[发明专利]快闪存储单元、快闪存储单元的制造方法及其操作方法

摘要

一种快闪存储单元，此存储单元是由基底、栅极结构、源极区、抹除栅极、抹除栅极介电层、选择栅极、选择栅极介电层与漏极区所构成。栅极结构设置于基底上，栅极结构是由穿隧氧化层、浮置栅极、栅间介电层、控制栅极以及间隙壁所构成。源极区设置于栅极结构一侧基底中。抹除栅极设置于栅极结构一侧的源极区上。抹除栅极介电层设置于抹除栅极与源极区之间。选择栅极设置于栅极结构的另一侧。选择栅极介电层设置于选择栅极与基底之间。漏极区设置于选择栅极一侧的基底中。

主权项

1.一种快闪存储单元，其特征在于，包括：一基底：一穿隧介电层，设置于该基底上；一浮置栅极，设置于该穿隧介电层上；一栅间介电层，设置于该浮置栅极上；一控制栅极，设置于该栅间介电层上；一第一间隙壁，设置于该控制栅极的侧壁与顶部；一第二间隙壁，设置于该浮置栅极侧壁；一源极区，设置于该控制栅极与该浮置栅极的一第一侧的该基底中；一抹除栅极，设置于该源极区上；一抹除栅极介电层，设置于该源极区与该抹除栅极之间；一选择栅极，设置于该控制栅极与该浮置栅极的一第二侧的侧壁上；一选择栅极介电层，设置于该基底与该选择栅极之间；以及一漏极区，设置该选择栅极一侧的该基底中。