[发明专利]半导体放电管半导体芯片无效
| 申请号： | 01126802.6 | 申请日： | 2001-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1409405A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴平靖 | 申请（专利权）人： | 吴平靖 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 200233 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，其掺杂为高斯分布，其特征在于第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，其掺杂为高斯分布，第二导电型短基区内有掺杂为余误差分布的第二导电型层，第二导电型短基区内有第一导电型发射区，其掺杂为高斯分布，第一导电型发射区内有掺杂为余误差分布的第一导电型层，第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间层外侧面的金属化层，第二导电型短基区外侧有环槽，本发明的优点是半导体放电芯片有大范围的耐压耐流，响应时间快，开通延迟时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 放电 芯片 | ||
【主权项】：
1、半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，第一导电型长基区中间层掺杂为高斯分布，其特征在于：第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，第二导电型短基区掺杂为高斯分布，第二导电型短基区内有一掺杂为余误差分布的第二导电型层，第二导电型短基区内有第一导电型发射区，第一导电型发射区掺杂为高斯分布，第一导电型发射区内有一掺杂为余误差分布的第一导电型层，第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间层外侧面的金属化层，第二导电型短基区外侧有环槽，
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- 2010-12-21 - 2011-09-07 - H01L29/00
- 本发明涉及一种太赫兹光子片上控制系统及其控制方法。所述系统包括半导体异质结，所述半导体异质结表面形成有二维电子气；等离激元波导；形成于所述半导体异质结表面的第一源电极、第一漏电极、第一门电极，所述第一源电极、第一漏电极和第一门电极用于形成太赫兹源量子点；形成于所述半导体异质结表面的第二源电极、第二漏电极、第二门电极，所述第二门电极，所述第二源电极、第二漏电极和第二门电极用于形成太赫兹探测量子点。本发明的太赫兹光子片上控制系统利用表面等离激元将太赫兹源、探测、传播和调制元件集成于一块芯片，能进行片上太赫兹光子的操控。
- 分立半导体器件和形成密封沟槽结终端的方法-200980138445.3
- R·R·鲍曼 - 特里昂科技公司
- 2009-07-24 - 2011-08-31 - H01L29/00
- 一种分立半导体器件具有基板，其具有第一导电类型的半导体材料。第一半导体层在该基板上形成。该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料。第二半导体层在第一半导体层上。该第二半导体层具有第二导电类型的半导体材料。沟槽穿过该第二半导体层形成且延伸到该第二半导体层中。沟槽具有圆形或多边形形状以及垂直侧壁。沟槽衬有绝缘层且填充有绝缘材料。该第一和第二半导体层之间的边界形成p-n结。该沟槽环绕该p-n结以终止在该第二半导体层上强加的电压的电场。该分立半导体器件还可以是晶体管、晶闸管、三端双向可控硅开关元件或瞬时电压抑制器。
- 专利分类
