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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210093821.9在审
  • 吴在永;李东奂;崔殷硕 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-12-30 - H01L27/11582
  • 本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：在基板上的栅极层叠物，该栅极层叠物包括在垂直方向上交替层叠的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，其穿过栅极层叠物并且具有突出到栅极层叠物上方的上端部；存储器层，其围绕沟道结构的侧壁；以及源极层，其形成在栅极层叠物上。沟道结构包括在沟道结构的中央区域中在垂直方向上延伸的芯绝缘层以及围绕芯绝缘层的侧壁的沟道层，沟道层形成为在垂直方向上低于芯绝缘层和存储器层。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]存储器元件及快闪存储器元件-CN202110688732.4在审
  • 杨金成 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-06-21 - 2022-12-20 - H01L27/11582
  • 本公开提供一种存储器元件包括：阶梯结构，包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层，且所述阶梯结构包括彼此交替配置的多个第一区块与多个第二区块；多个第一插塞，设置在所述多个第一区块中，其中在同一第一区块中的多个第一插塞彼此交错；多个第二插塞，设置在所述多个第一区块中，其中在同一第一区块中的多个第二插塞彼此交错，在同一第一区块中的所述多个第一插塞与所述多个第二插塞彼此交错；以及多个第三插塞，设置于所述多个第二区块中。
  • 存储器元件闪存
  • [发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202180029536.4在审
  • J·D·霍普金斯;徐丽芳;N·M·洛梅利 - 美光科技公司
  • 2021-04-16 - 2022-12-16 - H01L27/11582
  • 一些实施例包含一种集成组合件，其具有交替的第一层级与第二层级的堆叠。所述第一层级含有导电材料且所述第二层级含有绝缘材料。所述第一层级及所述第二层级中的至少一些经配置为阶状物。所述阶状物中的每一者具有在所述第一层级中的相关联者上方的所述第二层级中的一者。层在所述阶状物上方且通过介入绝缘区与所述堆叠隔开。绝缘材料在所述层上方。导电互连件延伸穿过所述绝缘材料，穿过所述层，穿过所述介入绝缘区且延伸到所述阶状物的所述第一层级内的所述导电材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
  • 集成组合形成方法
  • [发明专利]三维存储器件-CN202110243809.7有效
  • 吴双双;张坤;周文犀 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-05 - 2022-12-02 - H01L27/11582
  • 本申请提供了一种三维存储器件，包括：衬底；堆叠结构，形成于衬底上，所述堆叠结构具有沿第一方向设置的核心阵列区和台阶区；第一墙结构，沿着第一方向设置在台阶区中；以及第二墙结构，沿着不同于第一方向的第二方向设置在台阶区中且与第一墙结构交叉。根据本申请的三维存储器件，可增加台阶区中的支撑，减小台阶区的应力形变，提高三维存储器件的良率和可靠性。
  • 三维存储器件
  • [发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202210126976.8在审
  • 李相燉;金智源;黄盛珉;成锡江 - 三星电子株式会社
  • 2022-02-10 - 2022-11-22 - H01L27/11582
  • 公开了三维半导体存储器件和包括三维半导体存储器件的电子系统。该器件包括：基板；单元阵列结构，设置在基板上以包括多个彼此间隔开的堆叠电极，该电极中最上面的一个电极是第一串选择线；竖直沟道结构，设置为贯穿单元阵列结构并连接至基板；导电焊盘，设置在竖直沟道结构的上部中；位线，位于单元阵列结构上；位线接触部，将位线电连接至导电焊盘；以及切割结构，贯穿第一串选择线。切割结构贯穿导电焊盘的一部分。位线接触部的底表面包括分别与导电焊盘和切割结构接触的第一底表面和第二底表面。
  • 半导体器件包括电子系统
  • [发明专利]三维NAND存储器件及形成其的方法-CN202080002369.X有效
  • 陈赫;肖亮 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-08-28 - 2022-11-22 - H01L27/11582
  • 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括基层，所述基层具有用于形成存储单元的第一面和与所述第一面相对的第二面。所述半导体器件包括放置在所述基层的所述第一面上的交替的字线层和绝缘层的堆叠层，其中，所述堆叠层包括第一区和第二区。沟道结构在垂直方向上延伸穿过所述堆叠层的所述第一区并且进一步从所述第一面延伸进入所述基层。多个连接结构被形成在所述基层的所述第二面上，并且包括耦合到所述沟道结构的第一连接结构。
  • 三维nand存储器件形成方法
  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210092100.6在审
  • 朴仙美;金南局;权殷美;陈尚完 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-11-15 - H01L27/11582
  • 本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：下层叠物，其中多个第一层间绝缘层和第一导电层交替地层叠；多个单元插塞，其在垂直方向上穿过下层叠物；在下层叠物上的上层叠物，其中多个第二层间绝缘层和至少一个第二导电层交替地层叠；多个漏极选择插塞，其穿过上层叠物并且与多个单元插塞的上部接触；以及分离图案，其使多个漏极选择插塞当中的相邻的漏极选择插塞分离，其中，分离图案与相邻的漏极选择插塞中的每一个侧壁接触。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201910027506.4有效
  • 崔康植 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-01-11 - 2022-11-15 - H01L27/11582
  • 半导体器件以及半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括具有阱掺杂剂的阱结构、包括在阱结构上方层叠的第一层叠结构、第二层叠结构和第三层叠结构的栅极层叠结构以及穿透栅极层叠结构的沟道图案。栅极层叠结构的侧壁在其第一层叠结构和第三层叠结构之间的侧壁中形成有凹槽，使得第一层叠结构和第三层叠结构在与层叠方向垂直的方向上比第二层叠结构突出更多。沟道图案沿着阱结构和栅极层叠结构之间的水平空间的表面延伸。半导体器件还包括沿着沟道图案的外壁延伸的存储器图案、形成在栅极层叠结构的侧壁上的间隔物绝缘图案以及形成在间隔物绝缘图案上的掺杂半导体图案。
  • 半导体器件以及制造方法
  • [实用新型]半导体存储装置-CN202220025795.1有效
  • 荒井伸也 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-01-07 - 2022-10-21 - H01L27/11582
  • 本实用新型实施方式提供能够抑制单元电流的劣化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有层叠体、柱状体和第2导电层。层叠体包含多个第1导电层和多个绝缘层。层叠体中，多个第1导电层和多个绝缘层沿第1方向一层一层交替地层叠。第2导电层与柱状体连接。柱状体包含绝缘芯、存储器膜和半导体通道。存储器膜被设置于多个第1导电层与绝缘芯之间。半导体通道被设置于绝缘芯与存储器膜之间。绝缘芯的上表面与柱状体的上端相比位于下方。第2导电层具有主体部和突出部。突出部从主体部朝向绝缘芯的上表面突出，在柱状体的内部沿第1方向延伸。突出部在突出部的底面或侧面中与半导体通道相接触。
  • 半导体存储装置
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