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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]添加剂进料系统、拉锭器设备及使用添加剂进料系统形成单晶硅锭的方法-CN202180091522.5在审
发明人： M·扎尔多尼;G·扎戈;G·阿戈斯蒂尼;S·哈林格;J·依欧夫 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于将至少两种不同添加剂供给到安置于拉锭器设备的坩埚内的硅的添加剂进料系统。所述添加剂进料系统可包含被引起振动以将第一或第二添加剂从所述添加剂存储在其中的罐移动到其中感测添加到容器的第一或第二添加剂的量的另一容器的第一及第二进料盘。所述添加剂从所述容器排放到所述添加剂通过其进入所述坩埚的添加剂进料管中。
添加剂进料系统拉锭器设备使用形成单晶硅方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202211696459.0在审
发明人：曹正翰;蔡佳琪 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括碳化硅线路板、氮化镓装置以及硅集成电路装置。碳化硅线路板包括碳化硅衬底以及位于碳化硅衬底上方的电路结构。氮化镓装置包括蓝宝石衬底、位于所述蓝宝石衬底上的氮化镓元件以及位于所述氮化镓元件上的第一重布线结构。硅集成电路装置包括硅衬底、位于硅衬底上的场效晶体管元件以及位于场效晶体管元件上的第二重布线结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310016507.5在审
发明人：林伯融;刘嘉哲 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括碳化硅衬底、成核层以及氮化镓层。碳化硅衬底具有第一厚度T1。成核层位于碳化硅衬底上且具有第二厚度T2。成核层由氮化铝镓所构成，且第二厚度T2为符合T1*0.002％至T1*0.006％的范围内的厚度。氮化镓层位于成核层上且与碳化硅衬底间隔开。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]外延结构-CN202010447738.8有效
发明人：刘嘉哲;施英汝 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构，包括：基板、缓冲层、背面扩散阻挡层、形成在背面扩散阻挡层上的通道层以及形成在通道层上的阻挡层。缓冲层形成在基板上。背面扩散阻挡层形成在缓冲层上，背面扩散阻挡层的化学组成为AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≦x≦1且0≦y≦1，背面扩散阻挡层的晶格常数在#imgabs0#之间。背面扩散阻挡层于厚度方向上由多个区域组成，且背面扩散阻挡层的铝含量与铟含量沿厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化。背面扩散阻挡层还包括碳，且碳浓度沿厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化。
外延结构

[发明专利]捕获拉晶器的区域的瞬时热反应的方法及系统-CN202280015000.1在审
发明人：陆征;陈智勇;曾贤达;S·S·巴加瓦特;V·哈拉扎德 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于生产硅锭的系统，所述系统包含拉晶器、高温计、红外线(IR)摄像机及控制器。所述拉晶器包含具有一或多个组件的热区域，且从所述区域中可拉出硅锭。所述高温计经定位以查看在所述热区域内的受关注区域。所述IR摄像机经定位以查看在所述热区域内的一或多个额外受关注区域。所述控制器经连接到所述拉晶器、所述高温计及所述IR摄像机。所述控制器经编程以控制所述拉晶器生产硅锭，在生产所述硅锭时从所述高温计接收热区域内的所述受关注区域的温度数据，且在生产所述硅锭时从所述IR摄像机接收一或多个额外受关注区域的IR图像。
捕获拉晶器区域瞬时反应方法系统

[发明专利]用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置-CN201810287918.7有效
发明人： R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿尔布雷克特 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置。公开了用于制备具有降低的应变的异质结构的装置和方法。所述异质结构包括半导体结构，所述半导体结构顺应具有与所述结构不同的晶格常数的表面层以形成相对低的缺陷的异质结构。
用于制备具有通过径向压缩降低应变结构方法装置

[发明专利]使半导体表面平整的制造方法-CN201680079658.3有效
发明人：王刚;C·R·洛泰斯;S·奎斯金 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供一种用于制备包括具有平整表面的装置层的半导体结构例如绝缘体上半导体结构的方法。所述所提供方法涉及通过在高温下使用应力增强表面扩散而使半导体衬底表面平整。此方法的目的是达到原子级表面平整度(例如，如根据在30um X 30um AFM测量内的均方根测量的1.0与1.5埃之间的范围中的平整度)，其在先进(亚28nm)CMOS装置制造中是所需的。
半导体表面平整制造方法

[发明专利]具有其中包含空隙的热屏蔽的拉锭器设备-CN202180088011.8在审
发明人：柯佳颖;S·S·巴加瓦特;J·柳;B·迈耶;W·卢特尔;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：公开用于通过丘克拉斯基方法制备单晶硅锭的拉锭器设备。所述拉锭器设备包含热屏蔽。所述热屏蔽具有腿片段，所述腿片段包含安置于所述腿片段中的空隙(即，无隔热件的开放空间)。所述热屏蔽还可包含部分在所述热屏蔽内的隔热件。
具有其中包含空隙屏蔽拉锭器设备

[发明专利]高电子迁移率晶体管结构及其制造方法-CN202211168331.7在审
发明人：林伯融;刘嘉哲 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管改良结构包括有一基板、一氮化物成核层、一氮化物缓冲层、一氮化物通道层及一阻障层，所述氮化物缓冲层包含金属掺杂物；所述氮化物通道层相较于所述氮化物缓冲层具有较低的金属掺杂浓度；一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述氮化物通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度X定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层的厚度Y的单位为微米(μm)且满足：Y≤(0.2171)ln(X)‑8.34，以降低金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构。
电子迁移率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管结构及其制造方法-CN202211168336.X在审
发明人：林伯融;刘嘉哲 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管改良结构，依序包含：一基板、一成核层、一缓冲层、一通道层及一阻障层；所述缓冲层包含一掺杂物；相较于所述缓冲层，所述通道层具有较低的所述掺杂物掺杂浓度；一二维电子气体沿所述通道层与所述阻障层间的界面形成于所述通道层中；所述通道层于所述通道层与所述阻障层间的界面处的所述掺杂物掺杂浓度大于或等于1×1015cm‑3。
电子迁移率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]晶圆承载装置-CN202211168150.4在审
发明人：曹正翰;吴翰宗 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种晶圆承载装置，包含一晶圆承载盘，所述晶圆承载盘包括一主盘与多个子盘，其中，所述主盘具有一第一上表面、一第一下表面与多个容槽，各所述容槽于所述第一上表面形成有一上开口；各所述子盘具有一承载槽，所述承载槽供放置晶圆，各所述子盘自各所述上开口置入各所述容槽中。从而，所述多个子盘可自所述主盘上拆离。
承载装置

[发明专利]使用汽化掺杂物生产单晶硅锭的系统及方法-CN202180092005.X在审
发明人：吴雨樵;W·L·卢特尔;R·J·菲利普斯;J·D·依欧夫 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开用于掺杂从拉锭设备内容置的硅熔体中拉出的单晶硅锭的系统及方法。所述拉锭设备包含界定室的外壳、安置于所述室内的坩埚及延伸到所述外壳的掺杂物注射器。所述方法包含加热汽化杯及将所述外壳的内部的压力保持在第一压力。所述方法进一步包含将液体掺杂物注射到所述汽化杯。所述液体掺杂物的压力在注射前保持在大于所述第一压力的第二压力。所述方法还包含：通过使用所述汽化杯加热所述液体掺杂物及通过将所述液体掺杂物注射到所述外壳而将所述液体掺杂物的所述压力从所述第二压力降低到所述第一压力来汽化所述液体掺杂物；及将所述汽化掺杂物引导到所述外壳。
使用汽化掺杂生产单晶硅系统方法

[发明专利]在单晶硅锭生长期间使用缓冲剂-CN202180092003.0在审
发明人： M·潘诺基亚;F·马尔凯塞;J·霍外基特 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开用于通过连续直拉法(CCz)来生产单晶硅锭的方法。在锭的主体生长之前，一批缓冲剂(例如石英碎玻璃)经添加到坩埚组合件的外熔体区。在一些实施例中，添加到熔体的所述一批缓冲剂的质量M与将所述一批缓冲剂添加到所述熔体和所述锭主体开始生长之间的时间的比率经控制，使得所述M/T比率大于阈值M/T。
单晶硅生长期间使用缓冲剂

[发明专利]用于半导体晶片反应器中的预热环的系统及方法-CN202180091365.8在审
发明人：胡杰;涂俊钦 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种反应装置，其包含上圆顶、下圆顶、上衬垫、下衬垫及预热环。所述上圆顶及所述下圆顶界定反应室。所述预热环定位于所述反应室内用于使处理气体在接触半导体晶片之前加热。所述预热环附接到所述下衬垫的内圆周。所述预热环包含环形碟及边缘杆。所述环形碟具有内边缘、外边缘、第一侧及与所述第一侧对置的第二侧。所述内边缘与所述外边缘之间界定径向距离。所述边缘杆定位于所述第一侧上且从所述外边缘朝向所述内边缘延伸边缘杆径向厚度。所述径向距离大于所述边缘杆径向厚度。
用于半导体晶片反应器中的预热系统方法

[发明专利]分割系统、可安装的分割监视系统及用于分开经接合晶片结构的方法-CN201880008202.7有效
发明人： J·S·凯泽;J·F·瓦利;J·D·依欧夫 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示用于分开经接合晶片结构的分割系统、可安装的分割监视系统及用于分开经接合晶片结构的方法。在一些实施例中，感测在分割期间从经接合晶片结构发出的声音且产生有关于分割的属性的度量。所产生的度量可用于质量控制及/或调整分割控制参数以改进随后经分割的经接合晶片结构的分割的质量。
分割系统安装监视用于分开接合晶片结构方法

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