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[发明专利] 集成电路器件 -CN202210340041.X 在审
发明人：
廉泾植 ;郑永天 ;李龙圭
- 专利权人：
三星电子株式会社
申请日：
2022-03-30
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公布日：
2022-12-30
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主分类号：
H01L27/11524 文献下载
摘要： 一种集成电路包括：源极区域，布置在衬底的上部中；一对分栅结构，分别在源极区域的相对侧上，其中，所述一对分栅结构中的每一个包括浮栅电极层以及设置在浮栅电极层上的控制栅电极层；擦除栅结构，在源极区域上位于所一对分栅结构之间，并包括擦除栅电极层；一对选择栅结构，分别在一对分栅结构的外侧壁上；以及一对栅极间隔物，其中，每个栅极间隔物设置在一对分栅结构中的一个分栅结构与一对选择栅结构中的一个选择栅结构之间，包括第一栅极间隔物和设置在第一栅极间隔物上的第二栅极间隔物，还设置在一对分栅结构中的所述一个分栅结构的外侧壁上，以及所述第二栅极间隔物的最下端位于比浮栅电极层的上表面低的高度处。集成电路 器件
[发明专利] 半导体存储装置 -CN202210066035.X 在审
发明人：
中塚圭祐
- 专利权人：
铠侠股份有限公司
申请日：
2022-01-20
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公布日：
2022-12-16
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主分类号：
H01L27/11524 文献下载
摘要： 本发明的一实施方式提供一种能够抑制芯片面积的增加的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含第1存储器单元阵列(11_1)、与第2存储器单元阵列(11_2)。第1存储器单元阵列包含：第1半导体(123)，连接第1存储器单元(MC)及第1选择晶体管(ST1)；第1字线(WL)；第1选择栅极线(SGD)；及第1位线(BL)，连接于第1半导体。第2存储器单元阵列包含：第2半导体(123)，在第1方向延伸，连接第2存储器单元(MC)及第2选择晶体管(ST1)；第2字线(WL)；第2选择栅极线(SGD)；及第2位线(BL)，连接于第2半导体。第1字线与第2字线电连接。第1选择栅极线与第2选择栅极线未电连接。半导体 存储 装置
[实用新型] 半导体存储装置 -CN202221701453.3 有效
发明人：
中木宽 ;石月惠
- 专利权人：
铠侠股份有限公司
申请日：
2022-07-01
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公布日：
2022-12-02
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主分类号：
H01L27/11524 文献下载
摘要： 实施方式提供集成性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有层叠体、多条位线以及多个柱状体。多条位线包括第1位线、第2位线、第3位线以及第4位线。多个柱状体包括第1柱状体、第2柱状体、第3柱状体、第4柱状体、第5柱状体、第6柱状体、第7柱状体以及第8柱状体。第1柱状体与第1位线电连接。第2柱状体与第3位线电连接。第3柱状体与第2位线电连接。第4柱状体与第4位线电连接，第5柱状体与第2位线电连接。第6柱状体与第4位线电连接。第7柱状体与第1位线电连接。第8柱状体与第3位线电连接。半导体 存储 装置
