专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种热敏达林顿三级管-CN201320353569.7有效
  • 高宗利 - 辽阳泽华电子产品有限责任公司
  • 2013-06-20 - 2014-01-29 - H01L25/00
  • 一种热敏达林顿三级管,包括塑封体和达林顿管管芯及引出的发射极、基极和集电极、热敏电阻芯片,所述的达林顿管管芯的基极串接一个热敏电阻芯片,该热敏电阻芯片与达林顿管管芯设于同一塑封体内。本实用新型的有益效果在于:当达林顿管管芯的发射极电流Ie、集电极电流Ic、漏电流因温升而增大,导致管子进一步发热时,达林顿管内包封的串联在基极电路中的热敏电阻芯片,因接受到热传递阻值迅速增大,基极电流Ib就会迅速减小,从而控制该管发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小,使管子温升得以控制而降低,漏电流减小,输出功率稳定。
  • 一种热敏达林顿三级
  • [实用新型]一种高频晶体管-CN201320287654.8有效
  • 高宗利 - 辽阳泽华电子产品有限责任公司
  • 2013-05-24 - 2013-12-04 - H01L29/45
  • 一种高频晶体管,包括高频晶体管的外延片,所述的外延片背面设有背金层,所述背金层为金属Pt(铂)层与Au(金)层的二层合金化金属层结构。所述的由Pt层与Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.10μm,外延片与背金层总厚度小于140微米。本实用新型经超减薄后采用二层金属依次溅射在外延片背面,在构成外延片的Si(硅)层、Pt(铂)层、Au(金)层中,相邻层材料之间具有良好的匹配性,可以相互之间的接触电阻达到最小,最终导致整体的接触电阻都较小,可降低晶体管的高频损耗,提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中,能耗低,寿命长。
  • 一种高频晶体管
  • [实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管-CN201020621548.5有效
  • 李稳;高宗利 - 深圳市科瑞半导体有限公司
  • 2010-11-23 - 2011-08-10 - H01L29/778
  • 本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管。本实用新型包括基底,基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层,晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上,缓冲层为厚度是2.5μm的GaN,插入层为厚度是4nm的Al0.04Ga0.96N,隔离层为厚度是3nm的Al0.31Ga0.69N,势垒层为掺杂硅元素的Al0.31Ga0.69N,掺杂浓度为3.5×1018cm-3,厚度为20nm,帽层为厚度是2nm的帽层Al0.31Ga0.69N。本实用新型通过改变器件的外延层结构,同时优化外延层结构的相关参数,使得器件在工作时栅极电压在一定范围工作范围内器件的跨导变化很小,器件具有较高的线性度。
  • 一种氮化电子迁移率晶体管
  • [实用新型]一种半导体三极管-CN201020621532.4有效
  • 李稳;高宗利 - 深圳市科瑞半导体有限公司
  • 2010-11-23 - 2011-08-10 - H01L29/73
  • 本实用新型公开了一种半导体三极管,包括壳体和半导体三极管管芯三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于,基极串接一个热敏电阻芯片,半导体三极管管芯与该热敏电阻芯片设于壳体内。本实用新型当管子发射极电流Ie、集电极电流Ic因外电路短路或其他异常状态而增大,导致管子发热时,半导体三极管内包封的串联在基极电路中的热敏电阻芯片阻值迅速增大,基极电流Ib就会迅速减小,从而控制该管于发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小,使管子温升得以控制而降低,从而避免了烧毁半导体三极管乃至整个电子器具或者设备,且结构简单。
  • 一种半导体三极管
  • [实用新型]一种高频晶体管-CN201020621522.0无效
  • 李稳;高宗利 - 深圳市科瑞半导体有限公司
  • 2010-11-23 - 2011-08-10 - H01L29/00
  • 本实用新型公开了一种高频晶体管,包括外延片,其特征在于,所述外延片背面设有背金层,所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层,所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.18μm,所述外延片与背金层总厚度小于140微米。本实用新型经超减薄后采用五层金属依次溅射在外延片背面,在构成外延片的Si(硅)层、Pt(铂)层、Ni(镍)层、Cr(铬)层、W(钨)层、Au(金)层中,相邻层材料之间具有良好的匹配性,可以使相互之间的接触电阻达到最小,最终导致整体的接触电阻都较小,可降低晶体管的高频损耗,提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中,能耗低,寿命长。
  • 一种高频晶体管
  • [实用新型]一种大功率三极管-CN201020621541.3无效
  • 李稳;高宗利 - 深圳市科瑞半导体有限公司
  • 2010-11-23 - 2011-08-10 - H01L29/73
  • 本实用新型公开了一种大功率三极管,包括芯片、热沉、底板和引脚,其特征在于,芯片的安装面上涂覆热硅脂,并贴装于热沉上,热沉与底板之间设有导热绝缘电陶瓷片,热沉上设有晶体管的一只引脚,引脚通过引线与芯片相连,所述导热绝缘电陶瓷片双面涂镀有金属层。所述导热绝缘电陶瓷片选用高导热率绝缘的电子陶瓷片,所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属层的厚度为8-18微米。本实用新型结构紧凑、电流线性好、噪音低、耗散功率大、热阻小。
  • 一种大功率三极管
  • [实用新型]一种晶体管耦合电路-CN201020621476.4无效
  • 李稳;高宗利 - 深圳市科瑞半导体有限公司
  • 2010-11-23 - 2011-08-10 - H03K19/14
  • 本实用新型公开了一种晶体管耦合电路,三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极;三极管Q1的基极连接电阻R1,电阻R1的另一端是外界输入控制端A,三极管Q1的集电极连接电阻R2,电阻R2的另一端连接三极管Q3的基极和电阻R4,电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极;三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y;电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q;三极管Q2的基极连接电阻R3,电阻R3的另一端作为外接输入控制端B;三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R,在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极,在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。电路简单,自耗电流小。
  • 一种晶体管耦合电路

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