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- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202280018923.2在审
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篠田智则;根本拓;加太章生
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琳得科株式会社
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2022-02-28
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2023-10-20
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H01L21/301
- 本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780037693.3有效
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筱田智则;根本拓;中西勇人
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琳得科株式会社
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2017-08-02
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2022-11-08
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H01L23/12
- 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202080090603.9在审
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篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮
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琳得科株式会社
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2020-12-25
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2022-08-12
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H01L21/301
- 一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。
- 半导体芯片制造方法
- [发明专利]片材粘贴方法-CN201980058925.2在审
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根本拓
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琳得科株式会社
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2019-09-19
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2021-04-13
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H01L21/683
- 本发明提供片材粘贴方法，即使采用通过赋予规定的能量从而伴随规定的变形而变化成规定的状态的片材作为第一片材，形成经由第一片材和第二片材将被粘合体支撑于框架部件而成的一体物，并为了使该第一片材变化成规定的状态而赋予了规定的能量，也不会在第二片材上形成褶皱。该片材粘贴方法实施以下工序：第一片材准备工序，准备第一片材(AS1)，该第一片材(AS1)通过被赋予规定的能量而变化成规定的状态；第二片材准备工序，准备第二片材(AS2)；第一粘贴工序，在被粘合体(WK)的一个面(WK1)上粘贴第一片材(AS1)；第二粘贴工序，在粘贴于被粘合体(WK)的第一片材(AS1)和框架部件(RF)上粘贴第二片材(AS2)，形成经由第一片材(AS1)和第二片材(AS2)将被粘合体(WK)支撑于框架部件(RF)而成的一体物(UP)；以及能量赋予工序，对一体物(UP)赋予能量，使第一片材(AS1)变化成规定的状态，第一片材(AS1)通过被赋予能量从而伴随规定的变形而变化成规定的状态，在第一片材准备工序中，考虑到第一片材(AS1)在能量赋予工序中被赋予能量而引起规定的变形，准备具有不从被粘合体(WK)的一个面(WK1)伸出的形状的第一片材(AS1)，在第一粘贴工序中，考虑到第一片材(AS1)在能量赋予工序中被赋予能量而引起规定的变形，以不从被粘合体(WK)的一个面(WK1)伸出的方式，在该被粘合体(WK)上粘贴该第一片材(AS1)。
- 粘贴方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201980053805.3在审
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田久真也;山田忠知;根本拓;森下友尧
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琳得科株式会社
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2019-10-18
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2021-03-30
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H01L21/304
- 本发明的课题在于提供尽管利用由固化性树脂层形成的保护膜来保护具备凸块的半导体晶片的凸块颈部，仍能够同时实现该半导体晶片的薄化与该半导体晶片的翘曲的抑制的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法依次包括下述工序(A)～(E)：(A)在具备凸块的半导体晶片的凸块形成面形成固化性树脂层的工序；(B)使上述固化性树脂层固化而形成保护膜的工序；(C)在上述具备凸块的半导体晶片的上述保护膜的形成面粘贴背磨胶带的工序；(D)在粘贴有上述背磨胶带的状态下，对上述具备凸块的半导体晶片的与上述凸块形成面的相反面进行磨削的工序；(E)从上述磨削后的上述具备凸块的半导体晶片将上述背磨胶带剥离的工序。
- 半导体装置制造方法
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