“篠田智则”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202280018923.2在审
发明人： 篠田智则;根本拓;加太章生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202180086706.2在审
发明人： 篠田智则;根本拓;田村樱子 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片的制造方法，其依次包括工序(S1)、(S2)、(S3)、(S3α)及(S4)，并进一步在工序(S4)之后依次包括工序(S5)及工序(S6)(工序(S5)～(S6)如说明书中定义的那样)。
半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180035591.4在审
发明人： 篠田智则;根本拓;田村樱子 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供即使用以形成屏蔽层的导电材料绕入到了半导体晶片的凸块形成面侧也能够充分抑制在凸块形成面上形成导电材料的半导体芯片的制造方法。该方法是包括下述工序(A)的半导体装置的制造方法。工序(A)：在设置有凸块的半导体晶片的凸块形成面被由固化性树脂的固化物形成的保护层所保护的半导体芯片形成屏蔽层的工序，其中，在上述凸块及上述凸块形成面中的至少任一者被包覆用片所包覆的状态下，在上述半导体芯片的从上述包覆用片露出的部分中的至少一部分形成屏蔽层。
半导体装置制造方法

[发明专利]被粘附物的剥离方法-CN202180010325.6在审
发明人： 篠田智则;根本拓;古野健太;古贺遥 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及被粘附物的剥离方法、包括实施所述剥离方法的工序的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述剥离方法的工序的半导体装置的制造方法，所述被粘附物的剥离方法包括：工序(S1)：将多个被粘附物贴合于粘合剂层(X1)的工序；以及，工序(S2)：使贴合有所述多个被粘附物中的一部分被粘附物的区域的所述粘合剂层(X1)的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分被粘附物与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。
粘附剥离方法

[发明专利]套件及半导体芯片的制造方法-CN202080090569.5在审
发明人： 篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
套件半导体芯片制造方法

[发明专利]固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法-CN202080090576.5在审
发明人： 篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。条件(I)在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300····(i)。
固化树脂复合半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202080090603.9在审
发明人： 篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。
半导体芯片制造方法

[发明专利]具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法-CN201810059237.5有效
发明人： 篠田智则;古馆正启;高野健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。
具有保护膜形成层切割膜片芯片制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜-CN201380063148.3有效
发明人：高野健;篠田智则;吾妻佑一郎 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。
丙烯酸类聚合物保护膜形成硅烷偶联剂环氧基团半导体芯片玻璃化转变填充材料保护膜固化性环氧类

[发明专利]带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法-CN201380051745.4有效
发明人：高山佳;篠田智则;佐伯尚哉;高野健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-10-04 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。
保护膜形成层切片固化性储能模量不变形可剥离内周部外周部预切割粘合部支撑体冲刀脱模粘接固化制造芯片加工

[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法-CN201410156191.0有效
发明人： 篠田智则;若山洋司 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法，其课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分（A）、固化性成分（B）和吸杂剂（C）。
芯片树脂形成用片材半导体制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜-CN201380063150.0在审
发明人：高野健;篠田智则;吾妻佑一郎 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z8741测定的光泽值为20以上。
保护膜形成

[发明专利]带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法-CN201280064500.0有效
发明人： 篠田智则;高野健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的特征在于，在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。
带有保护膜形成层切割芯片制造方法

[发明专利]具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法-CN201280044503.8在审
发明人： 篠田智则;古馆正启;高野健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。
具有保护膜形成层切割膜片芯片制造方法

[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法-CN201180017214.4有效
发明人： 篠田智则;若山洋司 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明的课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于：具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)和吸杂剂(C)。
芯片树脂形成用片材半导体制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条