“中芯北方集成电路制造（北京）有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果48个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210385675.7在审
发明人：王军;苏欣若;刘昌伙;厉渊;杨乐 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：以所述图形化层为掩膜，采用等离子体刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成第一孔洞以及位于所述第一孔洞下的若干相互隔离的第二孔洞，所述图形孔洞与所述第一孔洞相互连通，各所述第二孔洞分别与所述第一孔洞相互连通，所述等离子体刻蚀的方法包括：进行第一阶段刻蚀以形成所述第一孔洞，所述第一阶段刻蚀在所述第一孔洞靠近顶部的侧壁表面产生副产物，所述副产物具有电荷；在所述第一刻蚀阶段之后，进行第二阶段刻蚀，采用刻蚀等离子体刻蚀所述待刻蚀层以形成所述若干第二孔洞，且所述刻蚀等离子体具有与所述副产物相同的电荷，获得的各所述第二孔洞尺寸远小于所述第一孔洞，利于提高芯片的集成度。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种EFEM微环境的控制系统-CN202223449790.0有效
发明人：王军;马一楠 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了一种EFEM微环境的控制系统，包括：热空气传输模块，用于接收蚀刻腔室输出的干燥热空气并传输至所述EFEM，所述干燥热空气用于调节所述EFEM中的温度和湿度；温湿度传感器，设于所述EFEM中，用于检测所述EFEM中的温度和湿度，并输出温度和湿度信号；反馈控制模块，与所述温湿度传感器连接，用于接收所述温度和湿度信号，并对所述干燥热空气的流速进行控制。所述EFEM微环境的控制系统能够改善EFEM的微环境，进而避免设备被腐蚀。
一种 efem 环境控制系统

[发明专利]清洗装置、过滤膜的清洗方法、以及过滤系统-CN202210208583.1在审
发明人：张学海 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：一种清洗装置、过滤膜的清洗方法、以及过滤系统，所述清洗装置用于清洗过滤组件中的过滤膜，所述过滤组件的一端设置有过滤进水口，所述过滤组件的另一端设置有废水出口；所述清洗装置包括：清洗箱，用于存储清洗液；所述清洗箱包括进水端和出水端；清洗管，连接所述清洗箱的出水端和所述过滤进水口；回水管，连接所述废水出口和所述清洗箱的进水端；第一控制阀组件，设置于所述清洗管与所述过滤进水口相连的一端上；第二控制阀组件，设置于所述回水管与所述废水出口相连的一端上。本发明实施例有利于减小过滤膜清洗的成本。
清洗装置滤膜方法以及过滤系统

[发明专利]一种闪存器件及其形成方法-CN202210140396.4在审
发明人：李志国;王军;隋振超;刘玉丽;李越 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供一种闪存器件及其形成方法，所述闪存器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅氧层、栅极层和硬掩膜层；第一沟槽，贯穿所述硬掩膜层、所述栅极层、所述栅氧层且延伸至所述半导体衬底中，其中，所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处呈圆弧。本申请的技术方案中，在形成第一沟槽时暴露所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处，再使用牺牲层圆化处理所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处以及进一步保护所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处，后续继续沿所述第一沟槽刻蚀时不会损伤所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处，可以使半导体衬底和栅氧层的交界处呈圆弧，解决相邻有源区或有源区和控制栅极之间的漏电问题。
一种闪存器件及其形成方法

[实用新型]一种用于炉管设备的管路-CN202320823875.6有效
发明人：樊永泉;段彦波;李超;赵钰锋 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供一种用于炉管设备的管路，包括：壳体，形成有管路通道；设置于管路通道内的多个第一导流片和多个第二导流片；其中，多个第一导流片和多个第二导流片沿第一方向交错设置在管路通道的内壁上，第一导流片与管路通道的内壁在第二方向上具有第一间距，第二导流片与管路通道的内壁在第二方向上具有第二间距。本申请实施例提供的管路作为炉管设备排气管路位于高架地板之上的部分，可以提高炉管设备的排气管路维护保养工作的便利性和安全性。
一种用于炉管设备管路

[发明专利]自动化传输系统的优化方法及系统、设备以及存储介质-CN202111621480.X在审
发明人：顾成俊;杨兵 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种自动化传输系统的优化方法及系统、设备以及存储介质，方法包括：基于预设的命名规则，对当前悬空存储装置进行命名处理，获得悬空存储装置的存储位置信息；预设命名规则包括悬空存储装置所处的加工区；基于悬空存储装置的存储位置信息，获得自动化传输数据；对物料的自动化传输数据进行分析处理，获得处理后信息，包括各个加工区之间的传输信息相关性。通过调整物料所处的悬空存储装置命名规则，使命名规则包括悬空存储装置所处的加工区，能够获得各个加工区之间的传输信息相关性，继而有利于利用自动化传输系统内部运营机制联动来解决局部问题，相应能够针对性地分析与优化自动化传输系统，有利于降低成本、提升自动化传输系统的效率。
自动化传输系统优化方法设备以及存储介质

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202080103847.6在审
发明人：蔡巧明;马丽莎 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一区域和第二区域的基底上形成分立的多晶硅栅极层，第一区域的多晶硅栅极层包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层与底部栅极层围成凹槽，凹槽的侧壁上形成有研磨阻挡层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层；去除第二区域的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。第一区域的多晶硅栅极层具有凹槽，使得顶部栅极层的线宽尺寸、顶面面积以及与相邻顶部栅极层之间间距较小，而且，研磨阻挡层位于凹槽的侧壁，能够在平坦化处理过程中起到研磨阻挡的作用，有利于改善第一区域的多晶硅栅极层的顶面凹陷问题，提升了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种平面闪存器件的形成方法-CN202111383405.4在审
发明人：张思宇;李志国;刘玉丽;郭得亮;隋振超 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供一种平面闪存器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽；在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以及半导体衬底表面沉积隔离材料，所述隔离材料表面高于所述半导体衬底表面设定高度，所述设定高度为所述平面闪存器件的有效场高度；在所述第一隔离结构表面和所述第二隔离结构表面形成牺牲层；在所述半导体衬底表面形成表面与所述牺牲层共面的介质层；去除所述牺牲层。所述平面闪存器件的有效场高度是通过化学机械研磨工艺形成的，可以提高有效场高度均匀性，改善隔离结构表面形貌。
一种平面闪存器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202180055186.9在审
发明人：王金刚;隋振超 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，包括器件单元区和位于器件单元区外周的隔离区；隔离结构，位于隔离区的基底内；器件栅极结构，位于器件单元区的基底上；源漏掺杂层，嵌入于器件栅极结构两侧器件单元区的基底内，源漏掺杂层包括源漏主体层，且位于器件单元区边缘的源漏主体层的侧壁与隔离结构之间相间隔。本发明实施例的半导体结构中，位于器件单元区边缘的源漏主体层侧壁与隔离结构之间相间隔，从而位于器件单元区边缘的源漏主体层的侧壁与隔离结构之间未相接触，有利于防止源漏主体层中的掺杂离子向隔离结构中扩散，进而有利于防止器件的延伸(Extension)电阻升高的问题、改善扩散区长度(LOD)效应，提升了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]退火装置-CN202111370252.X在审
发明人：章志营;张杨;杨文;李楠;肖志强 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种退火装置，装置包括：加热台，所述加热台具有承载面；光源，用于发出激光束；光学组件，设置于所述激光束的光路上，所述光学组件用于调整所述激光束的光路，使所述激光束入射至所述承载面；隔离板，设置于所述承载面与光学组件之间，且与所述承载面相间隔，所述隔离板表面覆盖有隔热涂层。在加热台与光学组件之间设置有隔离板，所述隔离板表面覆盖有隔热涂层，覆盖有隔热涂层的隔离板能够削弱加热台产生的热传导、热对流和热辐射，降低所述光学组件因热应力产生变形的概率，提高激光束入射至承载面后形成的光斑的形貌稳定性。
退火装置

[实用新型]一种晶圆支架-CN202223254718.2有效
发明人：卫德强;梁邦辉 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆支架，所述晶圆支架包括：平台；支撑结构，所述支撑结构包括一体式连接的安装部和支撑部，所述安装部嵌入所述平台中将所述支撑结构安装于所述平台上，所述支撑部的上表面高于所述平台的上表面用于支撑晶圆。本申请提供一种晶圆支架，将支撑结构由贯穿式改成嵌入式，可以避免晶圆表面产生缺陷，提高晶圆加工的质量。
一种支架

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111005927.0在审
发明人：李琨琨;李志国;刘玉丽;隋振超 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互独立的字线栅，所述字线栅顶面具有缓冲层；形成第一保护层和牺牲层，所述第一保护层位于衬底表面、以及字线栅和缓冲层的侧壁面，所述牺牲层位于字线栅和缓冲层侧壁面的第一保护层上；形成第一介质层；回刻蚀第一介质层，直至暴露出所述缓冲层和牺牲层的顶面；回刻蚀第一介质层后，去除牺牲层和缓冲层，在相邻字线栅之间形成凹槽；在形成所述凹槽之后，刻蚀字线栅侧壁的第一保护层，形成第二保护层；在字线栅和第一介质层表面形成第二介质层，以在相邻字线栅之间形成空气侧墙。所述形成方法能够提高所形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202110998715.0在审
发明人：马凯瑞;陶东言;刘金华 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供设计图形，设计图形包括多个主图形，主图形具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。使得目标层在拐角处的应力减少，能够改善应力集中的问题，当目标层四周覆盖有其他膜层时，目标层在拐角处的应力会对其他膜层造成影响，因此，通过减小目标层在拐角处的应力，从而降低覆盖在目标层四周的膜层在目标层的拐角处出现裂纹的概率，进而有利于提高芯片可靠性。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110824571.7在审
发明人：蔡巧明;阎海涛;马丽莎 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在多晶硅栅极层侧部的基底上形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖多晶硅栅极层的侧壁；在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成盖帽介质层；在第一器件区中，刻蚀多晶硅栅极层顶部的盖帽介质层，在盖帽介质层中形成露出多晶硅栅极层的开口；在开口露出的多晶硅栅极层的顶部形成金属硅化物层；去除剩余的盖帽介质层；在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成第二层间介质层；在第一器件区中，在多晶硅栅极层的顶部形成贯穿第二层间介质层的栅极插塞，栅极插塞与金属硅化物相连接。降低第一器件区基底上的第一层间介质层与其他区域基底上的第一层间介质层产生高度差的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110844892.3在审
发明人：蔡巧明;阎海涛;马丽莎 -专利权人： 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区以及位于所述阱区中的像素区；隔离结构，位于所述像素区两侧的阱区中，所述隔离结构包括隔离材料层和位于所述隔离材料层两侧以及底部的第一氧化层；掺杂层，位于所述隔离结构两侧以及底部。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，通过预掺杂后扩散的方式在隔离结构的两侧和底部形成高浓度的掺杂层，所述掺杂层可以防止暗电流的产生，从而解决图像传感器中深沟槽隔离结构导致的暗电流问题。
半导体结构及其形成方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 48 条