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[发明专利]光学通路调制器及制造方法、图像识别传感器和电子设备-CN201780002187.0有效
发明人：沈健;王红超 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：一种光学通路调制器(41)及制作方法、图像识别传感器(130)和电子设备(100)，光学通路调制器(41)包括：形成有光采集通路(11)的基材(1)和非透光层(2)；非透光层(2)覆盖于基材(1)上除光采集通路(11)以外的表面上。非透光层(2)能够有效阻挡光信号进入光学通路调制器(41)的基材(1)，从而在各光采集通路(11)之间形成有效的光阻隔，避免各光采集通路(11)中的光信号产生干扰，保证成像的对比度，从而有效提高光学成像的质量。
光学通路调制器制造方法图像识别传感器电子设备

[发明专利]双面电容器及其制作方法-CN201880001021.1有效
发明人：陆斌;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及双面电容器及其制造方法。该双面电容器包括：在SOI衬底的两个表面刻蚀深度未到达中间绝缘层的沟槽(105,106)以及深度超过中间绝缘层的沟槽结构(107,108)；在沟槽(105,106)以及沟槽(107,108)表面依次沉积绝缘电介质薄膜和导电材料，其中，需要去除沟槽(107,108)底部绝缘材料，在沟槽(107,108)中填充导电材料成为导电通道。SOI衬底的上层导电通道与上层绝缘且与下层导通；下层导电通道与下层绝缘且与上层导通。因此，本申请实施例的双面电容器不仅避免了刻蚀贯穿衬底的沟槽，使得整个结构机械强度更好，而且利用了SOI晶圆本身的衬底电容，从而电容更大。
双面电容器及其制作方法

[发明专利]物理不可克隆函数PUF装置-CN201880001101.7有效
发明人：王文轩;沈健;李运宁 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F21/72 文献下载
摘要：本申请实施例涉及PUF装置和输出随机序列的方法，该PUF装置包括：至少一个PUF单元和至少一个处理单元，该至少一个PUF单元中第一PUF单元包括两个MOS管，该两个MOS管的两个源极连接相同的输入电压；该两个MOS管的两个栅极浮空；该两个MOS管的两个漏极分别与该至少一个处理单元中的第一处理单元连接，该第一处理单元用于：在该输入电压大于或者等于预设电压时，根据该两个MOS管的两个漏极输出的两个结果之间的差异，输出与该第一PUF单元对应的第一随机值。本申请实施例的该PUF装置结构简单，实现功能过程中无物理破坏，不易从装置端被破解。
物理不可克隆函数 puf 装置

[发明专利]触摸控制器、触控显示系统及触控显示同步方法-CN201880000175.9有效
发明人：林永福;徐建昌 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请提供一种触摸控制器，包括：侦测电路，用于侦测显示面板被驱动而通过触摸传感器所产生的感应信号，根据感应信号获得至少一同步信号；和触摸检测电路，用于根据同步信号输出触控驱动信号至触摸传感器。本申请提供的触摸控制器通过触摸传感器从显示面板获得同步信号，从而降低触摸控制器与面板驱动电路之间的信号干扰。
触摸控制器显示系统同步方法

[发明专利]沟槽式电容器及其制造方法-CN201880001028.3有效
发明人：陆斌;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及沟槽式电容器及其制造方法。该电容器的制造方法包括：在SOI衬底的半导体层(100)制作深度到达中间绝缘层的沟槽(107)；还可以通过选择性外延生长的技术，在沟槽(107)侧壁生长半导体层(100)的外延层，进一步缩减沟槽宽度；在沟槽(107)中填充电绝缘材料(110)；最后通过表面电极再分布制作电容器的两个电极(111,112)。本申请实施例的沟槽式电容器及其制造方法，其工艺流程简单，且所制造的电容兼具高电容密度和高击穿电压两个优点。
沟槽电容器及其制造方法

[发明专利]忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料-CN201880001001.4有效
发明人：姚国峰;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料，该制备方法包括：采用等离子体辅助原子层沉积工艺在衬底上沉积金属氮化物，得到金属氮化物衬底；将所述金属氮化物衬底置于真空进行激光退火处理，得到用于制备阻变式存储器的忆阻器电极的忆阻器电极材料；其中，所述忆阻器电极材料中的金属氮化物的性能指标满足以下条件：电阻率低于100微欧厘米，碳元素的残留低于1原子百分比，含氧量低于10原子百分比，金属和氮的原子数量的比值与1的差值的绝对值小于0.1。
忆阻器电极材料制备方法装置

[发明专利]电熔丝及其制造方法、存储单元-CN201880001204.3有效
发明人：王文轩;沈健;王红超 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种电熔丝及其制造方法、存储单元，方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括预设有源区；在半导体衬底上形成隔离区，其中，所述隔离区与所述预设有源区之间具有高度差并通过至少一侧壁相连；在所述预设有源区上形成阴电极和阳电极；以及在所述侧壁上形成用于连接所述阴电极和阳电极的熔断体，使得熔断体的线宽脱离半导体工艺的极限线宽限制，实现电熔丝的实际线宽可以小于半导体工艺的极限线宽，尤其在同一半导体工艺平台下摆脱其极限线宽的限制从而实现较小的电熔丝实际线宽，从而在熔断时需要的熔断电流较小，进一步地，作为其控制单元的晶体管结构也较小，从而减小了单一存储单元所占面积，提高了存储器的存储容量。
电熔丝及其制造方法存储单元

[发明专利]光路调制器及其制作方法、指纹识别装置和终端设备-CN201780002010.0有效
发明人：王红超;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G06V40/12 文献下载
摘要：一种光路调制器(300)，应用于指纹识别装置(130)，用于将从手指表面反射回来的反射光导引至设置在光路调制器(300)下方的光学检测单元(134)，光学检测单元(134)用于对接收到的反射光进行检测，其中，光路调制器(300)的上表面与下表面之间具有通孔阵列，通孔阵列包括多个倾斜通孔，其中每个倾斜通孔的倾斜角度大于0°，倾斜角度为倾斜通孔的轴线方向与垂直于光路调制器(300)表面的法线方向之间的夹角。由于该光路调制器(300)具有由倾斜通孔组成的通孔阵列，在相同孔深的情况下，可以得到更薄的光路调制器的(300)厚度。并且，通过调整光路调制器(300)里边的倾斜通孔的倾斜角度，可以有效地改变光路的传播路径和角度，使其对光路的调制更为灵活。
调制器及其制作方法指纹识别装置终端设备

[发明专利]充电检测电路、充电盒、耳机的通信装置和耳机-CN201880000298.2有效
发明人：程树青;阙滨城;杨明 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：提供了一种充电检测电路、充电盒、耳机的通信装置和耳机。该充电检测电路包括：第一触点、第二触点、切换电路、充电电路、检测电路和第一通信电路；该切换电路与该第一触点相连；该充电电路通过该第二触点与该检测电路相连；该第一通信电路与该第一触点和/或该第二触点相连；该第一触点的供电电压为该系统电压，且该第一触点和该第二触点均与第一设备接触时，该检测电路触发该第一通信电路获取该第一设备的电量状态；该电量状态为亏电状态时，该控制信号控制切换电路将该第一触点连接至该充电电压，以使该充电电路对该第一设备进行充电。本申请实施例中，通过该第一通信电路与第一设备之间的信息交互，能够准确地掌握该第一设备的电量状态。
充电检测电路耳机通信装置

[发明专利]组网方法、芯片及无线网络系统-CN201880000257.3有效
发明人：邹景华;杨显旭;杨柯 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H04W84/18 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种组网方法、芯片及无线网络系统，属于通信技术领域。该组网方法，方法包括：与主设备建立第一通信链路；与至少一个外围从设备建立第二通信链路，形成从设备局域网；向各外围从设备发送第一通信链路的链路信息，以使各外围从设备根据链路信息与主设备建立侦听链路，侦听第一通信链路上传输的数据。该组网方法能够实现多方共享数据。
组网方法芯片无线网络系统

[发明专利]电容器及其制作方法-CN201880001099.3有效
发明人：陆斌;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种电容器及其制作方法，该电容器包括：半导体衬底(101)，包括相对设置的上表面和下表面；至少一第一沟槽(108)，设置于半导体衬底(101)，并自该上表面向下形成；至少一第二沟槽(109)，设置于半导体衬底(101)且对应于该第一沟槽(108)，并自该下表面向上形成；第一导电层(103)，设置在半导体衬底(101)上方和该第一沟槽(108)内；第一绝缘层(102)，设置于半导体衬底(101)与该第一导电层(103)之间；第二导电层(105)，设置在半导体衬底(101)上方和该第一沟槽(108)内，且该第二导电层(105)与半导体衬底(101)电连接；第二绝缘层(104)，设置于该第二导电层(105)与该第一导电层(103)之间；第三导电层(107)，设置在半导体衬底(101)下方和该第二沟槽(109)内；第三绝缘层(106)，设置于该第三导电层(107)与半导体衬底(101)之间，该第三导电层(107)与该第一导电层(103)电连接。
电容器及其制作方法

[发明专利]主从角色转换方法、芯片与数据传输系统-CN201880000275.1有效
发明人：邹景华;郭仕林 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H04W4/70 文献下载
摘要：本申请涉及无线网络技术领域，提供了一种主从角色转换方法、芯片与数据传输系统。方法包括向选定的从设备发送角色互换请求，其中，选定的从设备为与主设备连接的至少一从设备中的一个；当接收到选定的从设备反馈的包括用于角色转换的第一信息的应答后，生成用于角色转换的第二信息；将第二信息发送至选定的从设备，以供选定的从设备根据第二信息转换为主设备角色，与数据源设备以第一数据链路进行通信；根据第一信息转换为从设备角色，以第二数据链路与数据源设备连接。本申请还提供了一种芯片与数据传输系统。本申请中，实现了主设备与选定的从设备之间的角色转换；同时，整个角色转换过程对数据源设备没有任何影响，从而不影响应用数据的传输。
主从角色转换方法芯片数据传输系统

[发明专利]电容检测电路、触摸检测装置和终端设备-CN201880000278.5有效
发明人：袁广凯;蒋宏;李国炮 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本申请提供一种电容检测电路和触摸检测装置，能够提高电容检测的灵敏度。该电容检测电路包括前端电路和处理电路；其中，所述前端电路包括第一驱动电路、第一抵消电路和PGA电路，所述第一驱动电路、所述第一抵消电路和所述PGA电路均与所述待测电容器的第一端相连，所述待测电容器的第二端接地，所述第一驱动电路用于对所述待测电容器进行充放电，所述第一抵消电路用于抵消所述待测电容器的基础电容，所述PGA电路用于将抵消所述基础电容后的所述待测电容器的电容信号转化为电压信号；所述处理电路与所述前端电路的输出端相连，用于根据所述前端电路输出的电压信号确定所述待测电容器的电容相对于所述基础电容的电容变化量。
电容检测电路触摸装置终端设备

[发明专利]电容器及其加工方法-CN201880001218.5在审
发明人：陆斌;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种电容器及其加工方法。该电容器包括用于形成三维电容的结构，该结构为凸起结构或沟槽结构；其中，当该结构为凸起结构时，该凸起结构的高宽比大于10；当该结构为沟槽结构时，电容器还包括衬底，该沟槽结构通过设置在该衬底上的基础沟槽表面的物料层形成，该沟槽结构的深宽比大于10。该电容器的凸起结构的高宽比或者沟槽结构的深宽比可以大于10，使得其电容器的性能更好。
电容器及其加工方法

[发明专利]电容器及其制作方法-CN201880001016.0在审
发明人：陆斌;沈健 -专利权人： 深圳市为通博科技有限责任公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种电容器及其制作方法，电容器可以实现更小封装体积、更高容量，并且电容器的制作方法具有工艺流程简单，制作成本低廉的优点。该电容器包括：第一半导体层；第二半导体层；第一绝缘体层，设置于该第一半导体层和该第二半导体层之间；至少一个导电结构，该导电结构沿第一方向贯穿该第一半导体层和该第一绝缘体层，且与该第二半导体层电连接，该导电结构与该第一半导体层之间设置有绝缘侧壁，该绝缘侧壁电隔离该导电结构与该第一半导体层；第一电极层，与该第一半导体层电连接，且与该至少一个导电结构电隔离；以及第二电极层，与该第二半导体层电连接。
电容器及其制作方法

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