专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]直接型电子探测器-CN202210412752.3在审
  • 胡立磊;张力;罗浒;任嘉莹;张旭;陈昌 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型电子探测器,包括:半导体叠层结构及外围信号测量电路;半导体叠层结构由下向上依次包括:第一半导体层、第二半导体层、本征层及第三半导体层;第一半导体层为第一掺杂类型,第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型;第三半导体层及本征层形成电子吸收区,第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区;外围信号测量电路包括电阻及计数器;半导体叠层结构倒装并与外围信号测量电路焊接在一起,其中电阻与第一半导体层电连接,以实现外围信号测量电路对电信号的计数测量。通过设置雪崩区可有效实现对入射电子的雪崩倍增,提高探测灵敏度;通过减小本征层的厚度,提高探测器信号读取速度。
  • 直接电子探测器
  • [发明专利]浅结深低能量电子探测器-CN202210412765.0在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;孟祥卫;罗浒;任嘉莹;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L31/105
  • 本发明提供一种浅结深低能量电子探测器,包括:硅衬底;第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层,分别形成于硅衬底的第一面和第二面,以钝化硅衬底的第一面和第二面;P型非晶硅层和N型非晶硅层,分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上;保护环结构,自P型非晶硅层朝硅衬底延伸;阻挡层,形成于P型非晶硅层上,阻挡层中形成有窗口,通过窗口定义电子探测器的探测区域;网格状电极,形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复,钝化不饱和化学键,从而提高表面载流子寿命,可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题,提高对低能量电子的探测效率。
  • 浅结深低能量电子探测器
  • [发明专利]直接型电子探测器-CN202210411536.7在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型电子探测器,包括:半导体叠层结构及外围信号测量电路;半导体叠层结构由下向上包括:半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层;第一半导体层形成于电阻层的凹槽中,第二半导体层形成于第一半导体层上,绝缘层形成于第二半导体层外侧,金属层形成于绝缘层外侧;电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型,第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型,第三半导体层及本征层形成电子吸收区,第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区;外围信号测量电路包括计数器;半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。
  • 直接电子探测器
  • [发明专利]探测器像素结构及电子探测器-CN202210405269.2在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;韩天雁;罗浒;任嘉莹;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种探测器像素结构及电子探测器。探测器像素结构包括半导体衬底、第一和第二导电类型重掺杂层、绝缘层、上电极、下电极、电子通道孔电极、金属保护环及掺杂环;掺杂环位于半导体衬底内,且位于第一导电类型重掺杂层的外侧,并显露于半导体衬底的第一表面;绝缘层自非探测区域表面延伸到半导体衬底的表面,上电极自非探测区域表面延伸到绝缘层的表面;电子通道孔电极位于半导体衬底的侧壁,且一端与下电极电连接,另一端延伸到绝缘层的侧面,金属保护环位于半导体衬底的表面,且位于上电极的外侧。本发明可以有效避免因电子束传播方向发生偏移而导致的图像发生畸变的情况,可降低探测器的漏电流,提高击穿电压,由此提高探测性能。
  • 探测器像素结构电子
  • [发明专利]金属薄膜图形的制造方法-CN202210359999.3在审
  • 季宇成;龚燕飞;陈朔;郭松;彭鑫林;冯刘昊东;王诗男 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2022-04-06 - 2023-10-24 - G03F7/20
  • 本申请提供一种金属薄膜图形的制造方法,包括:在基板表面沉积金属薄膜,在所述金属薄膜上面形成聚合物胶层,在所述聚合物胶层上面形成感光性光刻胶层;对所述感光性光刻胶进行曝光和显影,从而将所述感光性光刻胶图形化,形成第一刻蚀窗口,其中,在使用显影剂对所述感光性光刻胶进行显影时,从所述第一刻蚀窗口中露出的所述聚合物胶层被所述显影剂腐蚀以形成第二刻蚀窗口;以及对从所述第二刻蚀窗口暴露的所述金属薄膜进行刻蚀,以形成金属薄膜图形。根据本申请,使用光刻胶图形做掩膜,在聚合物胶层中形成刻蚀窗口,以该聚合物胶层中的刻蚀窗口作为掩膜,对金属薄膜进行刻蚀,从而形成金属薄膜图形,由此,能够改善金属薄膜侧壁粗糙度。
  • 金属薄膜图形制造方法
  • [发明专利]一种数字PCR系统及数字PCR液滴形成方法-CN201810916060.6有效
  • 吴炫烨;关一民 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2018-08-13 - 2023-09-22 - C12Q1/6851
  • 本发明提供一种数字PCR系统及数字PCR液滴形成方法,该数字PCR系统包括至少一个液滴形成组件及液滴喷孔组件,所述液滴形成组件包括至少一个液滴收集槽,所述液滴喷孔组件连接于所述液滴形成组件下方,包括若干液滴喷孔,所述液滴喷孔与所述液滴收集槽连通,且所述液滴喷孔内设有汽化部件,用于使所述液滴喷孔中的数字PCR溶液液体层汽化并快速推入所述液滴收集槽中的液滴形成油中,以形成数字PCR液滴。本发明使用热泡技术进行高速数字PCR液滴形成,可以实现大于1000个每秒的液滴形成速度,并具有高效的数字PCR油利用率。
  • 一种数字pcr系统形成方法
  • [发明专利]一种在基板中形成微细结构的方法及微细结构-CN201811160202.7有效
  • 王诗男 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2018-09-30 - 2023-09-15 - B81C1/00
  • 本申请提供一种在基板中形成微细结构的方法及微细结构,该方法包括:在基板的表面形成复数个孔洞,所述孔洞的横向尺寸为0.1‑5微米;以及将具有所述复数个孔洞的所述基板在氢气气氛中进行加热到预定温度的处理,通过所述处理,所述复数个孔洞在所述基板的内部互相连通形成空腔,并且,在所述基板的表面形成覆盖所述空腔的薄膜。根据本申请,能够使空腔的制造工艺比较简单、空腔形态容易控制,并且,由于空腔的背面有基板的保护,空腔上方的悬空微细结构不易受损伤,对微细结构的制造工艺和使用方式的限制减少。
  • 一种基板中形成微细结构方法
  • [发明专利]一种用于在集成电路版图中设置标识信息的方法及系统-CN201811583899.9有效
  • 李兆媛;林泽民;陈丹 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2018-12-24 - 2023-09-01 - G06F30/392
  • 本发明公开了一种用于在集成电路版图中设置标识信息的方法及系统,其中方法包括:获取待处理的集成电路版图的布局设计并进行图像识别处理,以确定所述待理处理的集成电路版图的布局设计所包括的能够用于容纳标识信息的多个空闲区域;对多个空闲区域中的每个空闲区域进行图形识别,以确定每个空闲区域的图形形状和区域信息;确定每个空闲区域所能容纳的字符的最大数量;确定所述字符集数据中所包括的字符的数量,在目标空闲区域内为字符集数据中的每个字符确定各自的目标位置;以及在待处理的集成电路版图的目标空闲区域内使用与标识信息相关联的层次数据,根据字符集数据中的每个字符各自的目标位置来生成标识信息。
  • 一种用于集成电路版图设置标识信息方法系统
  • [发明专利]深硅刻蚀设备及其组装方法-CN202210152759.6在审
  • 刘国峰 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2022-02-18 - 2023-08-29 - H01L21/67
  • 本发明提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法,设备包括:限位装置,限位装置包括一环形侧壁,环形侧壁顶部设有自环形侧壁顶面超环形侧壁内部凹陷的多个缺口,多个缺口间隔排布;深硅反应腔体,限位装置套设于深硅反应腔体的下部;法拉第屏蔽罩,环绕覆盖于深硅反应腔体的外壁,法拉第屏蔽罩的下边缘与限位装置的上边缘相接,限位装置的缺口显露深硅反应腔体的外壁;固定胶片,粘贴于法拉第屏蔽罩上以及缺口显露的深硅反应腔体的外壁上,以将法拉第屏蔽罩固定于深硅反应腔体上。本发明可避免深硅反应腔体下边缘损坏情况发生,降低备件消耗,降低生产成本,同时可简化安装,提高设备维护效率,提高生产效率。
  • 刻蚀设备及其组装方法

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