[发明专利]集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液有效

申请号：	200510026996.4	申请日：	2005-06-22
公开（公告）号：	CN1731567A	公开（公告）日：	2006-02-08
发明（设计）人：	张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明	申请（专利权）人：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号：	H01L21/321	分类号：	H01L21/321;B24B57/02
代理公司：	上海智信专利代理有限公司	代理人：	潘振甦
地址：	200050***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。
搜索关键词：	集成电路互连一步化学机械抛光工艺相应纳米抛光
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1、一种用于集成电路多层铜互连结构铜/钽化学机械抛光的一步抛光工艺，其特征在于：(1)晶片加载后，抛光过程中间抛光头不再离开抛光盘，直到多余铜/钽材料去除完毕，露出底层的介质层，选择性停止在介质层上，通过镶嵌工艺形成铜互连结构；(2)铜/钽多层膜体系的化学机械抛光过程中，是通过光学、声学、力学或电学中任意一种在线检测手段，以在线检测的方法，判断铜/钽多层膜体系化学机械抛光过程中的界面，并通过信号差异的反馈给抛光液加料泵指令，进行抛光液的自动切换，实现抛光液的分段加入的。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510026996.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法
下一篇：空气净化机的过滤装置

同类专利

具有经改善的形貌的钨大量抛光方法-201980007840.1
发明人： W.J.沃德;M.E.卡恩斯;崔骥;K.龙 -专利权人： CMC材料股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供化学机械抛光基板的方法，包括：提供基板，该基板包含在该基板表面上的钨层及在该基板表面上的硅氧化物层；提供化学机械抛光组合物，其包含：a)经表面改性的胶体氧化硅颗粒，该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该经表面改性的胶体氧化硅颗粒具有负电荷、约90nm至约350nm的粒径及在约2的pH下约‑20mV至约‑70mV的ζ电位，b)铁化合物，c)稳定剂及d)水性载剂；以及，使该基板与抛光垫及该化学机械抛光组合物接触，从而抛光该基板。

导电沟槽深度的感应监测-201910937866.8
发明人： W·陆;Z·王;Z·王;H·G·伊拉瓦尼;D·J·本韦格努;I·卡尔松;B·A·斯伟德克;W-C·图 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明涉及导电沟槽深度的感应监测。在制造具有带有多个导电互连件的层的集成电路时，抛光基板的层以提供所述集成电路的所述层。所述基板的所述层包括的导电线以提供导电互连件。所述基板的所述层包括由沟槽中的导电材料形成的封闭的导电环路。使用感应监测系统来监测沟槽中的导电材料的深度，并且生成信号。监测包括：生成间歇地通过所述封闭的导电环路的磁场。从信号中提取随时间进展的值序列，所述值序列表示随时间进展的导电材料的深度。

用于化学抛光的系统、装置和方法-201780010487.3
发明人： B·C·加嘎纳坦;R·巴贾杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明的实施例提供一种使用流体网络平板组件的用于化学抛光基板的系统、装置和方法，所述流体网络平板组件包含：垫，所述垫具有多个流体开口；多个流体通道的网络，每个通道与至少一个流体开口流体地连通；多个入口，每个入口耦合至不同的流体通道；以及出口，所述出口耦合至未耦合至入口的所述流体通道中的一个。公开了多个附加的方面。

用于化学机械抛光后清洁的组合物-201680075204.9
发明人： C·达施莱茵;M·西伯特;M·劳特尔;P·普日贝尔斯基;J·普罗尔斯;A·克里普;H·O·格文茨;L·勒尼森;R-P·鲍曼;魏得育 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明描述了一种化学机械抛光后(CMP后)清洁组合物，其包含或由以下组成：(A)选自由如下组成的组的一种或多种非离子聚合物：聚丙烯酰胺、聚羟乙基(甲基)丙烯酸酯(PHE(M)A)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、式(I)的聚合物和其混合物，其中R1为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，R2为氢或甲基，且n为整数，(B)质量平均摩尔质量(Mw)为至多10,000g/mol的聚(丙烯酸)(PAA)或丙烯酸‑马来酸共聚物，和(C)水，其中所述组合物的pH在7.0至10.5范围内。

CMP机台联动方法及系统-202011543634.3
发明人：奚达;郭志田;瞿治军;夏金伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本申请公开了一种CMP机台联动方法及系统，涉及半导体制造领域。该CMP机台联动系统包括至少2个CMP机台、至少1个缓冲腔室；相邻的2个CMP机台通过1个缓冲腔室连接；每个缓冲腔室包括2个屏蔽门，一个屏蔽门对准第i个CMP机台的机械手，另一个屏蔽门对准第i+1个CMP机台的机械手；i为大于等于1的整数；缓冲腔室内设置有晶圆架，晶圆架用于放置晶圆；解决了故障CMP机台内放置的晶圆容易报废的问题；达到了及时将故障CMP机台中的晶圆放入合适的环境，联动相邻CMP机台对取出的晶圆进行及时处理，避免晶圆报废的效果。

针对锗的扩散阻挡层-202180055191.X
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;T·越泽;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。

利用非晶硅和氧化的薄氧化物层的生长-202180068175.4
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/321
摘要：一种用于形成氧化物层的方法，包含在基板上形成界面层，在此界面层上形成非晶硅层，执行直接氧化工艺以使形成的非晶硅层选择性氧化，和执行热氧化工艺以使形成的非晶硅层氧化。

金属微细结构的制备方法-202111406278.5
发明人：张永恩 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供一种金属微细结构的制备方法，包括：1)于基底上形成硬掩膜层；2)于硬掩膜层上形成光刻胶图形；3)刻蚀硬掩膜层，以在硬掩膜层中形成凹槽图形，去除光刻胶图形；4)在凹槽图形内和硬掩膜层表面形成金属层；5)对金属层进行平坦化处理，使凹槽图形内的金属层顶面与硬掩膜层顶面齐平，以获得位于凹槽图形内的图形金属层；6)于图形金属层上形成保护图形；7)通过干法刻蚀去除硬掩膜层，并去除保护图形，以获得位于基底上的图形金属层。本发明可以有效改善现有金属剥离工艺中的金属图形侧壁及表面容易出现不规则毛刺的问题以及改善金属图形两侧底部容易出现接触不良的问题。

组成物及其使用方法-202280006066.4
发明人：黄亭凯;胡斌;梁燕南;朴红 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本公开有关于一种组成物，其包括至少一种第一钌去除率增强剂；至少一种铜去除率抑制剂；至少一种低k去除率抑制剂；及一水性溶剂。

抛光III-V族材料的方法-201780011851.8
发明人： B.佩特罗;G.怀特纳;W.沃德 -专利权人： CMC材料股份有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/321
摘要：公开了化学‑机械地抛光基板的方法。该方法包括以下步骤、由以下步骤组成、或基本上由以下步骤组成：(a)使含有至少一种III‑V族材料的基板与抛光垫及化学‑机械抛光组合物接触，该化学‑机械抛光组合物包括水、具有负表面电荷的研磨剂颗粒、以及约0.01wt.％至约5wt.％的量的用于氧化该III‑V族材料的氧化剂，其中该抛光组合物具有约2至约5的pH；(b)相对于该基板移动该抛光垫及该化学‑机械抛光组合物；及(c)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。在一些实施方式中，该III‑V族材料是包含至少一种来自元素周期表第III族的元素及至少一种来自元素周期表第V族的元素的半导体。

半导体工艺中铝腐蚀后表面残留物的去除方法-202211016126.9
发明人：李兆营;李明浩;李海涛;梁靖 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本公开提供了一种半导体工艺中铝腐蚀后表面残留物的去除方法，其包括步骤：步骤一，提供半导体衬底；步骤二，金属铝薄膜沉积：调控直流磁控溅射的工艺参数进行金属铝薄膜沉积；步骤三，铝薄膜冷却：采用水冷或者水冷和气冷结合的冷却方式进行冷却；步骤四，对铝薄膜表面进行物理刻蚀：采用磁控溅射设备自带的刻蚀腔体对铝薄膜表面进行物理刻蚀；步骤五，对铝薄膜进行腐蚀：在对铝薄膜腐蚀之前，要形成具有图案的光刻胶层，然后去除不需要的金属层，再通过去胶工艺去除光刻胶，最终形成所需的金属图形。本公开的方法未增加新的设备或工艺气体，但可以彻底去除铝腐蚀后表面残留物。

半导体结构的制备方法、半导体结构及其制备系统-202211124682.8
发明人：杨怀伟;吴奇龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及其制备系统。其中，所述方法包括：提供一多晶硅基底，所述多晶硅基底包括掺杂物；在氧气氛围中，对所述多晶硅基底进行退火处理，形成氧化层，且所述多晶硅基底表层的掺杂物扩散至所述氧化层中；去除所述氧化层；在去除所述氧化层后的所述多晶硅基底的表面沉积薄膜。

用于处理具有多晶面层的半导体晶片的方法-201680063165.0
发明人：王慧;A·朱;A·格拉贝 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/321
摘要：一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。将第一浆液施加到所述半导体晶片且对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑。将第二浆液施加到所述半导体晶片。所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。

一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法-202210278226.2
发明人：贾会静;康劲;王辰伟;姚宇;盛元慧;刘启旭;罗翀 -专利权人：康劲
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提出了一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法，涉及化学机械抛光领域。一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法，包括如下步骤：将抛光液加入抛光机中，在抛光头转速为55‑115r/min、抛光盘转速为66‑125r/min条件下对晶圆进行抛光。本发明在该条件下进行抛光，可以控制晶圆表层的杂质去除速率，有效对晶圆表面平坦化处理，使得晶圆表层抛光效果良好，提高产品的成品率和质量。本发明通过在这种抛光液CMP过程中随着转速的变化，铜和介质的速率变化趋势不同，从而实现了通过改变抛光液的不同转速，得到不同铜与介质速率，以及铜和介质的选择比。

具有HKMG的PMOS的制造方法-202210235457.5
发明人：王诗昊;王莎莎;席晓阳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的PMOS的制造方法，PMOS的栅极结构形成步骤包括：步骤一、形成栅介质层；步骤二、生长P型功函数金属层，生长的所述P型功函数金属层为多晶结构；步骤三、进行退火处理使P型功函数金属层的多晶结构的晶粒互相结合以减少多晶结构的晶粒数量并从而增加对金属导电材料层的金属扩散的阻挡作用；步骤四、形成顶部阻挡层；步骤五、形成金属导电材料层。本发明能减少金属导电材料层的金属向下扩散并使器件的阈值电压保持稳定。

一种晶圆表面的化学机械研磨方法-202110586108.3
发明人：黄清波;朱文渊;周雪梅;潘代强 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供一种晶圆表面的化学机械研磨方法，所述化学机械研磨方法包括以下步骤：(1)对晶圆表面进行第一研磨，去除晶圆沟槽上的铜主体；(2)对步骤(1)所得晶圆表面进行第二研磨，去除晶圆沟槽上的铜残留；(3)对步骤(2)所得晶圆表面进行过抛处理，减小蝶形缺陷的深度；(4)对步骤(3)所得晶圆表面进行第三研磨，将晶圆沟槽上的氧化层减薄至设定厚度。本发明提供的方法有效地减小了金属铜的蝶形缺陷深度，进一步提升了晶圆表面的平坦化程度，同时提升了研磨效率，增加了机台产能。

激光处理ITO薄膜的方法-202011625761.8
发明人：谷全超;章磊;罗闻 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供一种激光处理ITO薄膜的方法。所述方法利用激光束照射ITO薄膜进行激光退火，所述激光束的波长为355nm，所述激光束的能量密度范围为56mJ/cm2～132mJ/cm2。采用该方法，能够实现降低ITO薄膜的方阻的目的，以满足工艺需求，而且，由于采用的是激光波长不是相对昂贵的短波长(如308nm以下)，激光器的成本较低，便于推广使用。

膜层的图形化方法及半导体器件的制备方法-202210229014.5
发明人：李翔;谢志平;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供了一种膜层的图形化方法及半导体器件的制备方法。在膜层的图形化方法中，通过光刻胶层的掩模对薄膜材料层中需要保留的部分进行等离子体表面处理，以使该部分的顶表面被钝化而形成钝化层，从而可利用形成的钝化层保护其下方的薄膜材料不会被去除，实现膜层的图形化效果。本发明提供的图形化方法，可有效改善光刻胶残留的问题，减少图形化工艺所带来的缺陷，并且工艺简单，实现了对图形化工艺的进一步优化。

一种平坦化反刻方法-201911250771.5
发明人：何喜炘;江栋 -专利权人：福建福顺微电子有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/321
摘要：一种平坦化反刻方法，包括如下步骤，在硅片表面先沉积牺牲层，牺牲层的厚度高于硅片上最大台阶高度，然后涂覆光阻材料层，进行第一步腐蚀步骤，蚀刻光阻材料层至牺牲氧化层最高处，进行第二步腐蚀步骤，蚀刻剩余光阻材料层及牺牲层，蚀刻光阻材料层和牺牲层的速率比为1。上述方案通过二次腐蚀并相应调整速率及腐蚀厚度，最终达到更好地平坦化电路板的目的。

RuO4-202080068040.3
发明人：佐藤伴光;吉川由树;下田享史;根岸贵幸 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供一种RuO4气体的产生抑制剂、以及抑制RuO4气体的方法，所述RuO4气体的产生抑制剂在半导体元件的制造工序中使用，抑制使包含钌的半导体晶片与处理液接触时产生的RuO4气体。具体而言，本发明提供一种抑制剂，其为用于在半导体形成工序中抑制使包含钌的半导体晶片与处理液接触时产生的RuO4气体的RuO4气体的产生抑制剂，所述抑制剂包含由鎓离子和含溴的离子构成的鎓盐。此外，提供一种通过对在半导体形成工序中使用的钌处理液或含钌的液体添加该抑制剂而抑制产生的RuO4气体的方法。

具有包括抗反射涂层的电介质层的集成电路-202080067510.4
发明人： P·费尔南德斯;D·M·库伦;S·A·梅斯纳;B·斯里尼瓦桑;G·S·马图尔;S·W·杰森;S·C·张;R·D·菲尔兹;T·T·林奇 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/321
摘要：在一些示例中，一种集成电路包括：衬底；位于衬底上方的第一金属层(104)和第二金属层(123)；位于第一金属层上的第一复合电介质层(15)，其中第一复合电介质层包括第一抗反射涂层(108)；位于第二金属层上的第二复合电介质层(35)，其中第二复合电介质层包括第二抗反射涂层(132)；以及设置在第一复合电介质层之上的电容器金属层(114)。

一种硅晶片的加工方法-201910370674.3
发明人：吕丽英;吴伟昌;黎家健 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供了一种硅晶片的加工方法，包括如下步骤：制备由硅衬底和硬掩膜层叠形成的硅晶片基材；在所述硬掩膜上形成开口；对暴露于所述开口的所述硅衬底进行氧化反应，消耗所述硅衬底氧化生成底部嵌于所述硅衬底内、顶部凸露于所述硬掩膜外的氧化层；将所述氧化层之凸出于所述硬掩膜外的部分去除，使得所述硬掩膜和氧化层形成的表面为第一水平面，在所述第一水平面上沉积结构层，去除所述氧化层以在所述硅衬底上形成腔体。本发明使得氧化层与硬掩膜形成的平面平坦，即使是大型结构也没有凹陷缺陷，简化了腔体形成的平面化方法，且可基于特定硅衬底上的氧化速率精确控制腔体的形状和深度。

用于平坦化旋涂膜和CVD沉积有机膜的方法-202080051601.9
发明人：丹尼尔·富尔福德;约迪·格热希科维亚克;安东·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本披露内容涉及用于通过放大和控制z高度技术来平坦化衬底的技术和方法。可以针对每个器件对z高度的可变性进行建模或测量。然后可以在衬底上形成和加工相对高度图案。通过使用具有不同蚀刻速率的不同材料，可以将平坦化图案转移到该衬底或系统来形成平坦化的衬底表面以改进光刻。此外，可以使用相同的方法精确控制过渡区斜率。

一种沟槽工艺洗边宽度的优化方法、装置、介质及器件-202111354067.1
发明人：赵春山;康柏;张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种沟槽工艺洗边宽度的优化方法，通过获取沟槽工件的第一工艺数据，得到优化处理的初始条件或初始值，实现对相关系统或装置的初始化；相关实施例通过调整DTI显影洗边宽度来降低钨CMP过程中晶圆边缘剥落的概率，从而有效减少钨剥落缺陷；本发明实施例在不涉及设备更换和生产线更新的前提下，仅在原有设备和工艺基础上优化了工艺，大幅降低了BSI工艺缺陷数量，使得芯片良率得到显著改善。

光催化辅助的钨化学机械抛光组合物及抛光方法-202111260053.3
发明人：姜鉴哲;王晗笑;宋英英;张琳;付聚三 -专利权人：博力思（天津）电子科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明为光催化辅助的钨化学机械抛光组合物及抛光方法，包括：包含钨和电介质的衬底；以二氧化钛作为磨料，不添加氧化剂的抛光组合物；具有抛光表面的化学机械抛光垫；紫外光源；化学机械抛光垫与衬底之间的界面处产生动态接触，在紫外光照射下，将上述抛光组合物分配到化学机械抛光垫与衬底之间的界面处或附近的化学机械抛光表面上进行抛光。该抛光组合物中不含氧化剂，以二氧化钛作为磨料，该抛光方法在不添加金属离子的同时保证钨的抛光速率，污染更少。本申请为钨抛光提供了一种新的思路。

一种半导体器件的制造方法-202111075633.5
发明人：魏禹农;方超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括多个第一目标区域和至少一个第二目标区域，多个第一目标区域由至少一个第二目标区域划分，第一目标区域的上表面高于第二目标区域的上表面；在半导体结构上形成填充材料层；对填充材料层进行平坦化处理；在半导体结构上形成图案化的光刻胶层，并通过图案化的光刻胶层对第一目标区域进行刻蚀。上述方法中，对填充材料层进行平坦化处理，在利用填充材料将第二目标区域填充的基础上，使得第一目标区域的上表面与第二目标区域的上表面平齐，减少因第一目标区域与第二目标区域之间的高度差对后续工艺造成的不良影响，以提高半导体制造工艺的稳定性。

用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法-201680030931.3
发明人： G·D·张;M·S·克鲁克斯;T·M·拉根 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/321
摘要：一种处理半导体晶片的方法包括在半导体晶片上沉积硅层。所述硅层具有基本均匀的厚度。所述硅层被抛光以平滑化所述硅层，以使得所述厚度在抛光后基本均匀。

半导体装置的制造方法-201810438880.9
发明人：龚俊豪;陈科维;蔡晴翔;廖高锋;陈东楷;池芳仪;黄惠琪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/321
摘要：在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。

一种去除半导体器件表面钨残留的方法-202011194089.1
发明人：陶友飞;陆金;吴正泉 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种去除半导体器件表面钨残留的方法。该方法包括下述步骤：(1)将钨淀积后的半导体器件经钨回刻工艺，得半导体器件A；其中：所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度为A，所述钨回刻工艺去除的钨层厚度为B，所述B为所述A的40‑60％；(2)将步骤(1)中所述半导体器件A经化学机械抛光处理，去除所述半导体器件表面剩余的钨，即可。本发明的方法可以减少钨在晶圆上的余量，降低器件表面钨残留风险；大大提高钨化学机械抛光的效率，降低抛光时间，提高工艺稳定性，降低耗材成本。

半导体装置的制造方法-202080007255.4
发明人：吉备和雄;藤田滋继;铃木健二;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液有效

专利文献下载