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[发明专利]一种基于MoS2-CN202110338872.9有效
发明人：王芳;梁安阁;张楷亮;张力方;单欣;林欣;胡凯;袁育杰 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种基于MoS2的全固态电解质忆阻器及其制备方法，属于电子制备工艺以及类脑计算领域，首先选用MoS2作为沟道材料，MoS2通过ALD和CVD相结合的方法来制备，选用锂盐作为固态电解质，使用磁控溅射的方法来制备固态电解质层，使用电子束蒸发和磁控溅射等方法来制备电极。通过栅端电场调制锂离子的嵌入和脱出改变二硫化钼的能带结构，同时源漏两端施加读取电压得到沟道电导的变化，使得忆阻器件具有良好的电导更新线性度和更低的操作功耗，可以应用于新一代神经形态计算。利用上述的器件结构已经制备出相应的全固态电解质忆阻器，在脉冲激励下，实现了良好的电导更新对称性和近98％的电导线性度，同时器件具有105以上的耐久性。
一种基于 mos base sub

[发明专利]基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法-CN202110333526.1有效
发明人： 张楷亮;单欣;王芳;胡凯;林欣;赵轩宇;吴泽宇;李微 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法，涉及微电子技术领域，包括上电极层、下电极层、功能层，功能层材料位于上电极层和下电极层之间。其中，所述功能层又由介质层I、介质层II、依次堆叠构成；所述介质层I为二维氧化钼(α‑MoO3)，介质层II为二维硫化钼(MoS2)的半导体材料。与现有技术相比，本发明通过叠层方式形成的自选通器件在不扩大占用面积的情况下，解决了交叉集成阵列中的串扰问题；介质层Ⅰ与介质层Ⅱ的堆叠结构实现了自选通性能，显示出良好的非线性特性，其非线性度可以达到105，微缩性极强，工艺简单，节约成本。
基于二维氧化钼硫化钼叠层结构自选器件及其制造方法

[发明专利]一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法-CN201910166030.2有效
发明人： 张楷亮;李闯;王芳;魏俊青;沈稼强;邸希超 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法，由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成，上下氧化钽层成分均为TaOx，其中2x2.5,氧化钽介质层厚度为10‑50nm，且上下氧化钽层厚度相同；黒砷磷介质层成分为b‑AsP，厚度为0.85‑10nm。本发明优点：1)该结构将新型二维材料黒砷磷引入阻变层，丰富了阻变存储中的介质层材料体系，拓展了二维黒砷磷的应用领域；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，工艺简单、成本低廉并且易于集成。
一种基于氧化二维黒砷磷三层异质阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种分布式光纤测温方法及其应用-CN202211388640.5在审
发明人：胡凯;徐晓毅;刘威德;刘雨;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01K11/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式光纤测温方法及其应用，涉及光纤传感技术、温度检测方法领域。所述的方法包括：利用光纤通道中采集到的两路反射光的光强,解析得到原始光强的位置和大小，再设计算法对温度误差，进行精度补偿，从而精确地测量出光纤上各点的温度值。本申请的方法采用距离动态补偿系数将测量反射光强和实际光强位置进行定位，通过测得的反射光强解调出原始光强，更精确地定位温度点变化。并且考虑工作环境影响，通过优化温度解调算法将工作环境影响进行补偿校正。
一种分布式光纤测温方法及其应用

[发明专利]一种无铅型高储能密度铁电薄膜的制备方法-CN202211045454.1在审
发明人：孙正;李响;孙彦纪;岳喜鹏;韩叶梅;谢杨杨;王芳;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种无铅型高储能密度铁电薄膜的制备方法。所述铁电薄膜是在Pt(111)/Ti/SiO2/Si复合衬底上沉积具有铁电效应的化学式为Ba(Zr0.35Ti0.65)O3(BZT35)的铁电薄膜，然后经高温管式炉退火制备而成，其中复合衬底自上而下分别为Pt，Ti，SiO2和Si。该铁电薄膜在室温下具有良好的介电、铁电和耐压性能，以及良好的频率稳定性，在退火温度为750℃的退火工艺下制得的薄膜获得最大击穿场强为3.67MV/cm，储能密度为55.99J/cm3，储能效率为92.12％。
一种无铅型高储能密度薄膜制备方法

[发明专利]一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统-CN201910454293.3有效
发明人：杨正春;李沛君;弭伟;吴健文;朱博;郭睿轩;伏特;朱云昊;李珍;赵金石;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，将压电传感器与忆阻器件相集成，使压力信号转变为电学信号，以此来驱动忆阻器件，完成数据的记录与存储。在压力发电片的输出端口设计保护电路，使外加的力学信号不至于将忆阻器件击穿。该智能数据存储系统工作时，不论记录、转换、擦除均不需再加外接电压。本发明开创性地将压电传感器与忆阻器集成为一个智能数据存储系统，由压电传感器与忆阻器相结合，并形成了初步应用，经过多次测试，系统稳定性较高，能适应多种环境，应用前景广阔。
一种基于压电传感器忆阻器智能数据存储系统

[发明专利]一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法-CN202111362156.0在审
发明人：韩叶梅;马美冰;尹鑫;曹海兴;孙正;王芳;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种基于BZT‑BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，存储单元以叠层结构的磁电薄膜为介质，外加电场改变铁电层的极化状态通过磁电耦合效应影响铁磁层的磁化状态而实现电场控制电阻状态，写入媒介是电场，存储媒介是铁磁层的电阻状态，电阻状态的改变基于BZT‑BCT和Fe65Co35之间的应力应变机制的磁电效应，本发明采用具有大压电系数的BZT‑BCT和大磁致伸缩效应的Fe65Co35叠层制备存储元件有利于电致电阻转变效应的获得，同传统的非易失性存储器相比，具有功耗小、读写速度快的优点。并且利用磁控溅射制备层状复合薄膜器件，工艺简单，与半导体工艺兼容。
一种基于 bzt bct 复合薄膜磁电存储元件及其制备方法

[发明专利]一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法-CN202111362349.6在审
发明人：韩叶梅;马美冰;尹鑫;曹海兴;孙正;王芳;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种基于PMN‑PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，小尺寸FeCo铁磁薄膜的制备是利用离子束沉积结合光刻工艺在PMN‑PT单晶衬底上掩模特定的图形；将PMN‑PT单晶压电衬底和Fe65Co35合金靶材置入溅射室，利用离子束溅射制备铁磁薄膜。本发明得到的磁电存储元件同传统的非易失性存储器相比，磁电存储器件具有功耗小、读写速度快的优点，对于满足未来存储器件的实际需求具有重要的意义。利用离子束溅射制备层状复合薄膜器件，工艺简单，与半导体工艺兼容。
一种基于 pmn pt 复合薄膜磁电存储元件及其制备方法

[发明专利]一种提高AlN声表面波器件机电耦合系数的结构及方法-CN202111120348.0在审
发明人：王芳;韩旭;张楷亮;李连秋;聂伟灿;杨作栋 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种提高AlN声表面波器件机电耦合系数的结构及方法，该结构由两层不同尺寸的压电材料进行堆叠，形成Al/ZnO/AlN/金刚石四层结构。将器件结构单元的输入、输出叉指电极分别施加正电压、接地。当输入端输入电信号时，电信号通过压电基片的逆压电效应转换为机械能，并以声表面波的形式在压电基片表面传播；当声表面波信号到达输出端时，再通过压电基片的压电效应转换为电信号进行输出。此结构会在AlN和ZnO表面形成较强烈电荷积累。通过调节ZnO的厚度可以增强器件的机电耦合系数，再次调节AlN的厚度仍可以继续增强器件的机电耦合系数。本发明能够有效的提高AlN器件的机电耦合系数，并使其可以更好的应用在传感、滤波等领域。
一种提高 aln 表面波器件机电耦合系数结构方法

[发明专利]一种基于周期S型光纤锥的马赫曾德干涉仪-CN201810577686.9有效
发明人： 张楷亮;李毅;苗银萍;王芳;王路广;马泽龙;邸希超 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：一种基于周期S型光纤锥的马赫曾德干涉仪及其制备方法。该干涉仪由2～5个紧密连接的S型光纤锥组成，每个光纤锥的偏轴距离呈梯度变化。该干涉仪总长度约为0.9～2.5mm，总偏轴距离约为100～600μm。制备方法为：去除光纤的涂覆层，在光纤轴向2～5个位置分别进行熔融非轴向拉锥，每次熔融非轴向拉锥后形成单S型光纤锥区。相邻熔融位置的间隔小于一个单S型光纤锥区，且每个单S型光纤锥拉制的偏轴距离均大于(或均小于)前一个单S型光纤锥的偏轴距离。该干涉仪适用于折射率、微位移、应力和弯曲度传感，与功能材料结合适用于温度、湿度、磁场和生物传感，并且具有灵敏度高、损耗低、成本低、制备方法简单、结构紧凑、机械稳定性强以及可重复使用的优势。
一种基于周期光纤马赫干涉仪

[发明专利]一种晶圆级层数可控硫化钼及其制备方法-CN202110338911.5在审
发明人：王芳;梁安阁;张楷亮;陈鹏;胡凯;单欣;林欣;张力方;韩叶梅 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级层数可控硫化钼及其制备方法。该制备方式主要采用两步法，具体包括：首先利用原子层沉积系统将固态钼源加热气化，之后分别将钼源和氧源以气体脉冲的方式输运至衬底表面，利用表面饱和吸附以及自限反应在衬底表面生成晶圆级、厚度可控的MoO3，之后将硫源和长有MoO3的衬底置入管式炉中，将MoO3硫化生成MoS2，从而获得晶圆级、层数可控的MoS2。本申请提供的制备方法与现有技术相比，可以通过调控制备的MoO3厚度精确控制所得MoS2的层数，具有较好的可控性。利用上述方法已经成功得到了单层(0.7nm)、双层(1.4nm)和多层(≥2.1nm)的层数可控硫化钼，并且尺寸可以达到晶圆级(8in.)。
一种晶圆级层数可控硫化及其制备方法

[发明专利]液晶调谐等离激元诱导透明与法布里腔杂化模式的滤波器-CN201810296566.1有效
发明人：刘菲;任广军;李董;薛力芳;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶调谐等离激元诱导透明与法布里腔杂化模式的滤波器，包括两片各覆盖一层氧化铟锡ITO膜的玻璃，以及组装在两片玻璃之间的液晶，液晶厚度为1μm，两层ITO膜分别称为T1膜和T2膜，T1膜的膜厚为T1＝970nm；在T1膜与玻璃之间还镀有厚度50nm的Au膜；在T1膜上制作有周期性排布的金属‑电介质‑金属型MIM纳米棒阵列；沿MIM纳米棒长轴方向周期为500nm，沿其短轴方向周期为300nm，每个MIM纳米棒单元的材料为Au‑SiO2‑Au，MIM纳米棒长度为125nm，宽度为50nm，上下两层Au厚度分别为30nm，中间SiO2厚度为20nm。
液晶调谐离激元诱导透明法布里腔杂化模式滤波器

[发明专利]基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法-CN201910271281.7在审
发明人：弭伟;杨正春;吴健文;陈煜婷;李沛君;赵金石;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为Ga2O3薄膜，本发明创新性地使用Ga2O3薄膜作为阻变层应用到阻变器件中。Reset过程中通过不同振幅的reset电压而得到了不同的高阻态电压，至少获得2个电阻值。使用Ta作为上电极大幅度的提高了器件的循环特性。为阻变器件的高密度、大规模集成提供了新的方向。
基于氧化薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]一种垂直叠层太阳能电池及其制备方法-CN201910006482.4有效
发明人：邢宇鹏;张楷亮;赵金石;杨正春 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直叠层太阳能电池及其制备方法，该电池由上而下依次包括：顶层电池、中间层电池、底层电池，底层电池的宽度小于中间层电池的宽度。本发明利用新型二维半导体材料制备顶层和底层电池，可以利用更小的厚度实现对太阳光的吸收，减少材料使用量，降低制造成本，并能减小太阳能电池的电学损失，提高太阳能电池的转换效率。并且均采用垂直多结结构，相当于是多个pn结串联，所以输出电压高，通过减小电池的周期性重复的基本单元的面积可以降低输出电流，更适合于并网发电。
一种垂直太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法-CN201911291575.2在审
发明人： 张楷亮;黄金荣;王芳;李宇翔;王路广;胡凯 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型相变材料Cr‑SbTe的干法刻蚀方法，用于相变存储器限域结构的制备，属于半导体存储器中的工艺领域。该方法主要包括以下步骤：a、在氧化硅衬底上采用磁控溅射生长Cr‑SbTe合金薄膜；b、利用紫外光刻技术在薄膜表面形成2um宽度条形光刻胶掩膜；c、采用混合气体对合金薄膜进行刻蚀；d、刻蚀后样品置于丙酮中去除光刻胶，用于测试和表征。该刻蚀方法采用SF6+O2+Ar的气体组合刻蚀Cr‑SbTe相变薄膜材料，其工艺简便，刻蚀后最优条件下Cr‑SbTe薄膜对光刻胶选择比最大可达1.34，刻蚀沟槽侧壁角度倾斜度小，刻蚀后薄膜表面粗糙度小，为后续器件的制备提供了工艺基础。
一种新型相变材料 cr sbte 刻蚀方法

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