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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]共形硅锗膜沉积-CN202180090595.2在审
发明人： 王慧圆;S·S·罗伊;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：描述了在基板上沉积硅锗膜的方法。所述方法包括将基板暴露于硅前驱物和锗前驱物，以形成共形硅锗膜。所述基板包括至少一个膜叠层和至少一个特征，所述膜叠层包括硅和硅锗的交替层。硅锗膜具有大于50％的共形度。
共形硅锗膜沉积

[发明专利]无缺陷氧化锗缝隙填充-CN202180082154.8在审
发明人： 王慧圆;S·S·罗伊;越泽武仁;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了用于形成包括氧化锗的无缺陷缝隙填充材料的方法。在一些实施例中，通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物与氧化剂来沉积缝隙填充材料。锗烷前驱物可间歇地流动。基板还可暴露于第二氧化剂以增加缝隙填充材料内氧的相对浓度。
缺陷氧化缝隙填充

[发明专利]超保形氧化锗膜-CN202180082876.3在审
发明人： 王慧圆;S·S·罗伊;越泽武仁;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。
超保形氧化

[发明专利]低应力含硼层的沉积-CN202180062366.X在审
发明人： 王慧圆;R·库斯特拉;戚波;A·B·玛里克;K·阿拉亚瓦里;J·D·平松 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料，其中基板的特征在于：低于或约50℃的温度。沉积态含硼材料可以特征在于：小于或约2nm的表面粗糙度，以及小于或约‑500MPa的应力水平。在一些实施例中，含硼材料的层可用作硬模。
应力含硼层沉积

[发明专利]针对锗的扩散阻挡层-CN202180055191.X在审
发明人： 王慧圆;S·S·罗伊;T·越泽;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。
针对扩散阻挡

[发明专利]低应力含碳层的沉积-CN202180062270.3在审
发明人： 王慧圆;R·库斯特拉;戚波;A·B·玛里克;K·阿拉亚瓦里;J·D·平松 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本技术的示例包括半导体处理方法，该方法在基板处理腔室的基板处理区域中提供基板，其中基板维持在低于或约50℃的温度。可将惰性前驱物和含烃前驱物流入基板处理腔室的基板处理区域内，其中惰性前驱物对含烃前驱物的流速比可为大于或约10:1。可从惰性前驱物和含烃前驱物产生等离子体，并且可由等离子体在基板上沉积含碳材料。含碳材料可包括类钻石碳，并且可具有大于或约60％的具有sp3杂化键的碳原子。
应力含碳层沉积

[发明专利]锗的选择性沉积-CN202180063959.8在审
发明人： 王慧圆;S·S·罗伊;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于选择性沉积含锗膜的方法。本公开的一些实施例提供在裸硅上沉积而在氧化硅表面上几乎不沉积或不沉积。本公开的一些实施例提供在沟槽侧壁上的共形膜。本公开的一些实施例提供不具有缝隙或空洞的优越间隙填充。
选择性沉积

[实用新型]一种市政工程道路警示装置-CN202123158901.8有效
发明人： 王慧圆 -专利权人：惠州市仲恺城发建筑市政工程有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： E01F9/608 文献下载
摘要：本实用新型涉及工程设施技术领域，具体为一种市政工程道路警示装置，包括防尘板，还包括壳体，壳体的左侧内壁和右侧内壁之间转动连接有转轴，转轴上固定连接有两个第一齿轮，防尘板的前端滑动连接在壳体的前侧内壁上，并且防尘板的左右两侧均固定连接有齿条，齿条与第一齿轮啮合，壳体的顶端开设有通孔，壳体的左侧内壁和右侧内壁上均转动连接有转杆，转杆的另一端转动连接有挡板，并且挡板的底端与壳体的内底壁固定连接，转杆上固定连接有垂直锥形齿轮，在其使用时能够随使用场景自由控制升降，提示效果更佳适用场景更加的全面，在固定时，能够将锥筒插入地面，更佳牢固的稳定住该装置，无论是纵向还是横向都不易倾倒，实用性更高。
一种市政工程道路警示装置

[发明专利]用于蚀刻临界尺寸控制的非共形高选择性膜-CN202080068046.0在审
发明人： B·齐;王慧圆;Y·饶;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：说明一种在半导体装置中用于蚀刻方法的非共形、高选择性衬垫。一种方法包括在基板上形成膜堆叠；蚀刻膜堆叠以形成开口；在开口中沉积非共形衬垫；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；以及相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠以形成逻辑或存储器孔洞。非共形衬垫包括硼、碳或氮中的一者或多者。
用于蚀刻临界尺寸控制非共形高选择性

[实用新型]一种市政工程用的复合排水管-CN202121979451.6有效
发明人：信玉;张文静;李其昭;张灿璨;王慧圆 -专利权人： 王慧圆
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B08B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种市政工程用的复合排水管，属于市政工程技术领域。一种市政工程用的复合排水管，包括管体，管体左右中部顶面贯穿连接有出水管，出水管上端外壁安装有密封盖，出水管内侧设有把手，把手中部底面转动连接有转轴，转轴上端外壁套接有叶轮，转轴中部外壁焊接有滤板，滤板下方设有隔板，管体左右两端内部设有清理组件，通过设置刮板，当通过出水口进行使用管体内的水时，会带动叶轮转动，从而带动转轴上的刮板转动，可以有效的对滤板进行清理，避免了频繁的将滤网取下进行清理，省时省力，同时半圆形的滤网便于污物的聚集。
一种市政工程复合排水管

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