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- [发明专利]用于互连结构的含氮金属帽-CN200910163320.8有效
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杨智超;胡朝坤
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国际商业机器公司
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2009-08-11
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2010-02-17
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H01L23/532
- 本发明提供一种互连结构,其具有增强的电迁移可靠性而不使电路短路发生率恶化,并具有改善的技术可扩展性。本发明的互连结构包括具有约3.0或更小的介电常数的介电材料。介电材料具有至少一种导电材料嵌入在其中。含氮贵金属帽主要(即基本上)位于所述至少一个导电区的上表面上。含氮贵金属帽不延伸到介电材料的上表面上。在一些实施例中,含氮贵金属帽与嵌入的导电材料自对准,而在其他实施例中,含氮贵金属帽的一些部分延伸到将所述至少一种导电材料与介电材料分隔的扩散阻挡层的上表面上。本发明还提供利用低温(约200℃或更低)化学沉积工艺制造这样的互连结构的方法。
- 用于互连结构金属
- [发明专利]用表面涂敷方法降低铜布线的电迁移和应力引起的迁移-CN00810831.5无效
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胡朝坤;罗伯特·罗森博格;朱迪思·M·鲁宾诺;卡洛斯·J·撒姆布赛蒂;安舍尼·K·斯坦伯尔
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国际商业机器公司
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2000-07-27
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2002-08-14
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H01L21/768
- 本发明的想法是在淀积层间介质之前,用1-20nm厚的金属层(63,74)涂敷芯片上互连(BEOL)布线中的被图形化的铜导线(60,70)的自由表面。这一涂层要足够薄,以便免除对抛光额外整平的需要,同时提供抗氧化、抗铜的表面或界面扩散的保护,本发明人已经证实铜的表面和界面扩散是电迁移和热应力空洞造成金属线条失效的首要原因。金属层(63,74)还提高了铜(60,70)与介质(66)之间的粘附强度,从而进一步提高了寿命和工艺成品率。自由表面是镶嵌工艺或干法腐蚀工艺中用以对铜布线进行图形化的CMP(化学机械抛光)的直接结果。提出了用选择性工艺将金属覆盖层(63,74)淀积到铜上以便尽量减少进一步处理。虽然能够使用金属或金属形成的化合物来进行化学汽相淀积(CVD),但我们已经使用诸如CoWP、CoSnP和Pd之类的无电金属涂敷方法来演示明显的可靠性好处。
- 表面方法降低布线迁移应力引起
- [发明专利]电子结构及其形成方法-CN01143660.3有效
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小西里尔·卡布拉尔;罗伊·A·卡拉瑟斯;詹姆斯·M·E·哈珀;胡朝坤;李金阳;伊斯梅尔·C·诺延;罗伯特·罗森伯格;托马斯·M·肖
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国际商业机器公司
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2001-12-17
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2002-07-24
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H01L23/532
- 本发明公开了一种用于电子结构中的导电体,它包括一种由含有约0.001%(原子)到大约2%(原子)之间的选自Ti,ZrIn,Sn和Hf中的元素的合金所形成的导电体,和一种邻接所述导电体,由含有Ta,W,Ti,Nb和V的合金所形成的衬。本发明还公开了一种用于半导体内连接件的衬,它由选自Ti,Hf,In,Sn,Zr及其合金,TiCu3,Ta1-xTix,Ta1-xHfx,Ta1-xInx,Ta1-xSnx,Ta1-xZrx中的材料形成。
- 电子结构及其形成方法
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