专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]集成电路结构-CN202321027552.2有效
  • 卢麒友;邱奕勋;陈志良;赖知佑;邱上轩 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-09-05 - H01L27/02
  • 一种集成电路(integrated circuit,IC)结构包括在第一方向上在半导体基板中延伸的第一及第二主动区域;第一及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸,其中第一及第二栅极结构中的每一者上覆于第一及第二主动区域中的每一者;第一类金属定义(metal‑like defined,MD)区段,其在第二方向上在第一与第二栅极结构之间延伸,且上覆于第一及第二主动区域中的每一者;及定位在第一MD区段与第一主动区域之间的隔离结构。第一MD区段电连接至第二主动区域且与第一主动区域的在第一及第二栅极结构之间的部分电隔离。
  • 集成电路结构
  • [实用新型]集成电路结构及集成电路装置-CN202321016085.3有效
  • 卢麒友;陈志良;吴佳典;赖知佑;邱上轩 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-08-29 - H01L27/02
  • 一种集成电路结构及集成电路装置,集成电路结构包括:在第一方向上延伸的两个主动区、在第二方向上延伸的两个栅极结构、在第一金属层中在第二方向上延伸的第一金属段、在第二金属层中在第一方向上延伸的第二金属段及第三金属段、及自第三金属段延伸至栅极结构中的一者的栅极通孔结构。栅极结构上覆于主动区,第一金属段上覆于处于栅极结构之间的主动区中的每一者,第二金属段上覆于第一主动区且上覆于且电连接至第一金属段,且第一金属段及第二金属段电连接至第二主动区,与处于栅极结构之间的第一主动区隔离,且在栅极结构外连接至第一主动区。
  • 集成电路结构装置
  • [发明专利]集成电路及其制造方法-CN202210843512.9在审
  • 赖知佑;陈志良;卢麒友;邱上轩 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-03-14 - H01L27/118
  • 一种集成电路及其制造方法,集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一第一电力轨分开的一远侧边缘,且该第二导体区段经由一通孔连接件连接至一第二电力轨。自该第一电力轨至该第一导体区段的一近侧边缘的一距离比自该第二电力轨至该第二导体区段的一近侧边缘的一距离大一预定距离,该预定距离是该分离距离的一部分。
  • 集成电路及其制造方法
  • [发明专利]电路结构及其形成方法-CN202210783453.0在审
  • 赖知佑;庄惠中;陈志良;田丽钧 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-06-27 - 2022-12-27 - H01L27/092
  • 一种电路结构及其形成方法,电路结构包含一基板,此基板包含位于基板上方的第一晶体管堆叠,其包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管为第一导电类型。第二晶体管位于第一晶体管上方,且具有异于第一导电类型的第二导电类型。结构还包含在第一晶体管堆叠上方的第一金属层中的多条第一导线,这些第一导线电性连接到第一晶体管堆叠。结构还包含在基板下方以及第一晶体管堆叠下方的第二金属层中的多条第二导线,该多条第二导线电性连接到第一晶体管堆叠。多条第一导线相对于多条第二导线以不对称的方式配置。
  • 电路结构及其形成方法
  • [发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN202210563826.3在审
  • 赖知佑;陈志良;田丽钧 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-12-23 - H01L21/8238
  • 一种集成电路装置及其制造方法,集成电路装置包括:一第一类型的主动区半导体结构;与该第一类型的主动区半导体结构堆叠的一第二类型的主动区半导体结构;在一正面导电层中的一正面电力轨条;及在一背面导电层中的一背面电力轨条。该集成电路装置亦包括在一晶体管的一源极区处与该第一类型的主动区半导体结构相交的一源极导电段、在该背面导电层中的一背面电源节点、及一顶至底通孔连接件。该源极导电段经由一正面端通孔连接件导电地连接至该正面电力轨条。该顶至底通孔连接件连接在该源极导电段与该背面电源节点之间。
  • 集成电路装置及其制造方法
  • [发明专利]集成电路及其制造方法-CN202210455846.9在审
  • 赖知佑;陈志良 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-04-27 - 2022-12-13 - H01L27/118
  • 本揭示文件提供一种集成电路及其制造方法,包含一组晶体管,该组晶体管包含一组主动区、一组电轨、一第一组导体以及一第一导体。该组主动区沿着一第一方向延伸,且位于一第一层。该组电轨沿着该第一方向延伸,且位于一第二层。该组电轨具有一第一宽度。该第一组导体沿着该第一方向延伸,且位于该第二层,并与该组主动区重叠。该第一组导体具有一第二宽度。该第一导体沿着该第一方向延伸,且位于该第二层,并位于该组第一组导体之间。该第一导体具有该第一宽度,且将该组晶体管的一第一晶体管电性耦合到该组晶体管的一第二晶体管。
  • 集成电路及其制造方法

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