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[发明专利]晶体生长用籽晶下置式装置-CN201911109067.8有效
发明人：卓世异;刘学超;严成锋;忻隽;孔海宽;施尔畏 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体生长用籽晶下置式装置，包含圆筒状的下置式坩锅和圆筒状的保温结构，保温结构紧密地包裹在下置式坩锅的周围；保温结构包括：保温结构中部圆筒；设置于保温结构中部圆筒上方的保温结构上封顶盖；设置于保温结构中部圆筒下方的保温结构下封底托，保温结构下封底托中形成有一孔；对孔进行封堵的保温结构底部垫片；下置式坩锅包括：坩锅中部圆筒；设置于坩锅中部圆筒上方的坩锅上封顶盖；用以放置原料且设置于坩锅中部圆筒的内壁的环状凹槽；设置于坩锅中部圆筒下方的坩锅下封底托；及设置于坩锅下封底托上用以放置籽晶的漏斗状的晶片支撑架。本发明可实现升华‑凝华类晶体的高结晶质量、特定掺杂、大晶碇尺寸的应用需求。
晶体生长籽晶下置式装置

[发明专利]分步生长弱磁性Fe-V共掺杂SiC晶体的方法-CN201911043221.6有效
发明人：卓世异;刘学超;严成锋;施尔畏 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及分步生长弱磁性Fe‑V共掺杂SiC晶体的方法，所述方法包括：（1）将高纯SiC晶体块、Fe粉和V粉混合后置于坩埚底部作为晶料，并在所述晶料表面平铺一层碳化硅粉体，再以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始晶体生长，得到过量Fe‑V共掺杂SiC晶体，所述Fe粉和V粉的加入量＞Fe和V在SiC晶体中室温下的固溶度；（2）将所得过量Fe‑V共掺杂SiC晶体切块处理后置于坩埚底部，以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始二次生长，得到所述弱磁性Fe‑V共掺杂碳化硅晶体。
分步生长磁性 fe 掺杂 sic 晶体方法

[发明专利]一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法-CN202010018627.5有效
发明人：王升;郑燕青;熊开南;涂小牛;殷利斌;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法，所述方法包括：（1）将La2O3粉体、Ga2O3粉体和SiO2粉体按摩尔比3:5(1+x):(1‑y)称量，并加入玛瑙球或氧化锆球、以及酒精为混料介质，湿法球磨混合后烘干，再经压块和烧结，得到原料块；（2）在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入原料块并密封；（3）将至少一个坩埚置于坩埚下降炉中，然后在1500～1530℃下保温5～10小时，使得原料块和籽晶顶部熔化；（4）然后以0.1～0.5mm/小时的速率下降的同时并保持生长温度以1～3℃/分钟的升温速率升温，直至原料块全部结晶后停止下降，随后冷却至室温，得到所述大尺寸硅酸镓镧晶体。
一种批量制备尺寸硅酸晶体方法

[发明专利]一种晶体生长装置及晶体生长方法-CN201910640864.2有效
发明人：高攀;忻隽;孔海宽;刘学超;施尔畏 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长装置及晶体生长方法，所述晶体生长装置包括：具有石墨顶盖的石墨坩埚，其中，石墨坩埚底部用于放置多晶原料，石墨顶盖朝向底部一侧固定有仔晶；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分石墨顶盖的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的多个感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层。
一种晶体生长装置方法

[发明专利]一种晶体原位碳化退火装置及方法-CN201910641432.3有效
发明人：高攀;忻隽;孔海宽;刘学超;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体原位碳化退火装置及方法，所述晶体原位碳化退火装置包括：形成生长室并在其内部生长晶体的石墨坩埚；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分坩埚顶部的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层，所述上保温层朝向所述石墨坩埚一侧悬挂硅粉装载单元，所述上保温层在晶体稳定生长时位于远离坩埚的生长炉顶部，当生长结束时，下降所述上保温层，盖住所述石墨坩埚并借助退火温度使硅粉装载单元释放硅气氛进入所述生长室。
一种晶体原位碳化退火装置方法

[发明专利]一种非线性光学晶体及其制备方法和应用-CN201910675715.X在审
发明人：殷利斌;郑燕青;王升;涂小牛;熊开南;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述非线性光学晶体为钐掺杂的铌酸镓镧晶体，化学式为(La1‑xSmx)Nb0.5Ga5.5O14，其中0＜x≤0.5。
一种非线性光学晶体及其制备方法应用

[发明专利]5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法-CN201711385193.7有效
发明人：涂小牛;郑燕青;王升;熊开南;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法，包括：籽晶在高于晶体生长原料熔化温度5℃～20℃下接触到晶体生长原料熔体；以2～4mm/h的提拉速度、18～24rpm的旋转速度提拉籽晶，并升温，使提拉高度为3～6mm；以0.5～1.5mm/h的提拉速度、14～24rpm的旋转速度提拉晶体，并降温；以0.5～1.5mm/h的提拉速度、14～24rpm的旋转速度提拉晶体；以2～5mm/h的提拉速度、20～24rpm的旋转速度提拉晶体，并升温；以40～80mm/min的提拉速度、5～10rpm的旋转速度提拉晶体使其脱离熔体，然后降至室温。
英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法

[发明专利]一种铌酸镓镧单晶的制备方法-CN201910675926.3有效
发明人：王升;郑燕青;殷利斌;涂小牛;熊开南;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸镓镧单晶的制备方法，包括：（1）按照La2O3粉体、Ga2O3粉体和Nb2O5粉体的摩尔比3:（5.5+5.5x）:0.5称量并混合后压制成块，再经合成后，得到多晶料块，其中x=0～0.01；（2）在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入所述多晶料块并密封；（3）将至少一个坩埚置于坩埚下降炉的高温区，调整坩埚位置使所述多晶料块在1520～1550℃保温5～10小时，使得多晶料块和籽晶的顶部融化；（4）在控制坩埚的下降速度为0.2～0.5mm/小时的同时保持生长温度以0～3℃/天的升温速率升温，直至多晶料块全部结晶后停止下降，最后降至室温，得到所述铌酸镓镧单晶。
一种铌酸镓镧单晶制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法-CN201810629902.X有效
发明人：高攀;忻隽;孔海宽;严成锋;郑燕青;刘学超;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，该装置包括：用以采用物理气相传输方法生长碳化硅单晶的坩埚，裹绕所述坩埚的保温层，位于所述保温层外侧的感应线圈，载置有所述坩埚的底座，通过石墨杆和第一连接杆与所述底座连接并将所述坩埚调平居中的调节装置，和连接至所述调节装置的晶体生长设备的传递装置。本发明提供了一种通过石墨杆、第一连接杆和调节装置连接坩埚与生长炉的传递装置的简易装置，使碳化硅晶体生长过程中坩埚不仅围绕中心旋转而且可以调平居中，从而实现晶体生长过程中和降温时温度场的均匀一致，提高碳化硅晶体的质量与成品率。
一种碳化硅晶体生长过程调节旋转坩埚装置方法

[发明专利]高电阻率宽禁带半导体材料本征光电导率测试方法及系统-CN202010620287.3在审
发明人：黄维;郑重;韩伟伟;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种高电阻率宽禁带半导体材料本征光电导率测试方法，包括：制备在由高电阻率宽禁带半导体材料构成的衬底的厚度方向两侧表面上分别形成有作为阳极的实心电极和作为阴极且覆盖有透明导电薄膜的空心电极的光电导率测试样品，并将其接入测试电路；通过光阑沿垂直于透明导电薄膜的方向向其施加激光束；调节光阑的孔径，在每个孔径下利用示波器获取测试电路中连接的电容器两端的电压峰值和用于检测光电导率测试样品在激光束照射下产生的光生载流子所引起的电流变化的电流探测器的电压峰值；根据电容器的两端的电压峰值和电流探测器的电压峰值计算每个孔径下的光电导率测试样品的最小通态电阻；拟合多组孔径与最小通态电阻得到衬底的本征光电导率。
电阻率宽禁带半导体材料电导率测试方法系统

[发明专利]晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法-CN201810069412.9有效
发明人：高攀;王乐星;忻隽;刘学超;郑燕青;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚集形成的热应力得到有效释放，降低晶体的开裂率，提高晶体的成品率。
晶体生长坩埚以及释放碳化硅晶体应力方法

[实用新型]一种激光定向检测碳化硅极性装置-CN201921339155.2有效
发明人：顾青龙;施尔畏;孔海宽;陈辉 -专利权人：安吉圆磨机械科技有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所湖州先进材料产业创新中心
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01R31/56 文献下载
摘要：本实用新型属于碳化硅检测技术领域，尤其是一种激光定向检测碳化硅极性装置，针对现有的碳化硅极性测试操作不便，极性检测不准确的缺点，而提出如下方案，其包括机架，所述机架的一侧设有检测台和冷却水箱，机架的顶侧设有旋转工作台，旋转工作台的顶侧放置有碳化硅晶体，检测台的顶侧固定安装有两个滑轨，两个滑轨的顶侧滑动安装有同一个移动板，移动板的顶侧固定安装有安装架，安装架上设有安装板。碳化硅外圆和晶体磨削完成后，将待检测极性的碳化硅晶体放置在旋转工作台上，伺服电机控制安装板向右移动，探针触碰到碳化硅晶体的外圆时，旋转工作台开始旋转，当极性定向准确后，伺服电机停止，碳化硅晶体的极性测试准确，操作方便。
一种激光定向检测碳化硅极性装置

[实用新型]一种碳化硅晶体专用整形一体机-CN201921339113.9有效
发明人：顾青龙;陈辉;孔海宽;施尔畏 -专利权人：安吉圆磨机械科技有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所湖州先进材料产业创新中心
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型属于碳化硅晶体领域，尤其是一种碳化硅晶体专用整形一体机，针对现有的碳化硅晶体在在进行检测整形过程中，一般都是采用人工去完成，人工的工作效率低，且传统的碳化硅晶体在检测整形过程中，自动化程度低的问题，现提出如下方案，其包括床身，所述床身上设有立柱，立柱上设有托板，托板上设有两个主轴头，两个主轴头上均设有砂轮，砂轮的下方设有位于床身上的工作台，床身的一侧设有操作台，气动刹车打开，使整个工作台固定，然后外圆砂轮下刀进行磨削，工作台前后移动，在极性位置磨削毫米切口，可以活动移动的推车台，实现了自动化对碳化硅晶体进行检测整形，精准性高，使用方便。
一种碳化硅晶体专用整形一体机

[发明专利]微米级厚度晶片承载台-CN201711404483.1有效
发明人：卓世异;刘学超;严成锋;黄维;陈卫宾;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，从该承载台的顶面向下方形成台阶，在所述台阶的中央向下形成凹陷并在台阶顶部形成用于载置晶片的环形表面，还具备三个以上凹槽，所述凹槽以如下形式设置：使所述承载台的所述顶面以及所述环形表面具有一定宽度的开口，同时使所述承载台的侧面具有一定深度的开口，所述承载台的侧面的所述开口的深度大于所述环形表面与所述承载台的所述顶部的高度差。
微米厚度晶片承载

[实用新型]一种激光定向检测台-CN201921339156.7有效
发明人：顾青龙;陈辉;施尔畏;孔海宽 -专利权人：安吉圆磨机械科技有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所湖州先进材料产业创新中心
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于检测装置领域，尤其是一种激光定向检测台，针对现有的检测装置较为简单，无法准确的对将激光发射器和工件进行定位的问题，现提出如下方案，其包括检测台，所述检测台的顶侧固定安装有左右直线导轨，左右直线导轨上滑动安装有左右移动架，检测台的顶侧固定安装有位于左右直线导轨内的左右移动伺服电机，左右移动伺服电机的输出轴通过联轴器固定安装有左右移动丝杆，本实用新型中，使用时可以灵活推到机床附近使用，左右通过左右伺服电机带动丝杆导轨上的移动架移动，将激光发射器送到工件所在位置，上下通过手动调节，方便对位操作，且激光发射器和接收器可以微调，满足了人们的使用需求。
一种激光定向检测

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