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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理装置-CN202310085511.7在审
  • 横田聪裕;伴瀬贵德;高良穣二;森北信也;奥西直彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-09-25 - 2023-04-07 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括执行以下步骤a～步骤e的控制部，将基片放置在基片支承件上的步骤a；在腔室中利用第一RF信号和第二RF信号从第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至下部电极；使基片暴露在第一等离子体中的步骤c；在腔室中利用第一RF信号、第二RF信号和磁场从第二气体形成第二等离子体的步骤d，在步骤d中，第二RF信号以大于第一电功率的第二电功率被供给至下部电极；和使基片暴露在第二等离子体中的步骤e。
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]等离子体处理方法-CN201811118529.8有效
  • 横田聪裕;伴瀬贵德;高良穣二;森北信也;奥西直彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-09-25 - 2023-03-10 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
  • 等离子体处理方法
  • [发明专利]等离子体处理装置-CN201811125428.3有效
  • 高桥秀一;宫馆孝明;高栖纪尚;伊藤悦治;横田聪裕;奥西直彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-09-26 - 2021-04-13 - H01J37/32
  • 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]等离子体处理装置及处理基板的方法-CN202010876613.7在审
  • 横田聪裕 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-08-27 - 2021-03-09 - H01J37/32
  • 本发明所公开的一种等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部以及第1和第2电磁铁组件。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于腔室的中心轴线上。等离子体生成部构成为在腔室内生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个以上的第1环状线圈，且配置于腔室上或其上方，并且在腔室内生成第1磁场。第2电磁铁组件构成为包括一个以上的第2环状线圈，且在腔室内生成第2磁场。第2磁场在基板支撑器上的基板的中心降低第1磁场的强度。
  • 等离子体处理装置方法
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201811317768.6有效
  • 久保田绅治;永关一也;横田聪裕;玉虫元 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-11-07 - 2021-01-12 - H01J37/32
  • 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]等离子体处理装置-CN201510225056.1有效
  • 横田聪裕;檜森慎司;大下辰郎;草野周 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-05-05 - 2017-11-21 - H01J37/32
  • 本发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单元。主磁体单元具有主磁轭和多个主电磁线圈。在辅助磁体单元中，在主磁体单元的比最内周的主电磁线圈靠半径方向内侧的位置，将多个棒型电磁体在转圈方向上以恒定间隔配置在自中心轴线偏离规定距离的位置。使直流的激励电流以恒定的电流值在第1组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿正向流动，使直流的激励电流以相同的电流值在第2组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿逆向流动。
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]多层膜的蚀刻方法-CN201410028242.1有效
  • 桧森慎司;伊藤悦治;横田聪裕;草野周;石塚博昭;永关一也 - 东京毅力科创株式会社
  • 2014-01-21 - 2014-07-23 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
  • 多层蚀刻方法
  • [发明专利]基板处理装置-CN201310047993.3有效
  • 永关一也;伊藤悦治;横田聪裕;桧森慎司;松山昇一郎 - 东京毅力科创株式会社
  • 2013-02-06 - 2013-08-14 - H01J37/32
  • 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
  • 处理装置
  •  1 
  • 共 10 条
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