[发明专利]半导体元件的接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 03100159.9 | 申请日： | 2003-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN1457087A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朴根周 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥,张平元 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用浅形沟槽隔离(STI)方式而在制造逻辑组件制造过程中，用以形成接触孔的方法，对作用区域接触孔的重叠裕度小的接触孔同时在作用区域和隔离区域形成时，即，形成无边缘接触孔时，防止隔离区域的损伤。依照本发明的方法，使用作为蚀刻停止层的氮化硅层以致在STI形成过程，避免半导体元件特性的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的接触孔的形成方法，其特征为包括下列步骤：在硅基板上形成衬垫氧化物层与第一氮化硅层的步骤；在上述整体的结构物的一部分中形成沟槽后且在含沟槽的整个结构上沉积氧化物层的步骤；选择性的蚀刻上述氧化物膜使氧化物层只残留于沟槽中的步骤；含有上述沟槽内的氧化物层的整个结构物上形成第二氮化硅层的步骤；平坦化第二氮化硅层与部分的上述第一氮化硅层，使第一氮化硅层的顶面曝露出来，然后选择性地蚀刻第一氮化硅层与衬垫氧化物层的部分，以定义控制极区的步骤；在定义控制极区的第一氮化硅层与衬垫氧化物层的蚀刻部分形成控制极，然后在其两侧下的半导体基板中形成源极/漏极；在所述整个结构物上面沉积层间氧化物膜，并且选择性地蚀刻所述层间氧化物膜内以曝露出源极/漏极而形成接触孔的步骤。
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- 坂东沙也香;梅泽昌弘;田村和幸 - 琳得科株式会社
- 2021-10-14 - 2023-10-20 - H01L21/304
- 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层在23℃下与水的静态接触角为85°以上。
- 胶带粘贴装置以及胶带盒-202180094438.9
- 木崎清贵 - 株式会社东京精密
- 2021-11-12 - 2023-10-20 - H01L21/301
- [问题]提供一种胶带粘贴装置以及胶带盒，能够自动地实施切割胶带的切换与交换。[解决方案]粘贴装置(3)包括：基部(31)，在该基部(31)中，将胶带盒(4)以可换装的方式设置，该胶带盒(4)以呈辊状卷绕的切割胶带(DT)的一部分被引出的状态收纳切割胶带(DT)；可动导向辊(32a)、(32b)、固定导向辊(33a)、(33b)以及刀板(35)，其能够移动以将切割胶带(DT)的一部分被引出的引出区域(R)限制到预定轨道。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
