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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器设备-CN202211434724.8在审
发明人：朴楢珍;李南宰;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种半导体存储器设备。该半导体存储器设备包括：外围电路结构，在半导体衬底上；导电线，连接到外围电路结构；外围电路侧键合导电图案，连接到导电线；外围电路侧辅助键合导电图案，与外围电路侧键合导电图案间隔开；单元阵列侧键合导电图案，与外围电路侧键合导电图案接触；单元阵列侧辅助键合导电图案，与外围电路侧辅助键合导电图案接触；以及存储器单元阵列，连接到单元阵列侧键合导电图案。
半导体存储器设备

[发明专利]检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法-CN201810992183.8有效
发明人：金延泰;金度亨;梁光贤;李昌润;崔宁旭;朴基寿;崔殷硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法，所述检查半导体基底的方法包括以下步骤：测量在旋转的半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及通过使用频率分布来确定半导体基底的状态。分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。
检查半导体基底方法以及制造装置

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210998702.8在审
发明人： 崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：基板的单元区域，该单元区域包括第一层叠结构和层叠在第一层叠结构上的第二层叠结构；以及基板的接触区域。第一层叠结构包括在垂直方向上延伸的至少一个下部单元插塞图案和下部狭缝图案。第二层叠结构包括在垂直方向上延伸并且直接接触至少一个下部单元插塞图案的上表面的至少一个上部单元插塞图案和在垂直方向上延伸并且直接接触下部狭缝图案的上表面的上部狭缝图案。上部狭缝图案的与下部狭缝图案的上表面接触的下表面比下部狭缝图案的上表面具有更低的关键尺寸。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法-CN202210568035.X在审
发明人：裵炳郁;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：提供了半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：栅极层叠物，其包括交替层叠的多个第一层间绝缘图案和多个导电图案；虚设层叠物，其包括多个第二层间绝缘图案和多个牺牲绝缘层；多个阶梯状凹槽，其限定在栅极层叠物中的不同深度处；多个开口，其穿过虚设层叠物且彼此间隔开；第一间隙填充绝缘图案，其填充多个阶梯状凹槽；第二间隙填充绝缘图案，其填充多个开口；多个导电栅极接触件，其穿过第一间隙填充绝缘图案并连接到多个导电图案；以及多个导电外围电路接触件，其穿过第二间隙填充绝缘图案。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法-CN202210490486.6在审
发明人： 崔殷硕;金徐儇;李东奂 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：层叠结构，该层叠结构包括在第一方向上交替层叠的导电图案和层间绝缘层；沟道层，该沟道层贯穿层叠结构；第一半导体层，该第一半导体层设置在层叠结构上，该第一半导体层包括第一导电类型的第一杂质；第二半导体层，该第二半导体层设置在第一半导体层上，该第二半导体层包括具有第二导电类型的第二杂质的阱区，其中，第二导电类型不同于第一导电类型；以及存储器层，该存储器层位于沟道层和层叠结构之间。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210093821.9在审
发明人：吴在永;李东奂;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：在基板上的栅极层叠物，该栅极层叠物包括在垂直方向上交替层叠的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，其穿过栅极层叠物并且具有突出到栅极层叠物上方的上端部；存储器层，其围绕沟道结构的侧壁；以及源极层，其形成在栅极层叠物上。沟道结构包括在沟道结构的中央区域中在垂直方向上延伸的芯绝缘层以及围绕芯绝缘层的侧壁的沟道层，沟道层形成为在垂直方向上低于芯绝缘层和存储器层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202210393754.2在审
发明人：吴在永;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括第一层间绝缘层、以及交替设置在第一层间绝缘层下方的多个第二层间绝缘层和多个导电图案；贯穿层叠结构的孔；设置在孔的内部的芯绝缘图案、存储器图案和沟道图案；以及设置在第一层间绝缘层上方的掺杂半导体层，掺杂半导体层延伸到孔的内部。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法-CN202111121458.9在审
发明人：李东奂;金徐儇;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：具有第一部分和第二部分的沟道层，所述第一部分和所述第二部分在纵向方向上延伸；栅极层叠结构，其围绕沟道层的第一部分；第一导电类型的第一半导体层，其接触沟道层的第二部分；以及第二导电类型的第二半导体层。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110879733.7在审
发明人： 崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠体，该层叠体包括层叠绝缘层和层叠导电层；单元插塞；连接接触结构；以及源极层，该源极层联接到单元插塞。单元插塞包括上部和下部，连接接触结构包括与单元插塞的下部设置在基本相同的高度的第一连接接触部以及与单元插塞的上部设置在基本相同的高度的第二连接接触部，第一连接接触部和第二连接接触部彼此接触所在的高度与单元插塞的上部和下部彼此接触所在的高度基本相同，并且第二连接接触部的最上部的高度高于源极层的底表面的高度并且低于源极层的顶表面的高度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010584548.0在审
发明人：洪暎玉;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上彼此间隔开的第一选择图案和第二选择图案；栅极隔离层，其在第一选择图案和第二选择图案之间在与第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道结构，其穿透层叠结构；以及第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸，所述第一位线和所述第二位线彼此相邻。沟道结构包括：第一沟道结构，其穿透第一选择图案并在第一方向上与栅极隔离层间隔开第一距离；以及第二沟道结构，其穿透第二选择图案并在第一方向上与栅极隔离层间隔开基本上第一距离。第一沟道结构和第二沟道结构分别连接到第二位线和第一位线。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件及其操作方法-CN201510051360.9有效
发明人：崔世卿;崔殷硕;吴政锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种操作方法包括在施加第一通过电压至多个字线时，使单元存储串之中的未选中单元存储串的沟道区偏置至初始电压；使未选中单元存储串的沟道区浮置；在沟道区的浮置期间将第一通过电压增加至第二通过电压；以及从单元存储串之中的选中单元存储串的选中存储器单元读取数据。
半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]用于制造半导体器件的设备-CN201910774444.3在审
发明人：金奇奂;金延泰;朴基寿;朴判贵;李真雅;李昌润;林圣根;崔敏浩;崔殷硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。
用于制造半导体器件设备

[发明专利]冷镦用塑性加工金属材料的非磷被膜处理方法-CN201580076252.5有效
发明人： 崔殷硕 -专利权人：韩英线材(株)
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C22/05 文献下载
摘要：本发明涉及作为被膜处理剂使用由特殊成分组成的非磷酸盐处理液，由此，形成适合于冷镦用塑性加工的润滑被膜并当进行淬火(Quenching)和/或回火(Tempering)等的工序处理时，因磷酸盐被膜的影响，防止碳化物附着于金属材料的表面，去除沉淀现象，并可谋求亲环境的冷镦用塑性加工用金属材料的非磷被膜处理方法。
冷镦用塑性加工金属材料非磷被膜处理方法

[发明专利]具有注射器的膜形成装置和形成半导体器件的方法-CN201610256448.9有效
发明人：赵南振;金延泰;朴基寿;崔殷硕;韩奎熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器，该注射器包括：分配器，包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分；以及引导件，连接到分配器，该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口，其中第二出口设置在第一出口上方。
具有注射器形成装置半导体器件方法

[发明专利]半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统-CN201410426038.5有效
发明人： 崔殷硕;吴政锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：半导体存储器件包括：存储器单元阵列，其包括在衬底之上层叠配置的第一多个正常存储器单元和第二多个虚设存储器单元；第一多个正常字线，其与第一多个正常存储器单元电耦接；以及第二多个虚设字线，其与第二多个虚设存储器单元电耦接，其中，第一多个正常存储器单元包括至少一个坏的存储器单元，并且至少一个坏的存储器单元中的每个被第二多个虚设存储器单元之中的虚设存储器单元代替。
存储器单元虚设存储器单元半导体存储器件电耦存储器单元阵列层叠配置存储系统虚设字线正常字线衬底

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