[发明专利]发光半导体器件脉冲驱动方法和脉冲驱动电路有效

专利信息
申请号: 200410098004.4 申请日: 2004-12-01
公开(公告)号: CN1624943A 公开(公告)日: 2005-06-08
发明(设计)人: 竹川浩 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H05B37/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽;马莹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于具有以不同波长发光的多个发光元件的发光半导体器件的脉冲驱动方法,包括第一发光步骤,在该步骤中,在对于每个发光波长的驱动设定下驱动任何发光波长的发光元件,并作为驱动的结果使之发光,检测来自已发光的发光元件的光输出,以及基于被检测的发光元件光输出,来调整发光元件驱动设定;以及不发光步骤,在该步骤中,在规定的不发光时间中所有发光波长的发光元件是不发光的。当被驱动的发光元件被切换时,以重复的方式执行第一发光步骤,以便使发光元件顺序地以脉冲方式以发光波长轮流发光;以及将不发光步骤分别插入到每对连续反复的第一发光步骤中。
搜索关键词: 发光 半导体器件 脉冲 驱动 方法 电路
【主权项】:
1.一种发光半导体器件脉冲驱动方法,用于具有以不同波长发光的多个发光元件的一个或多个发光半导体器件,所述发光半导体器件脉冲驱动方法包括:第一发光步骤,在该步骤中在对于每个发光波长的一个或多个驱动设定下驱动任何发光波长的至少一部分所述发光元件而发光,检测来自一个或多个已发光的所述发光元件的至少一个光输出,以及基于至少一个被检测的所述发光元件光输出,来调整至少一个所述发光元件驱动设定;以及不发光步骤,在该步骤中,在规定的不发光时间中所有所述发光波长的所述发光元件是不发光的;其中,当至少一部分被驱动的所述发光元件被切换时,以重复的方式执行所述第一发光步骤,以便使至少一部分所述发光元件以发光波长的顺序以脉冲方式轮流发光;以及至少一个反复的所述不发光步骤分别插入到以重复方式执行的每对连续反复的所述第一发光步骤中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410098004.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种量子点色转换层图案化制作方法-202210393467.1
  • 李飞;金宏;钟海政 - 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
  • 2022-04-14 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种量子点色转换层图案化制作方法,所述量子点色转换层包括像素层,所述像素层上设有红色像素孔、绿色像素孔、蓝色像素孔,所述制作方法如下步骤:所述的量子点材料由光固化胶水或者热固化胶水混合制作。同时转印的模板表面经过疏水层处理,转印的模板凹槽采用通孔,方便待转印的材料很好的转移到对应的背光板的像素孔里,依次转印红、绿、扩散粒子等材料,通过此转印的方法制作量子点色转换层。色转换层图案化制作问题,规避了喷墨打印、光刻工艺等图案化制作对材料的严苛的性能要求,使得图案化制作工艺对材料的工艺要求更低。
  • 一种LED芯片及其制作方法-202310637100.4
  • 刘伟 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法,通过灰度掩膜光刻板对所述外延叠层进行曝光、显影、蚀刻,同步形成若干个隔离槽及若干个对应设置的凹槽和发光台面,以获得通过所述隔离槽相互间隔排布的若干个子外延叠层,且所述凹槽和发光台面对应设置于各所述子外延叠层;其中,所述灰度掩膜光刻板通过采用透光率不同的掩膜以形成不同曝光量的选择性曝光,通过后续光刻、刻蚀使所述外延叠层同步形成所述隔离槽及对应设置的凹槽和台面。从而,仅需一步光刻、一次刻蚀来完成发光台面刻蚀和隔离槽的深刻蚀,其工艺简单、制作成本低。
  • 一种LED外延芯片制备方法及装置-202310053981.5
  • 黄祥恩;陈春明;谈勇;王波 - 桂林光隆科技集团股份有限公司
  • 2023-02-03 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明涉及切割技术领域,具体涉及一种LED外延芯片制备方法及装置,LED外延芯片制备装置包括工作台、调整组件、驱动组件、夹持组件和刀片,调整组件包括两个立板、两个导轨、滑动座和第一螺杆,工作台用于放置外延片,转动第一螺杆可以驱动滑动座水平滑动,并随时锁定滑动座的位置,夹持组件用于夹持安装刀片,驱动组件可以带动刀片上下移动,实现切割动作,使用时,将外延片放置在工作台上,转动第一螺杆,水平移动滑动座,从而水平调整刀片,使得刀片移动到外延片需要切割的位置上方,然后驱动组件带动刀片下移,对外延片进行切割,由于可以左右调节刀片的位置,从而可以方便的对外延片进行切割。
  • 一种带有布线的集成LED芯片的制备方法-202311149294.X
  • 郭文平;邓群雄;韩奎 - 元旭半导体科技(无锡)有限公司
  • 2023-09-07 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明涉及半导体器件制备技术领域,具体涉及一种带有布线的集成LED芯片的制备方法,解决了如何制备获得一种带有布线的集成LED芯片的技术问题,该方法包括:在第一衬底正面制备阵列分布的LED芯片单元,在LED芯片单元正面沉积第一金属层,在第二衬底正面沉积第二金属层,第一金属层与第二金属层热压键合形成键合金属层,去除第一衬底,在键合金属层形成列向间隔分布的第二电极,在第二衬底背面沉积第二绝缘层、第三金属层,在第三金属层中形成行向间隔分布的第一电极,第二绝缘层用于防止第一电极与第二电极产生导通。
  • LED芯片的制备方法及LED芯片-202310916033.X
  • 张卡;曹丹丹;康龙;胡瑶;董国庆;文国昇;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片,其中,所述方法包括:将待蒸镀晶圆放置于镀锅上;将所述镀锅相对于水平面的角度调整至预设角度,并在预设环境条件下,金属靶材以蒸汽的形式附着于所述待蒸镀晶圆的表面,得到初始电极,其中,所述预设角度为30°‑50°;对所述初始电极进行剥离,得到所需的目标电极。通过本申请,能够改善现有金属蒸镀过程中金属包覆效果不好的问题,有利于提升产品良率,延长产品使用寿命。
  • 高光效LED光源的固晶方法-202310814123.8
  • 刘建强;谢睛睛;王福东;饶金芳;王兴;陈永华 - 深圳市中顺半导体光电有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明涉及LED光源的技术领域,公开了高光效LED光源的固晶方法,包括以下步骤:1)、提供支架,支架上设有发光区域,布置外周反光条及内部反光条,内部发光条将发光区域分割为多个子区域;2)、固晶多个LED芯片,LED芯片的侧部发光面与内部反光条之间具有发光间隔;3)、子区域中的多个LED芯片通过内导线电性连接,相邻的子区域的LED芯片之间通过外导线电性连接,外导线横跨越过内部反光条;先在发光区域上布置外周反光条以及内部反光条,再在子区域中固晶多个LED芯片,再进行内导线以及外导线的连接,内部反光条的布置不会影响后续LED芯片的固晶操作,增强LED光源的光效,降低LED芯片的温度。
  • 一种Micro-LED芯片的自组装及巨量转移的方法、装置和显示背板-202310975987.8
  • 周圣军;施浪;崔思远;孙月昌 - 武汉大学
  • 2023-08-03 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种Micro‑LED芯片的自组装及巨量转移的方法、装置和显示背板,所述方法包括提供具有不同形状和电极结构的红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片以及基板,所述基板表面带有与所述红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片的形状和电极匹配的键合孔;将基板置于斜面上,将红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片输送至基板表面,根据键合孔与红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片的形状和电极匹配,将红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片组装至基板上;未键合的红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片从倾斜的基板掉落后重复输送至基板表面,至基板的键合孔组装完全,随后转移基板。本发明利用了斜面、设计了不同形状和电极结构的红绿光蓝Micro‑LED芯片和特制基板实现了自组装,提高了组装效率,降低了转移成本。
  • 一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法-201810010913.X
  • 贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光 - 广东省半导体产业技术研究院
  • 2018-01-05 - 2023-10-27 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层,其中0.01≤xy≤1,发光有源区包括多个量子阱层与多个量子垒层,多个量子阱层与多个量子垒层交替设置,最后一个AlGaN量子垒层为铝组分渐变层。在紫外器件中引入铝组分渐变的最后一个AlGaN量子垒层,优化器件的能带结构,能有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率,从而提高半导体紫外器件的量子效率和发光效率。
  • 发光二极管及其制备方法-202310815426.1
  • 肖和平;任关涛;杨永杰;刘康 - 华灿光电(苏州)有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-10-24 - H01L33/00
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层;在所述第二半导体层远离所述发光层的表面键合第二衬底,并去除所述第一衬底;制作贯穿所述第一半导体层、所述发光层并延伸至所述第二半导体层的台阶结构;制作覆盖所述台阶结构和所述第一半导体层表面的氧化层,所述氧化层具有连通所述第一半导体层的表面的第一通孔和连通所述台阶结构的台阶面的第二通孔;在高温环境下抽真空,以使腔内含氧量低于阈值;在所述第一通孔处制作第一电极,在所述第二通孔处制作第二电极。
  • 一种过滤黄光的LED材料生产工艺-202311017231.9
  • 吴勇;叶信旺 - 北京市京方泰科技有限公司
  • 2023-08-14 - 2023-10-24 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种过滤黄光的LED材料生产工艺,具体涉及LED材料生产技术领域,包括以下步骤:步骤一:选择蓝宝石作为衬底材料;步骤二:将蓝宝石表面清洁干净,去除蓝宝石表面的杂质和污染物,以确保生长出的LED晶体质量;步骤三:使用化学气相沉积(CVD)方法在衬底上生长LED材料的晶体,在这个过程中,将所需的原始材料气体引入反应室,通过热解和激发,形成晶体结构的成分。本发明采用蓝宝石作为衬底材料,制成的LED材料具有优异的过滤黄光的功能,同时本发明工艺流程所产生的废水可以得到三重处理,针对于有机物和金属离子可以有效去除,最后进行超滤,过滤后的水可以回收再利用,有效减免了废弃液排放污染环境的问题。
  • 一种LED芯片制备方法、LED芯片-202310915470.X
  • 周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-10-24 - H01L33/00
  • 本发明提供一LED芯片制备方法、LED芯片,提供一包含电流阻挡层的半成品芯片,利用电子束蒸镀方式在电流阻挡层上制备ITO膜层,将半成品芯片浸入酸性溶液中,以使酸性溶液透过ITO膜层对电流阻挡层进行侵蚀,采用电子束蒸镀的方式制备ITO膜层的方式,此方式制备的ITO膜层相较磁控溅射获取的膜层在未退火之前更加疏松,正因为ITO膜层在未退火之前致密性较差,因此可依靠未退火ITO膜层疏松特性,在电流阻挡层上方镀ITO膜层,使其浸泡在HF溶液中,通过疏松膜层的扩散作用,HF酸渗透ITO膜层刻蚀底部电流阻挡层,刻蚀效果为多孔结构,从而达到电流阻挡层层表面的粗化目的。
  • 平杯LED灯珠制作方法及平杯LED灯珠-202310688678.2
  • 龚文;钱一昶 - 苏州晶台光电有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-10-24 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种平杯LED灯珠制作方法及平杯LED灯珠,制作方法包括如下步骤:第一步骤、制作壳形支架,在壳形支架的腔壁上加工磨砂表面;第二步骤、安装发光芯片组件,将发光芯片组件安装在壳形支架的腔底;第三步骤、制作凹透镜,第一次点胶的胶体没过发光芯片组件并且能够沿磨砂表面向上爬升,第一次固化,形成内凹曲面朝上的凹透镜;第四步骤、制作凸透镜,第二次点胶结束后进行第二次固化,第二次固化后形成外凸曲面朝下的凸透镜。本发明中,第一次点胶的胶体沿着磨砂表面爬升,获得凹透镜,第二次点胶的胶体以内凹曲面为仿形面,获得凸透镜,从而制作出平杯LEDE灯珠,该平杯LED灯珠制作方法具有简单、易于操作且良品率高的优点。
  • 一种GaAs基LED外延片的老化方法-202210347223.X
  • 李晓明;郑波;黄寿东;智友臻;王彦丽 - 山东浪潮华光光电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法,通过在GaAs基发光二极管外延片制作一个未完全分割开的正方形切割图形,再通过P面放在导电金属板、N面放在导电铜板上的方式,形成通电老化,将老化测试的过程选择在制备芯片的过程之前,从根本上解决了需制造GaAs基LED芯片造成的老化反馈周期长的问题,该老化方法操作简单,老化反馈周期可缩短80%以上,能有效的完成GaAs基LED外延片的老化,减少不必要的制造浪费。
  • 一种超薄封装的功率表面贴装LED制作方法-202310938070.0
  • 董学文;闻耀发;闻昱;董月圆 - 长兴科迪光电股份有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种超薄封装的功率表面贴装LED制作方法,将焊好的芯片的表面覆上镂空的引线板,完成制造,然后在将绝缘透板和芯片分别固定在安装座上和贴片安装槽内进行安装,安装完成时,再通过改性薄膜在回流焊的过程中受热熔化并整体包覆该绝缘透板最后冷却固化形成封装层。该方法在受热熔化并整体包覆绝缘透板的PET薄膜中加入了石墨烯薄膜,形成具有良好散热效果的改性薄膜,该改性薄膜相比于改性前的PET薄膜,由于加入了经过脉冲轰击处理的石墨烯薄膜,石墨烯薄膜具有非常好的透气性能,故该超薄封装的功率表面贴装LED制作方法,相比于改性前,其散热效果提升了30%以上,有效提升了芯片性能。
  • 半导体发光元件和发光装置-202180003206.8
  • 王瑜;蓝永凌;马明彬;唐超;周宏敏;董金矿;李政鸿;林兓兓 - 安徽三安光电有限公司
  • 2021-07-15 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本发明属于半导体技术领域,尤其涉及半导体发光元件和发光装置,包括半导体叠层,该半导体叠层包括:第一半导体层,具有n型掺杂;第二半导体层,位于所述第一半导体层上,具有p型掺杂,所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体层的第二表面;有源层,位于所述第一半导体层和第二半导体层之间,所述有源层包括靠近第一半导体层的第三表面和靠近第二半导体层的第四表面;其特征在于:该半导体叠层还包括氢杂质,该氢杂质的浓度至少包括靠近有源层的第一峰值和远离有源层的第二峰值,所述第二峰值大于第一峰值。本发明的发光元件具有高亮度的性能。
  • 具有增加的量子效率的氮化铟镓发光二极管-202280017595.4
  • 迈克尔•丘吉克;马克斯·巴特雷斯;米歇尔·库里 - 应用材料公司
  • 2022-02-04 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 形成半导体结构的示例性方法可包括在半导体基板上形成成核层。示例性方法可进一步包括在成核层上形成至少一个含氮化镓(GaN)的区域,及在含GaN的区域上形成含氮化铟镓(InGaN)的层。多孔化区域可形成在含GaN区域及含InGaN层中的至少一者的一部分上,且活性区域可形成在多孔化区域上。在实施方式中,多孔化区域的特征可在于大于或约为20体积%的空隙率。在另外的实施方式中,活性区域可包括比多孔化区域或含GaN区域更大的摩尔百分数(mol%)的铟。在另外的实施方式中,活性区域的特征可在于在大于或约为620nm的波长处的峰值光发射。
  • 一种用于提高荧光粉LED光效的荧光粉层的设计方法及其应用-202310639401.0
  • 曹暾;苏莹;蔡义昕;齐成祥;范鸿吉;廉盟;贾婧媛 - 大连理工大学
  • 2023-06-01 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本发明属于LED技术领域,提供一种用于提高荧光粉LED光效的荧光粉层的设计方法及其应用。通过改变荧光粉层中的粒径分布方式和分布层数,采用基于荧光粉均一粒径多层分布方式,即多层粒径大小均一分布的设计方案来优化荧光粉层的分布,提高荧光粉LED的均匀度和光效。将其用于搭建LED器件,从下至上依次为LED基板、LED芯片以及多层荧光粉层结构构成LED器件。传统的荧光粉层在LED中粒径大小分布形式呈高斯分布,即不同粒径的荧光粉随机分布,易产生团聚影响光效。本发明通过改变荧光粉层中的粒径分布方式和分布层数,采用基于荧光粉均一粒径多层分布方式。相比于传统的荧光粉层粉层随机分布,显著提高了LED的光效,对LED得到更广泛的应用有了很大帮助。
  • 光学基板的切割方法-202110777073.1
  • 沈戌霖;卢凯 - 苏州晶方半导体科技股份有限公司
  • 2021-07-09 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种光学基板的切割方法,该光学基板包括透明基板以及在透明基板表面构成有凹坑的光学材料,所述方法包括:s1、在所述凹坑内填充硬化的过渡衬底材料,该过渡衬底材料在特定条件下可转化为液态;s2、采用刀片对透明基板进行切割,形成多个基板单粒;s3、使所述过渡衬底材料转化液态,剥离所述的过渡衬底材料。本发明选用在固态时具备一定的硬度,且在一定条件下可以转变为液态的过渡衬底材料,该材料在流体状态可以填附产品背面的凹坑,不会产生气泡;在固体状态支撑效果好,对于切割崩边有较好的品质保证。
  • 发光二极管及其制备方法-202111654387.9
  • 闫其昂;王国斌 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管的制备方法包括:提供衬底;于衬底的上表面形成外延结构,外延结构包括第一限制材料层和发光层,发光层位于第一限制材料层的上表面;第一限制材料层中包含In,且In的组分沿第一限制材料层的厚度方向渐变;对第一限制材料层进行处理,消耗部分第一限制材料层以形成第一限制区域及第一限制层,第一限制区域位于第一限制层的外围;其中,第一限制层靠近发光层的表面尺寸小于发光层的尺寸,且小于第一限制层背离发光层的表面尺寸。上述发光二极管的制备方法可以提高载流子的注入效率,同时增强载流子在其他功能层中的扩展效果。
  • 显示面板的制备方法-202210952741.4
  • 毛晗;袁海江 - 惠科股份有限公司
  • 2022-08-09 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本申请提供了一种显示面板的制备方法,制造方法包括:转移发光元件至驱动基板;制备过渡层,过渡层封装发光元件;在过渡层上开设间隔设置的第一通孔和第二通孔;第一通孔裸露发光元件的电极,第二通孔裸露驱动基板的电极。通过在在第一通孔内溅射沉积保护层,在第一通孔内制备第一导电层,在第二通孔内物理气相沉积第二导电层。使第二导电层至少部分覆盖第一导电层远离驱动基板的一端,以与第一导电层电连接,在保证了驱动基板与发光元件具有良好的电性连接的情况下,减少了焊线工艺和降低键合难度,进而提高键合良率。
  • MicroLED阵列基板的修补方法和显示面板-202211194202.5
  • 蒲洋;康报虹 - 惠科股份有限公司
  • 2022-09-28 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本申请公开了MicroLED阵列基板的修补方法和显示面板,该修补方法包括:确定所述驱动基板上存在的异常LED芯片,其中,所述异常LED芯片为多个所述LED芯片中存在异常的LED芯片;对所述驱动基板上设置有所述LED芯片的一面涂布光刻胶,以使所述光刻胶覆盖全部所述LED芯片;去除所述异常LED芯片处的部分所述光刻胶,以使所述异常LED芯片的外延层和所述电极的一部分外露;去除所述异常LED芯片外露的部分;去除所述异常LED芯片处的全部所述光刻胶,以使与所述异常LED芯片对应的两个所述键合金属层外露;将新的LED芯片的两个电极分别与外露的一所述键合金属层的所述可键合区域键合;去除所述驱动基板上的全部所述光刻胶。基于上述方式,可降低或消除修补对MicroLED阵列基板的损伤。
  • 一种Micro-LED芯片的巨量转移方法-202310748469.2
  • 张星星;汪恒青;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法,涉及半导体芯片制作技术领域,该巨量转移方法:通过将不同颜色的晶圆分别键合至透明的过渡基板之上,去除晶圆衬底,激光光斑透过与不同颜色晶圆对应的掩模版,并透过过渡基板,对涂覆于晶圆中显示单元上的过渡键合层进行照射,实现对过渡键合层的烧灼,则能够将单色晶圆上的若干显示单元同时转移至目标基板上,这些单色的显示单元在目标基板上预留有其它颜色显示单元的芯片位;通过依次将蓝光显示单元、绿光显示单元与红光显示单元批量转移至目标基板上,能够实现RGB三原色芯片在目标基板上有规律性的间隔重复排列,从而解决本发明所记载的技术问题。
  • 晶片装载装置-202321144692.8
  • 李兆文;李兆彩 - 上犹县文丰电子科技有限公司
  • 2023-05-12 - 2023-10-20 - H01L33/00
  • 本申请公开了晶片装载装置,涉及晶片技术领域。本申请包括控制箱,控制箱上端面设置有机盖,控制箱与机盖连接处设置有合页,控制箱正面左侧设置有显示器,显示器右端设置有旋钮,控制箱后端面左侧设置有电源接口,电源接口右端设置有开关,机盖上端面前方设置有第一电缸,机盖上端面后方设置有机架,机架上端设置有第二电缸,通过本申请的设置,使得本实用新型可自动精确定位并装载晶片,提高了本实用新型的装载效率和准确性,还使得本实用新型在装载晶片时避免直接接触磕碰,提高了本实用新型的实用性,同时使得本实用新型在装载完成后还能坚持晶片透明度,提高了本实用新型的实用性。
  • 基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法-202110973110.6
  • 李福山;郑悦婷;孟汀涛;赵等临;胡海龙;郭太良 - 福州大学
  • 2021-08-24 - 2023-10-17 - H01L33/00
  • 本发明提出一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法,通过在LED中利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入高精度图案化的绝缘层,以缩小发光单元尺寸及消除漏电流,可实现高发光效率超高分辨率发光器件的制备。本发明的漏电流阻挡层利用朗缪尔单层制备技术获取,绝缘材料体系局限性小,可选择范围广。利用朗缪尔单层制备技术及转移印刷技术获取的漏电流阻挡层,免去了光刻工艺显影刻蚀过程中的溶剂污染,将其应用于LED中,可降低甚至消除器件中的漏电流,减少能量损耗,实现高效发光,配合RGB单色发光材料或白光发光材料,可实现高分辨率全彩LED点阵。
  • 一种Micro LED制备方法及Micro LED-202310905128.1
  • 汪恒青;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-10-13 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种Micro LED制备方法及Micro LED,所述方法包括:提供衬底,在衬底上依次沉积外延层、透明导电层、金属电极层、无机保护层与刻蚀光刻胶层,使用干法刻蚀并通入预设流量比例的CF4与O2对刻蚀光刻胶层进行刻蚀并刻蚀到预设位置,将刻蚀光刻胶层全部刻蚀去除以及无机保护层部分刻蚀去除,并在部分刻蚀完成后的无机保护层表面沉积金属焊盘层,以得到Micro LED,本发明可精确控制刻蚀完成后无机保护层的剩余厚度,同时使用无机保护层作为芯片前道制程中高低起伏的填充,结合刻蚀工艺平坦化表面,方便制作平整的金属焊盘层,以此有利于提高芯片在巨量转移与后续键合过程的良率。
  • 改善翘曲的发光二极管及其制备方法-202310815681.6
  • 姚振;从颖;龚逸品;梅劲 - 华灿光电(苏州)有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-10-13 - H01L33/00
  • 本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该制备方法包括:向反应腔内通入Ga源,以在衬底的表面生长GaN层;停止通入所述Ga源持续第一时长;通入Al源持续第二时长,使Al源与所述GaN层反应形成第一AlGaN层;通入所述Ga源和所述Al源,在所述第一AlGaN层的基础上继续生长第二AlGaN层,得到缓冲层。本公开实施例能释放缓冲层内的应力,改善缓冲层容易出现翘曲的问题。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top