“J·D·霍普金斯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果93个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器阵列和形成集成式组合件的方法-CN201910985190.X有效
发明人：金吴熙;J·D·霍普金斯;金昌汉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及存储器阵列和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠的存储器阵列。所述字线层级包含具有末端的导电字线材料。电荷阻挡材料沿着所述导电字线材料的所述末端并且具有第一竖直面。所述绝缘层级具有含第二竖直面的末端。所述第二竖直面相对于所述第一竖直面侧向偏移。电荷捕集材料沿着所述第一竖直面，并且部分地沿着所述第二竖直面延伸。所述电荷捕集材料被配置成通过间隙彼此竖直间隔开的段。电荷隧穿材料沿着所述电荷捕集材料的所述段延伸。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸，并且通过所述电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。所述沟道材料延伸到所述间隙中。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
存储器阵列形成集成组合方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法-CN202310246273.3在审
发明人： C·豪德;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本案实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法。包括存储器单元串的存储器阵列包括在导体层面的导体材料正上方且个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。沟道材料串构造穿过绝缘层面和导电层面延伸到导电层面的最下部。沟道材料串构造个别地包括电荷阻挡材料串、从电荷阻挡材料串横向向内的存储材料串、从存储材料串横向向内的电荷传递材料串，及从电荷传递材料串横向向内的沟道材料串。处于最下部导电层面中的导电材料将个别沟道材料串的沟道材料与导体层面的导体材料直接电耦合在一起。导电材料横向处于电荷阻挡材料串的横向内部侧壁旁边且从横向内部侧壁横向向内。公开方法。
包括存储器单元阵列形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202310246293.0在审
发明人： C·豪德;J·埃霍恩;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括处于导体层面的导体材料正上方并且个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。沟道材料串构造穿过绝缘层面和导电层面延伸到导电层面的最下部。沟道材料串构造个别地包括电荷阻挡材料串、从电荷阻挡材料串横向向内的存储材料串、从存储材料串横向向内的电荷传递材料串，以及从电荷传递材料串横向向内的沟道材料串。电荷阻挡材料串的处于最下部导电层面的最下部表面上方的最下部表面处于紧靠在最下部导电层面上方的绝缘层面的最下部的最下部表面下方。处于最下部导电层面中的导电材料将个别沟道材料串的沟道材料与导体层面的导体材料直接电耦合在一起。公开了与方法无关的结构。
包括存储器单元阵列形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202280011327.1在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层级及第二层级。所述堆叠包括横向隔开的存储器块区。同时形成(a)、(b)及(c)，其中(a)：横向地在所述存储器块区中的横向紧邻者之间到所述堆叠中的水平伸长的沟槽；(b)：横向地在所述水平伸长的沟槽之间到所述堆叠中的沟道开口；及(c)：在阶梯区中到所述堆叠中的穿阵列通路(TAV)开口。在所述水平伸长的沟槽中形成中介材料、在所述沟道开口中的个别者中形成沟道材料串且在所述TAV开口中形成导电材料。公开其它方面，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法-CN201910844251.0有效
发明人： J·D·霍普金斯;G·A·哈勒;T·J·约翰;A·A·汉德卡;C·拉森;K·舍罗特瑞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：本申请案涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。堆叠包括堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有与绝缘层及字线层的组合物不同的组合物。进行到蚀刻停止层上方的绝缘层及字线层中直到蚀刻停止层的蚀刻，以形成具有包括蚀刻停止层的个别基底的沟道开口。穿透蚀刻停止层以使沟道开口中的个别者延伸穿过蚀刻停止层。在使个别沟道开口延伸穿过蚀刻停止层之后，进行到蚀刻停止层下方的绝缘层及字线层中且穿过绝缘层及字线层的蚀刻，以使个别沟道开口更深地延伸到蚀刻停止层下方的堆叠中。
竖向延伸存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202310231881.7在审
发明人：罗双强;J·D·霍普金斯;陈洁薇;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包含堆叠结构、狭槽结构和电介质材料。所述堆叠结构包含各自包含布置成层面的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块。所述块中的至少一个包含阵列区和阶梯区，所述阵列区包含存储器单元串，所述阶梯区包含插入于阶梯结构与所述阵列区之间的顶峰子区。所述顶峰子区内的所述层面的最上部边界位于所述阵列区内的所述层面的最上部边界之下。所述狭槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间。所述电介质材料在所述堆叠结构的所述块上方和之间延伸。位于所述顶峰子区之上的所述电介质材料的部分的厚度大于位于所述阵列区之上的所述电介质材料的额外部分的厚度。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统-CN202180085079.0在审
发明人：罗双强;J·D·霍普金斯;徐丽芳;N·M·洛梅利;I·V·恰雷;K·W·汤;王世聪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B41/40 文献下载
摘要：一种微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括以层级布置的导电材料及绝缘材料的竖直交替序列。堆叠结构具有通过第一电介质槽结构彼此分离的块。所述块中的每一者包括：两个顶区；体育场结构，其在第一水平方向上插入于两个顶区之间且包括各自具有包括所述堆叠结构的层级的边缘的梯级的相对阶梯结构；及两个桥区，其在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上与体育场结构的相对侧相邻且具有与所述两个顶区的上表面基本上共面的上表面。至少一个第二电介质槽结构在第一水平方向上在体育场结构的水平边界内且部分竖直延伸穿过两个桥区中的每一者且使两个桥区中的每一者分段。还描述存储器装置、电子系统及形成微电子装置的方法。
形成微电子装置方法相关存储器电子系统

[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法-CN202280008633.X在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区，以及在所述第一存储器区与所述第二存储器区之间的中间区。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面板跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述面板横向处于第一存储器块区与第二存储器块区之间。掺杂半导体材料在所述存储器区和所述中间区内，且紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的导电源极结构的至少一部分。绝缘环横向包围所述导电柱的下部区且在所述导电柱与所述掺杂半导体材料之间。绝缘内衬沿着所述导电柱的上部区。一些实施例包含形成集成组件的方法。
集成组件形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202310026299.7在审
发明人： J·D·霍普金斯;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层级。在所述导体层级正上方形成个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块区，所述竖直堆叠包括交替的第一层级和第二层级。沟道材料串延伸穿过所述第一层级和所述第二层级。横向跨越所述存储器块区中的个别者在所述导体层级正上方形成空隙空间。所述空隙空间包括暴露的含硅表面。在所述暴露的含硅表面上且从其选择性地沉积导电掺杂硅。所述导电掺杂硅直接电耦合到所述沟道材料串的沟道材料，且直接电耦合到所述导体层级的所述导体材料，且将所述沟道材料串直接电耦合到所述导体层级的所述导体材料。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202310025817.3在审
发明人： J·D·霍普金斯;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成其中具有沟道材料串的堆叠，所述堆叠包括竖直交替的绝缘层级及导电层级。壁形成于在所述沟道材料串正上方的绝缘材料上方。空隙空间横向地在紧邻的所述壁之间且包括待形成的个别数字线的纵向轮廓。间隔开口在所述空隙空间正下方的所述绝缘材料中。相对于所述壁，导电金属氮化物选择性地沉积于所述空隙空间中、所述间隔开口中，及横向地在所述壁与所述间隔开口之间的所述绝缘材料顶上，以形成横向地在所述紧邻的壁之间的所述个别数字线的下部部分。个别所述间隔开口中的所述导电金属氮化物直接电耦合到个别所述沟道材料串。导电材料形成于所述空隙空间正上方且直接电耦合到所述个别数字线的所述下部部分以形成其上部部分。本文公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211658304.8在审
发明人： J·D·霍普金斯;D·法兹尔;M·E·科乌通斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括存储器单元串。所述存储器阵列包括横向间隔的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括导体层级之上的交替的绝缘层级与导电层级。存储器单元的沟道材料串构造延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。所述沟道材料串构造的所述沟道材料直接电耦合到所述导体层级的导体材料。子结构材料在所述导体层级中且横向跨越所述沟道材料串构造中的多者的底部且横向地在所述底部之间横跨。所述子结构材料具有与所述导体材料的上部不同的成分。所述子结构材料包括横向向内锥形化而移动到所述导体层级中更深处的横向相对侧。公开其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包含狭槽区中的支柱的电子装置以及相关存储器装置、系统及方法-CN202310084675.8在审
发明人： D·A·克朗皮特;J·D·霍普金斯;罗杰·W·林赛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请案涉及包含狭槽区中的支柱的电子装置以及相关存储器装置、系统方法。所述电子装置包括：堆叠，其包括上覆于源极的交替导电层阶及绝缘层阶的层级；狭槽，其垂直延伸穿过所述堆叠且将所述堆叠分成块；及支柱，其在所述狭槽内且垂直延伸穿过所述堆叠。所述支柱在第一水平方向上展现相对大于所述狭槽在所述第一水平方向上的横向尺寸的横向尺寸，所述第一水平方向基本上正交于所述狭槽在其上延伸的第二水平方向。
包含狭槽区中的支柱电子装置以及相关存储器系统方法

[发明专利]存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180073238.5在审
发明人： J·D·霍普金斯;N·M·洛梅利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层级和导电层级。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。环在所述导电层级中的最下部导电层级或所述绝缘层级中的最下部绝缘层级中的至少一者中的个别所述沟道材料串周围。个别所述环具有在所有所述存储器单元下方的顶部。公开了其它实施例。
存储器阵列用于形成包括单元方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211627882.5在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;M·J·巴克利;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括在导体层正上方的交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。所述沟道材料串直接电耦合到所述导体层的导体材料。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过所述导电层中的最下部导电层的TAV。绝缘环处于所述TAV区中的所述最下部导电层中。所述绝缘环中的个别绝缘环环绕所述TAV中的个别TAV。所述绝缘环延伸穿过所述最下部导电层且到所述导体层中。外部环处于所述最下部导电层中，所述外部环个别地环绕环绕所述个别TAV的所述个别绝缘环中的一个。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180049869.3在审
发明人： J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，其间具有水平伸长的沟槽。沟道开口在所述存储器块区中延伸穿过所述第一层和所述第二层。沟道材料串的沟道材料形成于所述沟道开口中，且所述沟道材料形成于所述水平伸长的沟槽中。所述沟道材料从所述水平伸长的沟槽移除，且所述沟道材料串的所述沟道材料留在所述沟道开口中。在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，中间材料形成于所述水平伸长的沟槽中，横向地位于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向地沿着横向紧邻的所述存储器块区。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 93 条