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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]记忆体装置及其制造方法-CN202210548119.7在审
发明人： 黄成铭;黄文铎;杨世匡;张煜群;陈世宪;杨裕祥;许祐凌;林佳盛;刘珀玮;施宏霖;张玮玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本揭露提供一种记忆体装置及其制造方法。记忆体装置包含在装置的记忆体区域及逻辑区域二者内的晶体管元件。在记忆体区域内的晶体管元件包含侧壁间隙壁，其具有在栅极结构的侧表面上的第一氧化层、在第一氧化层上的第一氮化层、在第一氮化层上的第二氧化层及在第二氧化层上的第二氮化层。在逻辑区域内的晶体管元件包含侧壁间隙壁，其具有在栅极结构的侧表面上的第一氧化层、在第一氧化层上的第一氮化层及在第一氮化层上的第二氮化层。
记忆体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201711275053.4有效
发明人：林舜宽;谢佳达;黄成铭;何企伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及形成配置为改进邻近的栅极结构之间的介电填充的侧壁间隔件的方法。在一些实施例中，该方法可以通过在第一栅极结构上方和第二栅极结构上方沉积侧壁间隔件材料来实施。对侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕第一栅极结构的第一中间侧壁间隔件并且形成围绕第二栅极结构的第二侧壁间隔件。在衬底上方形成掩模材料。第一中间侧壁间隔件的一部分从掩模材料向外突出，而第二侧壁间隔件由掩模材料完全覆盖。之后，对第一中间侧壁间隔件的从掩模材料向外突出的一部分实施第二蚀刻工艺以形成凹进至第一栅极结构的最上表面之下的第一侧壁间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种用于延长全密封核主泵惰转时间的装置及系统-CN201711056353.3在审
发明人：曹廷发;黄成铭;常志荣;刘青松;王超;唐叔建;赵静;袁杰 -专利权人：中广核研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H02J3/30 文献下载
摘要：本发明提供一种用于延长全密封核主泵惰转时间的装置，包括与外部电源连接的电动机，与所述全密封核主泵连接的发电机，以及与所述电动机和所述发电机同轴的飞轮。本发明还提供一种用于延长全密封核主泵惰转时间的系统，包括所述用于延长全密封核主泵惰转时间的装置以及全密封核主泵。本发明优点在于，可延长全密封核主泵的惰转时间，从而提高反应堆的安全性以及全密封核主泵的效率。
一种用于延长密封核主泵惰转时间装置系统

[发明专利]分裂式栅极存储单元-CN200710167197.8有效
发明人：谢章仁;宋弘政;朱文定;黄成铭;高雅真;刘世昌;罗际兴;喻中一;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种分裂式栅极存储单元，包括沿第一方向形成于半导体衬底上的多个绝缘区域，在两个相邻的绝缘区域之间定义出有源区域，该有源区域具有形成于该半导体衬底中的一对漏极与源极区域。一对浮动栅极设置于该有源区域上，且自对准于所述绝缘区域，其中该对浮动栅极的顶表面与所述绝缘区域的顶表面高度相等。一对控制栅极自对准于该浮动栅极，且沿第二方向设置于该浮动栅极上。源极线沿该第二方向设置于该对控制栅极之间。一对选择栅极沿该第二方向设置于与该对控制栅极相对的外侧侧壁上。本发明可使得浮动栅极自对准于隔离区域或者说绝缘区域以及源极线，从而有助于存储元件的进一步微缩化和集成化。
分裂栅极存储单元

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN200710096160.0有效
发明人：王士玮;林春荣;黄成铭;谢章仁;罗际兴;喻中一;许峰嘉;杜友伦;朱怡欣;杨仁盛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。首先，形成快闪存储单元的栅极堆叠在基板上，其中栅极堆叠的顶部包括覆盖层。接着，形成栅极，其至少有一部分位于覆盖层之上；以及，减少栅极位于覆盖层上至少一部分厚度。如此，可减少同一芯片上快闪存储单元与金属氧化物半导体元件的高度差异。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]分离栅极式存储单元及其形成方法-CN200610129199.3无效
发明人： 黄成铭;宋弘政;朱文定;谢章仁;高雅媜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明揭示一种分离栅极式存储单元及其形成方法。一浮置栅极设置在一衬底上并与其绝缘。衬底具有一有源区，它由一对形成在衬底内的隔离结构所分隔而成。浮置栅极设置在该对栅极结构之间且不与其上表面重叠。一上盖层设置在浮置栅极上。一控制栅极设置在浮置栅极的侧壁且与其绝缘并局部延伸至上盖层的上表面。一源极区形成在衬底内并靠近浮置栅极的一侧。本发明的分离栅极式存储单元及其制造方法，具有较高的源极耦合率，同时又能缩小有源区的间距，可提高存储单元的编程和擦除效率，进一步提高集成电路性能。
分离栅极存储单元及其形成方法

[发明专利]抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流的方法-CN02127088.0有效
发明人：徐德训;宋弘政;张立文;陈汉平;黄成铭;高雅真 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-07-29 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流的方法，上述存储单元由存储单元页为行列元素，每一存储单元页又以分闸快闪存储单元为行列元素，当欲程序化时，选定的分闸快闪存储单元所属的共用源极线施以源极程序化电压，其他的共用源极线施以至少0.5伏的电压，欲程序化的分闸快闪存储单元所属的共用字线施以控制栅极程序化电压，其他的共用字线接地，共用位元线施以漏极程序化电压，其他的共用字线施以漏极抑制程序化电压；本发明可以抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流，而避免了字线干扰的问题。
抑制分闸快闪存单元位元漏电方法

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