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[发明专利]一种LED外延结构及LED芯片-CN202111318193.1有效
发明人：赵坤;李福龙;李维环;宁振动;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延结构及LED芯片，所述LED外延结构包括：衬底；外延层，设置于衬底的上方，且外延层在衬底的上方依次包括N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型电流扩展层，设置于P型半导体层的上方；P型欧姆接触层，设置于P型电流扩展层的上方，P型欧姆接触层包括多个层对，所述层对分别由第一子层和第二子层构成，其中第一子层的P型掺杂浓度小于第二子层的P型掺杂浓度。本发明能够有利于LED外延结构P端的电流扩展，并且能够降低LED器件的电阻及操作电压，提升LED器件的发光效率。
一种 led 外延结构芯片

[发明专利]一种集成电路、功率放大器及电子设备-CN202080108231.8在审
发明人：丁瑶;胡彬;赫然;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种集成电路、功率放大器及电子设备，涉及半导体技术领域，实现了一种基于新型复合衬底的集成电路，有效控制了成本。该衬底用于晶体管，包括衬底，其中衬底上覆盖有晶体管，衬底包括：第一材料层以及覆盖于第一材料层上的第二材料层，其中，晶体管覆盖在第二材料层上；第二材料层包含碳化硅SiC，第二材料层与第一材料层的材料的电阻率不同。
一种集成电路功率放大器电子设备

[实用新型]外延结构及LED芯片-CN202320288992.7有效
发明人：贾钊;窦志珍;张玉娇;闫冬成;胡恒广 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种外延结构及LED芯片，属于半导体发光器件领域。所述外延结构包括：依次层叠的GaAs衬底、GaAs缓冲层、新型N层、MQW层、新型P层以及GaP层，其中，所述新型N层和所述新型P层分别包括多组纵向交替生长的AlxGa(1‑x)As层和AlxGa(1‑x)InAs层。通过上述技术方案，利用多组纵向交替生长的AlxGa(1‑x)As层和AlxGa(1‑x)InAs层作为新型N层和新型P层，通过提高辐射机率和复合效率的方式增加半波宽以拉长光色范围，同时此结构使得PN结的额外电阻减小，降低了发光复合的损耗，提高了复合效率。
外延结构 led 芯片

[发明专利]发光元件及包括该发光元件的显示装置-CN202080107472.0在审
发明人：黄圣贤;许美姬;全基成 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Alx1Ga1‑x1InP，x1可以为0.6以下，吸附防止层的厚度可以为2μm以下。
发光元件包括显示装置

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201980003929.0有效
发明人：李慧文;张东炎;潘冠甫;黄少华;王笃祥 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极与第一类型导电性半导体层形成接触的欧姆接触层。通过第一导电类型的半导体层侧的第一电极侧选择铝镓铟磷作为欧姆接触层和窗口层，替代传统的吸光性欧姆接触材料，可以有效改善透光性。
一种半导体发光元件

[发明专利]隧道结的p-型层的激活-CN202180064445.4在审
发明人： P·李;H·李;M·伊扎;S·纳卡穆拉;S·P·丹巴斯 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：制造具有使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的外延隧道结的微尺寸III‑氮化物发光二极管(μLED)的方法，所述外延隧道结包括p+GaN层、InxAlyGazN插入层和n+GaN层，其中μLED具有低的正向电压。所述InxAlyGazN插入层具有比所述GaN层更小的能量带隙，这减小了所述隧道结的耗尽宽度并增加了隧穿概率。所述μLED用从25至10000μm2变化的尺寸制造。发现，所述InxAlyGazN插入层可将在20A/cm2下的正向电压减少至少0.6V。具有n‑型和p‑型InxAlyGazN插入层的隧道结μLED在20A/cm2下具有非常稳定的低的正向电压。在小于1600μm2的尺寸下，所述低的正向电压为小于3.2V。
隧道激活

[发明专利]半导体元件-CN202211005635.1在审
发明人：颜世男;金明达;李宜青;叶振隆 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。第一掺质与第二掺质具有不同的导电型态。
半导体元件

[发明专利]光电子半导体芯片-CN201880008951.X有效
发明人：王雪;马库斯·布勒尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：描述一种光电子半导体芯片(20)，所述光电子半导体芯片包括半导体层序列(10)，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中半导体层序列(10)包含p型半导体区域(4)、n型半导体区域(2)、和设置在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(2)之间的有源层(3)。此外，光电子半导体芯片包括：邻接于p型半导体区域(4)的电流扩展层(8)，所述电流扩展层具有透明导电氧化物；和金属的p型连接层(12)，所述p型连接层至少局部地邻接于电流扩展层(8)。p型的半导体区域(4)具有p型接触层(7)，所述p型接触层邻接于电流扩展层(8)。p型接触层(7)具有掺杂有C的GaP，其中C掺杂物浓度至少为5*1019cm‑3，并且其中p型接触层(7)的厚度小于100nm。
光电子半导体芯片

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202210566526.0在审
发明人：徐平;许亚兵;季辉 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长n型GaN层、生长Mg掺杂InAlGaN层、生长多量子阱层、生长Si掺杂InAlN层、生长AlGaN电子阻挡层、生长P型GaN层，降温冷却。本发明通过在量子阱层前后分别插入Mg掺杂InAlGaN层和Si掺杂InAlN层来减少波长蓝移，并提高LED的内量子效率和亮度，尤其适合于制作小间距显示屏。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202210404705.4在审
发明人：郑锦坚;王曼;常亮;高默然;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；以及在衬底上依次堆叠的第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱层以及第二半导体层，第一阻挡层和第二半导体层的掺杂类型彼此相反，其中，第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱以及第二半导体层分别进行碳掺杂，并且多量子阱层的碳掺杂浓度≤第一阻挡层的碳掺杂浓度≤第一半导体层的碳掺杂浓度≤第二阻挡层的碳掺杂浓度≤第二半导体层的碳掺杂浓度。本发明的发光二极管的外延结构及其制备方法，通过设置外延结构中各层的碳掺杂浓度的变化，降低电子注入多量子阱的速率，降低电子从多量子阱溢出几率，从而提升发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种微型发光元件及其制作方法-CN202010360418.9有效
发明人：蔡景元;钟秉宪;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓、磷化铟衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。
一种微型发光元件及其制作方法

[发明专利]一种红光发光二极管的外延片及其制备方法-CN202010255943.4有效
发明人：黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种红光发光二极管的外延片及其制备方法，通过将n型半导体层设计成铝元素的含量沿所述外延片的生长方向逐渐增加，铟元素的含量沿所述外延片的层叠方向逐渐降低的渐变层，搭配铝元素、铟元素的含量沿所述外延片的生长方向不变的固定层，使得在靠近多量子阱层一侧的势垒逐渐升高，可限制多阱量子层中用于辐射复合的电子及空穴向MQW区外的游离，限制空穴与电子在MQW中进行辐射复合减少非辐射复合，同时也有利于n层的电子向MQW区的流动，进而增加了流向MQW区域中复合的光子数，提升了发光效率。
一种红光发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]微发光二极管及制备方法和显示面板-CN202180004916.2在审
发明人：陈劲华;许智程;王彦钦;黄少华;彭钰仁;郭桓邵 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开微发光二极管及制备方法和显示面板，所述微发光二极管包括半导体外延叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层；第一电极和第二电极，分别与所述第一类型半导体层和第二类型半导体层形成电连接；其特征在于：所述第二类型半导体层包括n型磷化镓窗口层，所述n型磷化镓窗口层起到电流扩展作用。本发明可解决微发光二极管在小电流密度下发光效率低的问题，提升微发光二极管在小电流密度下的发光效率。
发光二极管制备方法显示面板

[发明专利]一种不可见光发光二极管及其制备方法-CN202111464356.7在审
发明人：冯彦斌;高文浩;梁倩;吴超瑜 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开一种不可见光发光二极管及制备方法，所述不可见光发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面依次包含第一电流扩展层，第一InX1Ga1‑x1As层，第一覆盖层，有源层和第二覆盖层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs层和InXGa1‑xAs层作为吸收层，在电流密度大于1A/mm2情况下，可有效去除可见光部分，有效解决不可见光发光二极管的红爆现象。
一种可见光发光二极管及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202111294804.3在审
发明人：廖寅生;李森林;毕京锋;王亚宏 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层和第一型限制层，所述第一型窗口层的材质为AlGaAs，并且为Al组分渐变的结构层，所述第一型窗口层的厚度为1.5μm～8μm。本发明通过形成Al组分渐变的第一型窗口层可以提高LED芯片的出光效率、降低LED芯片的工作电压以及提高LED芯片的高温老化稳定性。
led 外延结构及其制备方法

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