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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻方法-CN202080005208.6有效
发明人： 服部孝司;赵煜;小林浩之;大竹浩人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了提供一种以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地对氧化硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，而在所述蚀刻方法中通过向处理室内供给处理用的气体来对膜结构进行蚀刻，在所述膜结构中，在配置于所述处理室内的晶片上预先形成的氧化硅膜及氮化硅膜沿上下方向交替地层叠而成的膜层的端部构成槽或孔的侧壁，其中，在所述蚀刻方法中，向所述处理室内供给氟化氢及醇的蒸气，并将所述晶片维持在‑20℃以下、期望维持在‑20至‑60℃的温度，并对所述氧化硅膜从所述端部起横向地进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻处理方法-CN202280005768.0在审
发明人： 服部孝司;山田将贵;秋永启佑 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率、以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜的方法。因此，本发明的蚀刻处理方法是一种干式蚀刻方法，对于在配置于处理室内的晶片上预先形成的、氧化硅膜被氮化硅膜上下夹持而层叠的膜层的端部构成槽或者孔的侧壁的膜构造，向所述处理室内供给处理用气体，在不使用等离子的状态下进行蚀刻，其特征在于，在将该氟化氢气体的分压设为x(Pa)时，将所述晶片在(0.040x‑42.0)℃以下的低温从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
蚀刻处理方法

[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造装置的清洁方法-CN202180017378.0在审
发明人：山田将贵;武居亚纪;黑崎洋辅;服部孝司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能减少腔室内的反应生成物、残留HF的技术。半导体制造装置具备：导入口，其对处理容器内部的处理室内导入包含氟化氢以及醇的蒸汽的处理用的气体；样品台，其配置于所述处理室内，在其上表面装载处理对象的晶片；和导入机构，其对所述导入口导入极性分子气体。
半导体制造装置以及清洁方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202210123448.7在审
发明人： 服部孝司;山田将贵;迈克尔·沃克;凯瑟琳·金;大竹浩人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法，兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率，以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜。一种蚀刻方法，是干式蚀刻方法，在向处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下蚀刻膜构造，其中所述膜构造预先形成于配置在所述处理室内的晶片上，氧化硅膜被氮化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的，其特征在于，供给氟化氢气体，使所述晶片冷却为‑30℃以下，优选为‑30℃～‑60℃，从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置-CN202080020801.8在审
发明人：大竹浩人;服部孝司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了提供能够对氧化铝膜以相对于氧化硅膜以及氮化硅膜高的选择比高精度地进行蚀刻的蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置，具备如下工序：将在上表面配置有氧化铝膜的晶片配置在处理室内，将该晶片维持在‑20℃以下的温度，从在所述晶片的所述上表面的上方空出给定的间隙而配置的板状的构件的多个贯通孔供给氟化氢的蒸气预先决定的期间的，来对所述氧化铝膜进行蚀刻。
蚀刻处理方法以及装置

[发明专利]钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板-CN201380037776.4有效
发明人： 服部孝司;松村三江子;滨村浩孝;田中彻;织田明博;早坂刚;渡边敬司;森下真年;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;足立修一郎 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。
钝化涂布型材料太阳能电池元件硅基板

[发明专利]钝化膜、涂布型材料、太阳能电池元件及带钝化膜的硅基板-CN201380037854.0有效
发明人： 服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：在具有硅基板的太阳能电池元件中使用的钝化膜的构成为包含氧化铝和氧化铌。另外，太阳能电池元件具备由单晶硅或多晶硅形成的p型的硅基板1；在硅基板1的受光面侧形成的n型的杂质的扩散层2；在扩散层2的表面形成的第1电极5；在硅基板1的背面侧形成的第2电极6；和在硅基板1的背面侧的表面形成并具有多个开口部OA的包含氧化铝和氧化铌的钝化膜7；第2电极6按照通过多个开口部OA而与硅基板1的背面侧的表面形成电连接的方式构成。
钝化涂布型材料太阳能电池元件硅基板

[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块-CN201380037778.3有效
发明人：织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;足立修一郎;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池元件，其包含具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。
太阳能电池元件及其制造方法以及模块

[发明专利]太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块-CN201380038129.5有效
发明人：织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;足立修一郎;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池元件，其具有具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
太阳能电池元件制造方法以及模块

[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池-CN201380038106.4在审
发明人：早坂刚;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;足立修一郎;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种钝化层形成用组合物，其包含通式(I)：M(OR¹)_m所表示的化合物、和选自由脂肪酸酰胺、聚亚烷基二醇化合物及有机填料组成的组中的至少1种。M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R¹分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
钝化形成组合半导体制造方法太阳能电池元件

[发明专利]带钝化层的半导体基板及其制造方法-CN201380037755.2在审
发明人：早坂刚;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;足立修一郎;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有：在半导体基板上赋予包含下述通式(I)所表示的化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序、和将上述组合物层在300℃～1000℃下进行热处理而形成钝化层的工序。M(OR¹)m(I)[式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素，R¹分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基，m表示1～5的整数]。
钝化半导体及其制造方法

[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池-CN201380038207.1在审
发明人：足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供包含通式(I)：M(OR¹)_m所示的化合物、填料、液状介质和树脂的钝化层形成用组合物。通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。
钝化形成组合半导体制造方法太阳能电池元件

[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法-CN201380038176.X在审
发明人：足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明的钝化层形成用组合物包含：至少一种通式(I)所示的烷醇盐；选白钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂。通式(I)中，M包含选白Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素。R¹表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。M(OR¹)m (I)。
钝化形成组合半导体及其制造方法以及太阳能电池元件

[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池-CN201380038010.8无效
发明人：田中彻;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;织田明博;足立修一郎;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种钝化层形成用组合物，其含有通式(I)：M(OR¹)_m所表示的化合物和树脂。式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R¹分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
钝化形成组合半导体制造方法太阳能电池元件

[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池-CN201380038209.0无效
发明人：足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种包含通式(I)：M(OR¹)_m所示的化合物的钝化层形成用组合物。式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。
钝化形成组合半导体制造方法太阳能电池元件

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