[发明专利]具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元及其制造方法

摘要

本发明提出一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元，借由使用多重栅极晶体管，例如双重栅极晶体管、三重栅极晶体管和Ω形多重晶体管，来改变晶体管的通道宽度，并同时提高下拉晶体管和存取晶体管的β比值。本发明并提出一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元的制造方法。

主权项

1.一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元，其特征在于所述静态随机存取存储单元包括：一下拉晶体管，具有一第一栅极电极、一第一岛状半导体层、以及位于该第一栅极电极两侧该第一岛状半导体层中的一第一源极和一第一漏极，m条形第一开口位于该第一岛状半导体层中，且与该第一栅极电极垂直，一第一接触窗插塞和一第二接触窗插塞分别位于该第一岛状半导体层的两侧与该第一源极和该第一漏极电性连接；以及一存取晶体管，具有一第二栅极电极和一第二岛状半导体层、以及位于该第二栅极电极两侧该第二岛状半导体层中的一第二源极和一第二漏极，n条形第二开口位于该第二岛状半导体层中，且与该第二栅极电极垂直，一第三接触窗插塞和一第四接触窗插塞分别位于该第二岛状半导体层的两侧与该第二源极和该第二漏极电性连接，其中，m和n为大于1的整数。