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- [发明专利]物镜单元及显微镜-CN202310410045.5在审
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木村裕也;薮光纮;森祐介
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株式会社斯库林集团
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2023-04-17
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2023-10-27
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G02B21/24
- 本发明提供一种物镜单元及显微镜。物镜单元(100)包括物镜(55)、第一旋转部件(200)、第二旋转部件(300)以及驱动部(400)。物镜(55)具有补正环(55a)。第一旋转部件(200)安装于物镜(55)。第二旋转部件(300)与第一旋转部件(200)卡合。第一旋转部件(200)具有第一卡合部(211)。第二旋转部件(300)具有与第一卡合部(211)卡合的第二卡合部(320)。第二卡合部(320)配置于第二旋转部件(300)中的周向的一部分。第二旋转部件(300)通过旋转配置于第二卡合部(320)与第一卡合部(211)卡合的卡合位置和第二卡合部(320)从第一卡合部(211)退避的退避位置。
- 物镜单元显微镜
- [发明专利]温度测定方法-CN202310429342.4在审
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小野行雄;大森麻央
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株式会社斯库林集团
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2023-04-20
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2023-10-27
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G01K11/00
- 本发明的目的在于提供一种能正确计算入射到放射温度计的外乱光的强度，而高精度测定衬底的温度的温度测定方法。在将半导体晶圆搬入到腔室之前，进行端缘部放射温度计的测定。搬入半导体晶圆之后，在将半导体晶圆支撑在提升销的状态及将其载置在基座的状态的各状态下，进行端缘部放射温度计的测定。从这些测定值计算半导体晶圆的反射率，基于所述反射率及从石英窗放射的放射光的强度，计算入射到端缘部放射温度计的外乱光的强度。从半导体晶圆的加热处理期间端缘部放射温度计接收到的光的强度减去外乱光的强度，计算半导体晶圆的温度。
- 温度测定方法
- [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202180095377.8在审
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秋山胜哉;吉田幸史
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株式会社斯库林集团
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2021-10-21
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2023-10-27
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H01L21/304
- 基板处理方法包含：亲水性膜形成液供给步骤，将在基板的主面上形成亲水性膜的亲水性膜形成液，朝上述基板的主面进行供给；膜厚降低液供给步骤，将通过使上述亲水性膜溶解而降低上述亲水性膜的厚度的膜厚降低液，朝上述基板的主面进行供给；处理膜形成液供给步骤，在通过上述膜厚降低液供给步骤使上述亲水性膜的厚度降低后，朝上述基板的主面供给处理膜形成液，该处理膜形成液在上述亲水性膜的表面形成用于保持存在于上述基板的主面上的去除对象物的处理膜；以及剥离液供给步骤，将从上述亲水性膜剥离上述处理膜的剥离液，朝上述基板的主面进行供给。
- 处理方法装置
- [发明专利]粒状物处理装置以及粒状物处理方法-CN202310416993.X在审
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伊藤尚充;片冈雅人;西川贵之
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株式会社斯库林集团
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2023-04-18
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2023-10-24
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B65G15/58
- 本发明提供一种能提高关于粒状物的有无的检测结果的可靠性的技术。本发明的粒状物处理装置具备搬送输送机、光传感器(66)和检测处理部(105)。搬送输送机在将粒状物保持在搬送带上形成的吸附孔并搬送粒状物。光传感器(66)在搬送路径上的检测位置测量距粒状物或搬送带的距离。检测处理部(105)具有第一检测部(106)和第二检测部(107)。第一检测部(106)基于吸附孔通过检测位置时的光传感器(66)的输出值是否处于第一范围，来检测粒状物的有无。第二检测部(107)基于搬送带的表面通过检测位置时的光传感器(66)的输出值是否处于与第一范围不同的第二范围，来检测光传感器(66)是否正常工作。第二范围包括从光传感器(66)到搬送带的距离。
- 粒状处理装置以及方法
- [发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN202310437087.8在审
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前川直嗣
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株式会社斯库林集团
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2023-04-21
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2023-10-24
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H01L21/67
- 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)具备：处理槽(110)，用于贮存处理多个基板(W)的处理液；基板保持部(120)，支撑基板(W)的第一侧部(Wp)和第二侧部(Wq)并下降，将多个基板(W)浸渍于处理槽(110)内的处理液中；引导部(140)，配置于处理槽(110)内，并支撑基板(W)的第一侧部(Wp)和第二侧部(Wq)。对多个基板(W)的每一个，基板保持部(120)保持与引导部(140)分离的基板(W)，并在水平方向上相对于引导部(140)相对地移动，使基板(W)的第一侧部(Wp)与引导部(140)接触，然后，基板保持部(120)进行移动而使基板(W)旋转，以使基板(W)的第二侧部(Wq)与引导部(140)接触。
- 处理装置方法
- [发明专利]图像取得装置以及图像取得方法-CN202310415533.5在审
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安田拓矢
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株式会社斯库林集团
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2023-04-18
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2023-10-20
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H04N23/951
- 本发明提供图像取得装置、图像取得方法。图像取得装置取得多个拍摄图像(71)，多个拍摄图像(71)分别表示将对象物上的预定区域分割而得的多个分割区域，并在表示彼此邻接的分割区域的各图像对(72)中设置局部重叠的重叠区域(73)。在各图像对(72)的重叠区域(73)中通过模板匹配生成表示类似度的分布的类似度映射(74)，确定各图像对(72)中的相对的位置偏移量。将在类似度映射(74)中产生方向性的图像对(72)设为特定图像对(72)，使特定图像对(72)的权重比其他图像对(72)小，并基于多个拍摄图像(71)中包含的多个图像对(72)中的位置偏移量决定多个拍摄图像(71)的结合位置。由此，能够高精度地结合多个拍摄图像(71)。
- 图像取得装置以及方法
- [发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202311100538.5在审
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河原崎光
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株式会社斯库林集团
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2018-11-20
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2023-10-20
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H01L21/67
- 本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该温度数据依次存储，获取温度曲线。分析部(31)从该温度曲线中确定闪光照射后的半导体晶片的最高测量温度，并基于该最高测量温度计算半导体晶片从基座跳跃的跳跃量。在计算出的跳跃量超过规定的阈值的情况下，半导体晶片的位置发生较大偏移的可能性较高，因此停止搬出该半导体晶片。
- 热处理方法装置
- [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201810903028.4有效
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西出基;伊豆田崇
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株式会社斯库林集团
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2018-08-09
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2023-10-20
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H01L21/302
- 本发明供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够抑制从喷嘴的喷出口吹溅液体。该基板处理方法包括第一步骤与第二步骤。第一步骤中，将硫酸与双氧水的混合液，通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤之后，在第二步骤中，将双氧水通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入至所述配管的混合液导入开始步骤；(B)在(A)之后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤；(C)在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤；(D)在与(B)同时或其刚结束后，降低导入至所述配管的所述双氧水的流量或者使流量为零的缓冲步骤。
- 处理方法装置
- [发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201780053402.X有效
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松井则政
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株式会社斯库林集团
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2017-07-12
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2023-10-20
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H01L21/306
- 本发明目的在于抑制基板的损伤并且提高基板的处理效率。为了实现该目的，基板处理装置具备：处理槽，收容磷酸水溶液，且对已浸渍于该磷酸水溶液中的基板施加蚀刻处理；水蒸气供给机构，供给水蒸气；非活性气体供给机构，供给非活性气体；混合机构，从水蒸气供给机构被供给水蒸气，并且从非活性气体供给机构被供给非活性气体，且混合所供给来的水蒸气和非活性气体以生成混合气体；气泡产生器，从混合机构被供给混合气体，并且将所供给来的混合气体吹出至磷酸水溶液中以产生混合气体的气泡；以及流量调整机构，调整水蒸气供给机构所供给的水蒸气的流量和非活性气体供给机构所供给的非活性气体的流量，以使混合气体的湿度成为目标湿度。
- 处理装置方法
- [发明专利]拍摄装置、检查装置、检查方法及衬底处理装置-CN202310350485.6在审
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菱谷大辅
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株式会社斯库林集团
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2023-04-03
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2023-10-17
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H01L21/67
- 本发明涉及一种拍摄装置、检查装置、检查方法及衬底处理装置。本发明提供能够良好地拍摄半导体晶圆等被拍摄物的周缘部且具有优异的通用性的拍摄装置、能够使用该拍摄装置检查被拍摄物的周缘部的检查技术、以及装备该拍摄装置的衬底处理装置。本发明具备：光源，从远离被拍摄物的位置朝向拍摄被拍摄物的周缘部的拍摄位置照射照明光；头部，具有：漫射照明部，在拍摄位置处利用通过使来自光源的照明光漫反射而产生的漫射光来对周缘部进行照明；及导引部，将由利用漫射光照明的周缘部反射的反射光向远离被拍摄物的位置引导；及拍摄部，在远离被拍摄物的位置接收由导引部引导的反射光且取得周缘部的像。
- 拍摄装置检查方法衬底处理
- [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202310363079.3在审
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高桥朋宏
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株式会社斯库林集团
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2023-04-04
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2023-10-17
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B08B3/02
- 本发明提供一种能有效地减少磷酸处理中使用的磷酸液的使用量的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置(100)具备：第一贮留槽(110)，贮留磷酸液；第二贮留槽(120)，贮留冲洗液；基板保持部(130)，保持基板并下降，将基板(W)浸渍于第二贮留槽(120)的冲洗液中；以及冲洗液转用部(140)，向第一贮留槽(110)供给在第二贮留槽(120)中将基板(W)浸渍于冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的第二贮留槽(120)的冲洗液，停止向第一贮留槽(110)供给冲洗液浸渍期间中的特定期间之后的期间的第二贮留槽(120)的冲洗液。
- 处理装置方法
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