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[发明专利]外延结构及其制备方法-CN202310297270.2在审
发明人：黄理承;宋长伟;祝光辉;郭园;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，所述有源层包括依次层叠的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，在所述第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中，In浓度和Al浓度均交替震荡。本发明由于有源层中的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中的In浓度和Al浓度均交替震荡，使得小电流漏电得到改善，同时LED器件辐射复合效率上升，进而光效提升。
外延结构及其制备方法

[实用新型]一种加热组件-CN202223527782.3有效
发明人：王明军;祝光辉;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加热组件，包括隔热板以及安装在隔热板上的辅助加热单元，还包括用于驱动辅助加热单元沿一预定轨迹运动并在某一需求位置静止的驱动单元。通过预设运动的预定轨迹，并利用一驱动单元，使得辅助加热单元可调整到需要的位置并保持静止，从而实现辅助加热单元位置的灵活调整，对需要温度补偿的地方进行灵活补偿。
一种加热组件

[发明专利]一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管-CN202211489401.9在审
发明人：王明军;郭园;祝光辉;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，n型GaN层，量子阱发光层，p型GaN层及p型接触层；在n型GaN层和量子阱发光层中的Inx2Aly2GaN/GaN浅量子阱层之间设置有插入层，插入层为Inx1Aly1Ga1‑x1N/GaN超晶格结构层。本发明利用InGaN/GaN层对电子的束缚作用，采用InGaN/GaN层的超晶格结构，取代原本的低掺杂GaN层，降低了LED芯片工作电压，进而提升LED发光亮度。
一种具有插入外延包含发光二极管

[发明专利]发光二极管外延结构及发光二极管-CN202211302966.1在审
发明人：朱涛;王明军;祝光辉;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及依次设置于衬底上的N型半导体层、应力释放层、多量子阱层和P型半导体层；应力释放层与多量子阱层的C元素和In元素的掺杂浓度的分布曲线分别为C元素浓度曲线和In元素浓度曲线；In元素浓度曲线包括靠近所述N型半导体层的In单调上升曲线以及与In振荡曲线；所述C元素浓度曲线中，与In振荡曲线对应的位置的C元素掺杂浓度低于与In单调上升曲线对应的位置的C元素掺杂浓度。本发明的发光二极管外延结构改善了传统的InGaN/GaN应力释放层生长质量差，易漏电的问题，大幅度提高产品的发光效率。
发光二极管外延结构

[发明专利]一种LED外延新型应力释放层生长方法及该方法制备的芯片-CN202210953377.3在审
发明人：吕腾飞;王淑娇;郭园;祝光辉;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED外延新型应力释放层生长方法，具体的方法包括提供一衬底，以及在衬底表面依次生长缓冲层、u型GaN层、重掺Si的n型GaN层、应力释放层、发光层和p型GaN层；所述的应力释放层的生长方法为：依次/循环生长第一超晶格层和第二超晶格层；所述的第一超晶格层包括周期性交替生长的GaN层和InXGa(1‑X)N层，0≤X＜0.8；所述的第二超晶格层包括周期性交替生长的GaN层和InYGa(1‑Y)N层，0≤Y＜1。本发明通过第一超晶格层的设置，起到改善堆垛层错的效果，防止直接生长第二超晶格层形成晶格失配大，导致堆垛层错产生电性异常的现象，能够有效改善结晶质量，增加内量子效率从而提升LED发光效率。
一种 led 外延新型应力释放生长方法制备芯片

[发明专利]一种无死角激光探头以及激光鼻炎治疗仪-CN202210704040.9在审
发明人：朱江涛;刘国兵;刘继辉;祝光辉;向文林;许立;陈可夫;向文明 -专利权人：左点实业（湖北）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： A61N5/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种无死角激光探头，包括主体部、伸入部，所述伸入部包括连接件、转动件、转动驱动件以及导光光纤，所述连接件一端与所述主体部连接，所述转动件与所述连接件远离所述主体部铰接，所述导光光纤设置在所述连接件内部且所述导光光纤的激光输出端固定在所述转动件上，所述转动驱动件与所述转动件连接，能够驱动所述转动件相对所述连接件摆动，本发明还涉及一种激光鼻炎治疗仪。本发明设置有连接件、转动件、转动驱动件，所述转动驱动件能够驱动所述转动件相对所述连接件摆动，带动所述转动件上的所述导光光纤的激光输出端摆动，实现输出激光角度调节，能够对鼻腔内无死角的照射。
一种死角激光探头以及鼻炎治疗

[发明专利]一种防止助听器啸叫的方法及装置-CN202210525905.5在审
发明人：朱江涛;刘国兵;刘继辉;祝光辉;向文林;向文明 -专利权人：武汉左点科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H04R25/00 文献下载
摘要：本发明专利提供了一种防止助听器啸叫的方法及装置，应用于助听设备，包括：监测所述输入声音中是否存在与上一时段的耳内播放声音电信号频率、相位信息相同的反射电信号；若存在所述与上一时段的耳内播放声音电信号频率、相位信息相同的反射电信号，根据所述上一时段的耳内播放声音的电信号频率、相位信息生成反向电信号，所述反向电信号与耳内播放声音的电信号频率、振幅、相位信息完全相反；以主动降噪的方式对助听器的输入声音信号进行降噪处理，且通过提前缓存助听器输出信号的波形信息，能够快速得出反向信号信息，依靠反射信号的强度衰减比例，可生成与啸叫噪音频率相同、振幅相反的衰减消噪声音，以此可以抵消啸叫噪音的能量。
一种防止助听器方法装置

[发明专利]一种新型发光二极管量子阱及其制备方法-CN201811022466.6有效
发明人：孙旭东;祝光辉;任亮亮;曾海军 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/86 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种新型发光二极管量子阱及制备方法，包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、应力释放层、多量子阱结构以及p型氮化镓层；所述多量子阱结构包括5～15个周期量子阱结构单元，每个量子阱结构单元包括纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区、纯氮气环境生长的AlxGa1‑xN Cap区以及纯氢气环境生长的AlmGa1‑mN量子垒区。本发明纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区与AlxGa1‑xN Cap区，得到铟组分掺杂良好的铟镓氮量子阱区。纯氢气环境下生长的AlmGa1‑mN量子垒区，生长缺陷少，晶体质量得到改善。
一种新型发光二极管量子及其制备方法

[实用新型]一种砂布机的拉布机构-CN202120568157.X有效
发明人：梅传显;祝光辉;许建民 -专利权人：开封利研抛光材料有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B65H23/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砂布机的拉布机构，包括支撑台，支撑台顶端的一侧固定设有支撑架，支撑架底端的中部固定设有调节气缸，调节气缸的活塞杆固定设有转动架，转动架的内部转动连接有驱动辊，转动架的一侧固定设有驱动电机，驱动电机的传动轴与驱动辊的一端固定连接，转动架的底部转动连接有与驱动辊相对应的从动辊，本实用新型的有益效果是：通过设置的调节气缸便于调整驱动辊的位置，从而能够适用与不同厚度的砂布，通过设置驱动电机能够带动驱动辊进行转动，在驱动辊与从动辊的配合下能够带动砂布进行移动，从而实现拉布工作；通过设置的第一张紧组件以及第二张紧组件能够使砂布在拉布过程中始终保持张紧状态，使砂布不易发生褶皱。
一种砂布机构

[实用新型]一种砂布生产用传送辊-CN202120568261.9有效
发明人：梅传显;祝光辉;许建民 -专利权人：开封利研抛光材料有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B65H23/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砂布生产用传送辊，包括辊体，辊体中部的内部设有第一转轴，辊体的两端均固定设有延伸筒，两个延伸筒的内壁均固定设有第一轴承，第一转轴转动连接在两个第一轴承之间，两个延伸筒的一侧均套设有挡板，第一转轴的一侧固定设有防滑装置，本实用新型的有益效果是：通过第一转轴转动第二皮带轮转动，第二皮带轮带动筒体转动，若干个弹簧对压盘施加弹力，从而使压盘发生形变对该传送辊表面的砂布进行挤压，若干个凸块和防滑纹路使砂布输送时受到的摩擦力增大，砂布与传送辊的贴合度提高，不易打滑卷曲，提高了砂布的生产质量；通过两个挡板可有效的防止砂布在输送过程中偏移方向。
一种砂布生产传送

[发明专利]灯具电流调节控制电路-CN202110876554.8在审
发明人： 祝光辉 -专利权人：深圳市才博太阳能科技有限公司
申请日： 2021-07-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H05B45/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种灯具电流调节控制电路，包括恒流源和LED输出端，所述恒流源包括第一电阻、第二电阻、变阻器和电子开关，所述第一电阻、变阻器和第二电阻依次串联后两端分别电连接电源和地，所述变阻器的滑动端与电子开关的驱动端电连接，所述电子开关的输出端接地，所述电子开关的输入端与LED输出端电连接。本发明提供的灯具电流调节控制电路，通过元器件代替芯片来实现灯具的控制电路，降低成本。
灯具电流调节控制电路

[发明专利]一种提升氮化镓基发光二极管亮度的外延片及生长方法-CN201811022435.0有效
发明人：张帆;芦玲;祝光辉 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备生长技术领域，提供了一种提升氮化镓基发光二极管亮度的外延片及生长方法。外延片从下到上的顺序结构依次为图形化蓝宝石AlN衬底、本征GaN层、n型GaN层、高温多量子阱结构、低温多量子阱有源区、低温P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN导电层和p型接触层。较传统的生长方法不同，本发明对高温量子阱的高温量子垒进行了优化设计，实现了高温量子垒的一个阶梯式设计，此种阶梯式结构能够一定程度上进一步粗化该处的生长界面，形成更多的V型缺陷，进而形成载流子侧壁通道，使得更多的载流子从这些侧壁通道流入有源区，与空穴进行复合发光，以达到提升氮化镓基发光二极管的亮度的目的。
一种提升氮化发光二极管亮度外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811022425.7有效
发明人：吕腾飞;芦玲;祝光辉;刘坚 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，氮化镓基发光二极管外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D生长过程中插入5～20个周期AlxGa(1‑x)N/AlN/GaN超晶格层应力释放层、2D GaN层、n型GaN层、nsls应力释放层、MQW发光层和P型GaN层。超晶格的生长方式能有效调控外延层中的应力，有效避免外延层生长后薄膜龟裂的出现，同时也提高了GaN薄膜的生长质量。由于超晶格层能有效释放应力，MQW发光层中由于应力产生的内建电场在较大程度上得以减弱，量子阱能带倾斜减小，电子和空穴波函数重叠增加，MQW发光层亮度得到有效提升。
一种氮化发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种提高氮化镓基LED发光二极管亮度的外延片及生长方法-CN201811022401.1有效
发明人：王淑姣;芦玲;祝光辉;陈明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓基LED发光二极管亮度的外延片及生长方法，以图形化蓝宝石为衬底，在其表面依次生长AlN缓冲层、本征GaN层、n型GaN层、发光层、低温p型AlGaN电子阻挡层、新型高温p型氮化镓超晶格层和p型接触层。本发明新型高温P氮化镓层通过采用长速渐变的超晶格生长方法，提高了镁原子的掺杂效率，使得p型层中空穴浓度增加；采用镓源间断开关的长法，一定程度上增加了外延片的外量子效率；起始在较低长速下生长一层薄的p层能够在较大程度上缓解p型AlGaN电子阻挡层与高温p型氮化镓层之间的应力，提升GaN发光效率；在最后1段高温超晶格层中通入Al源，进一步增加了对电子的阻挡作用。
一种提高氮化 led 发光二极管亮度外延生长方法

[发明专利]一种降低氮化镓基发光二极管工作电压的外延片及生长方法-CN201811022398.3有效
发明人：张帆;芦玲;祝光辉 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种降低氮化镓基发光二极管工作电压的外延片生长方法，外延片从下到上为蓝宝石图形化AlN衬底、故意轻度掺杂的3维GaN层与2维GaN层、n型接触层、N型GaN层、量子阱有源区、低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层、掺Mg的P型氮化镓层以及掺Mg的p型接触层。本发明对3D与2D GaN层进行设计，实现故意轻度掺杂，能够释放3D与2D以及n型GaN层相连接时所产生的压应力，同时在2D与n型GaN层中间插入掺杂浓度较高的n型接触层，进一步释放其应压力，减少缺陷的产生，横向电流扩展能力得以提升；另一方面，载流子浓度得到增强，其纵向电流扩展能力得以加强，两者叠加，达到降低其发光二极管工作电压的目的。
一种降低氮化发光二极管工作电压外延生长方法

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