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[发明专利]经掺杂的氧化硅的热沉积-CN202280011443.3在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。所述方法可以包括使含硅前驱物、含氧前驱物和含碳前驱物在低于约650℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅氧碳层。
掺杂氧化沉积

[发明专利]低k碳氮化硼膜-CN202280013114.2在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硼和碳和氮的前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括生成含硼和碳和氮的前驱物的电容耦合等离子体。所述方法可包括在基板上形成含硼和碳和氮的层。所述含硼和碳和氮的层可由低于3.5或约为3.5的介电常数表征。
氮化

[发明专利]一种地质工程用取土设备-CN202310709618.4在审
发明人：王彤;苑立志;戚波;王彪;刘莉莎 -专利权人：长春工程学院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明公开了土壤检测技术领域的一种地质工程用取土设备，包括机架、发电机和气泵，机架上侧固定连接有横梁，横梁上设有推送组件，推送组件通过钻杆连接有取土钻；取土钻包括机壳，机壳下端固定连接有钻头，钻头的尖端由透明金刚石制成，钻头内设有激光测距仪，激光测距仪位于透明金刚石上侧，机壳内固定连接有支架，支架上固定连接有若干气缸，气缸的活塞杆上固定连接有上侧开口的收集盒，机壳上表面与钻杆固定连接；钻杆上套设有若干隔层环，隔层环内侧均固定连接有电磁铁，隔层环外侧均固定连接有气囊，气囊均通过气管与气泵连通。采用本发明的技术方案，能够对钻孔进行分层隔离，减少沙土掉落对土壤采集的影响。
一种地质工程用取土设备

[发明专利]翼展式艉部轴承壳体的锻造成形方法-CN202110974951.9有效
发明人：熊武;林晨;于海娟;段来山;肖海生;邹泉;耿德明;鲁桥;刘秀环;张广森;白玉;戚波;疏舒 -专利权人：武汉重工铸锻有限责任公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B21K1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种翼展式异形艉部轴承壳体的锻造成形方法，解决了现有异形轴承壳体生产周期长、耗材大、质量不佳的问题。本发明将钢锭拔长成椭圆形坯料，然再经坯料镦粗、冲孔和拔长成形而成，其中拔长成形步骤中，用拔长芯棒配合平砧将所述椭圆形空心坯料拔长成不等边六方体坯料；不等边六方体坯料两端用号印砧分别号印出法兰，拔长芯棒配合平砧继续沿轴向拔长开档各六方面，然后将法兰由六边形压至圆形；V型砧成型开档厚度，将厚度方向精整至工艺尺寸，然后换平砧将开档宽度方向精整至工艺尺寸，最后用平砧将两端法兰直径精整至工艺尺寸。本发明方法工艺简单、适应性好、可锻造成型异形艉部轴承壳体的翼展式开档、加工周期短、锻件质量好。
翼展式艉部轴承壳体锻造成形方法

[发明专利]无缺陷氧化锗缝隙填充-CN202180082154.8在审
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;越泽武仁;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了用于形成包括氧化锗的无缺陷缝隙填充材料的方法。在一些实施例中，通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物与氧化剂来沉积缝隙填充材料。锗烷前驱物可间歇地流动。基板还可暴露于第二氧化剂以增加缝隙填充材料内氧的相对浓度。
缺陷氧化缝隙填充

[发明专利]超保形氧化锗膜-CN202180082876.3在审
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;越泽武仁;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。
超保形氧化

[实用新型]一种出版业展示平台-CN202223262959.1有效
发明人：王雷;戚波 -专利权人：安徽省（水利部淮河水利委员会）水利科学研究院（安徽省水利工程质量检测中心站）
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： A47F5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种出版业展示平台，包括侧台架与展示柜体，所述展示柜体为一矩形箱柜且其底端装有用于移动的行走轮，展示柜体前侧设有一供出版书籍展示的收纳腔，该收纳腔前端开口，收纳腔中间设有一主隔板，主隔板沿其垂直方向依次装有多个分隔板，多个分隔板与主隔板、展示柜体形成多个书籍展示室；所述侧台架包括挂装板、螺纹支杆、螺纹套、台架板与刊类书籍固定架，其中挂装板通过螺钉固定在展示柜体顶侧，挂装板上通过支架焊连有两螺纹支杆；所述台架板设有多层且其间隔套装于螺纹支杆上，多层台架板用于承托刊类书籍固定架。本实用新型集书籍展示台架与期刊类展示架于一体，占用空间小，使用更加方便、简洁。
一种出版业展示平台

[发明专利]共形氧化硅膜沉积-CN202180071902.2在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：描述了在基板上沉积含硅膜的方法。所述方法包括将处理腔室加热至大于或等于200℃的温度；将处理腔室维持在小于或等于300托的压力；将硅前驱物与氧化亚氮(N2O)共同流入处理腔室；以及在基板上沉积共形含硅膜。含硅膜具有在从约3.8至约4.0的范围内的介电常数(k值)，具有在1mA/cm2的漏电流下的大于8MV/cm的击穿电压，并且具有在2MV/cm下的小于1nA/cm2的漏电流。
氧化沉积

[实用新型]一种力学测试夹具-CN202320689485.4有效
发明人：翟梁皓;荀杨;吴景华;谢俊革;刘华南;戚波;杜兆成;高成梁 -专利权人：长春工程学院
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种力学测试夹具，包括底座，所述底座的顶部安装有夹持组件，所述夹持组件包括夹板一和夹板二，所述底座上安装有施压组件，所述施压组件包括丝杆和电机，所述底座的内侧安装有压力保持组件，所述压力保持组件包括滑块和弹簧一，所述底座上安装有压力指示组件，所述压力指示组件包括按钮和指示灯，该力学测试夹具能够根据指示灯的关闭数量来控制夹力的大小，当按钮一、按钮二和按钮三全部被触发后，电机不再转动，避免产品被压坏，方便进行不同产品的力学测试的夹持工作，夹板一和夹板二通过弹簧一在滑块的限位下同步震动，并保持夹板一和夹板二对产品的夹力，保障夹持固定的稳定性，适用于力学测试件的夹持固定使用。
一种力学测试夹具

[发明专利]低应力含硼层的沉积-CN202180062366.X在审
发明人：王慧圆;R·库斯特拉;戚波;A·B·玛里克;K·阿拉亚瓦里;J·D·平松 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料，其中基板的特征在于：低于或约50℃的温度。沉积态含硼材料可以特征在于：小于或约2nm的表面粗糙度，以及小于或约‑500MPa的应力水平。在一些实施例中，含硼材料的层可用作硬模。
应力含硼层沉积

[发明专利]掺杂半导体膜-CN202180069574.2在审
发明人： A·爱丁;程睿;杨毅;K·尼塔拉;K·嘉纳基拉曼;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。
掺杂半导体

[发明专利]针对锗的扩散阻挡层-CN202180055191.X在审
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;T·越泽;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。
针对扩散阻挡

[发明专利]低应力含碳层的沉积-CN202180062270.3在审
发明人：王慧圆;R·库斯特拉;戚波;A·B·玛里克;K·阿拉亚瓦里;J·D·平松 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本技术的示例包括半导体处理方法，该方法在基板处理腔室的基板处理区域中提供基板，其中基板维持在低于或约50℃的温度。可将惰性前驱物和含烃前驱物流入基板处理腔室的基板处理区域内，其中惰性前驱物对含烃前驱物的流速比可为大于或约10:1。可从惰性前驱物和含烃前驱物产生等离子体，并且可由等离子体在基板上沉积含碳材料。含碳材料可包括类钻石碳，并且可具有大于或约60％的具有sp3杂化键的碳原子。
应力含碳层沉积

[发明专利]HDP牺牲碳间隙填充-CN202180071054.5在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了用碳间隙填充来填充基板特征同时留有孔隙的方法。所述方法包括以下步骤：使工艺气体流入高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)腔室，所述腔室容纳具有至少一个特征的基板，工艺气体包含烃反应物；生成等离子体；以及沉积碳膜。
hdp 牺牲间隙填充

[发明专利]一种成型曲柄拐颈圆弧面及斜面的方法-CN202310088864.2在审
发明人：熊武;林晨;于海娟;耿德明;白玉;段来山;蒲徐明;鲁桥;肖海生;戚波 -专利权人：武汉重工铸锻有限责任公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B21J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成型曲柄拐颈圆弧面及斜面的方法，将六棱柱坯料放入U型砧中，压机下行用平砧压六棱柱坯料，六棱柱坯料在U型砧中成型为U形坯料；U形坯料成形后，将U型砧换成V型凸砧，U型坯料的圆弧面与V型凸砧的梯形凸台接触，平砧压U型坯料的平面形成曲柄锻件两侧的斜面；压完曲柄锻件两侧斜面后，将V型凸砧换成平砧，再用平砧压出两侧的拐臂，成形两侧带拐臂的曲柄坯料。保证大马力低速柴油机曲轴用曲柄的拐颈端部外形的成型，使曲柄拐颈端部的外形更加接近精加工外形，大大提高了曲柄的端部及拐颈质量，同时大大降低了曲柄的原材料成本；另外，不同规格的曲柄坯料只需换不同的U型砧，V型凸砧可以共用，降低模具成本。
一种成型曲柄圆弧斜面方法

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