运行。
一种轨迹调整方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种微发光元件及其制备方法-CN202211519783.5在审
发明人：刘伟;卢宝辉;刘伟文;邬新根;刘英策;金张育 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种微发光元件及其制备方法，将ITO工序前移，ITO/MESA合并光刻简化工艺流程，并减少ITO与MESA图形套刻偏移导致的ITO过蚀刻现象，并在未去胶的情况下通过二次匀胶、光刻，并通过一次ICP刻蚀同时形成MESA/DE图形，减少了一次ICP刻蚀降低了芯片制造成本，并增加SiO2掩膜层，在执行ICP刻蚀的过程中有效保护P型氮化镓层、ITO导电层，避免ICP过刻蚀损伤P型氮化镓层、ITO导电层，经由本发明实施例公开的制备方法不仅简化工艺，降低了芯片制造成本还增大了芯片的有效面积。
一种发光元件及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202211521246.4在审
发明人：邬新根;崔恒平;火东明;刘英策;刘伟;金张育 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过提供复合衬底，所述复合衬底包括依次堆叠的第一衬底、键合层以及第二衬底；接着，在所述复合衬底表面生长外延叠层并形成对应的接触电极后，沿所述复合衬底的一侧，通过磨边工艺，使所述LED芯片的边缘裸露所述键合层；最后通过刻蚀所述键合层，同步去除所述键合层及第一衬底。如此，在避免对衬底整体进行物理研磨的同时，亦可实现对LED芯片减薄时的均匀性。同时，在本发明的LED芯片的制作过程中，无需对第二衬底进行直接加工处理，而LED芯片的最终厚度由第二衬底的厚度决定，因此，本发明的LED芯片厚度易于控制，尤其适用于小尺寸的LED芯片。
一种 led 芯片及其制作方法

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