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[发明专利]垂直晶体管的自对准底部间隔物的形成-CN201880081159.7有效
发明人：李忠贤;望月省吾;鲍如强;H.贾甘纳坦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成鳍片。在鳍片相对侧上的衬底上布置源极/漏极区域。该方法包括在源极/漏极区域上沉积半导体层。该方法包括在鳍片和半导体层上沉积含锗层。该方法还包括施加退火操作，该退火操作被配置为使半导体层与含锗层化学反应并形成氧化硅层。
垂直晶体管对准底部间隔形成

[发明专利]相变存储器单元-CN202180081316.6在审
发明人：玉仁祚;鲍如强;A·H·西蒙;K·布里;N·索尔尼尔;I·R·萨拉夫;M·桑卡拉潘迪恩;S·麦合塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
相变存储器单元

[发明专利]具有相等栅极堆叠厚度的垂直传输晶体管-CN201880026997.4有效
发明人： 鲍如强;李忠贤;徐铮;毕振兴 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
具有相等栅极堆叠厚度垂直传输晶体管

[发明专利]具有投射衬垫的相变存储器单元-CN202180081265.7在审
发明人：玉仁祚;鲍如强;A·H·西蒙;K·布里;N·索尔尼尔;I·R·萨拉夫;P·布萨莱 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
具有投射衬垫相变存储器单元

[发明专利]VFET的底部接触件的电阻降低-CN201880033111.9有效
发明人：望月省吾;李忠贤;鲍如强;H.贾根内森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例针对具有减小的底部接触电阻的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成具有交替的掺杂层和掺杂牺牲层的多层底部掺杂区域。通过去除掺杂牺牲层的一部分来形成一个或多个空腔。在多层底部掺杂区上方形成底部接触件。底部接触件包括一个或多个填充空腔的导电凸缘。
vfet 底部接触电阻降低

[发明专利]具有不同沟道长度的垂直传输鳍式场效应晶体管-CN201880033254.X有效
发明人： 鲍如强;李忠贤;望月省吾;杨振荣 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：在衬底的第一区域上形成垂直鳍和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；去除盖块；以及在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面下方，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。
具有不同沟道长度垂直传输场效应晶体管

[发明专利]叠栅结构-CN202180048193.6在审
发明人：张辰;郭德超;王俊利;谢瑞龙;程慷果;李俊涛;C·帕克;鲍如强;石城大;于澜;吴恒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明的实施例可以包括半导体结构和制造方法。所述半导体结构可包含顶部沟道及底部沟道，其中所述顶部沟道包含多个垂直取向的沟道。底部沟道包括多个水平取向的沟道。所述半导体结构可以包括围绕所述顶部沟道和所述底部沟道的栅极。所述半导体结构可以包括位于所述栅极的每一侧上的间隔物。第一间隔物包括位于多个垂直取向的沟道之间的电介质材料。第二间隔物包括位于多个水平取向的沟道之间的电介质材料。这可以实现在垂直间隔物之间形成间隔物。
结构

[发明专利]具有可调功函数的场效应晶体管叠层-CN201680078837.5有效
发明人： 鲍如强;S·克瑞什南;权彦五;V·纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上方形成第一栅金属层，在第一栅极金属层上方形成覆盖层，去除覆盖层和第一栅极金属层的部分以暴露栅叠层的p型场效应晶体管(pFET)区中的所述第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和覆盖层上沉积清除层，在清除层上沉积第二氮化物层，以及在第二氮化物层上沉积栅电极材料。
具有可调函数场效应晶体管

[发明专利]用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺-CN201880085472.8在审
发明人：李忠贤;杨振荣;鲍如强;H.贾甘纳坦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法，包括：形成设置在衬底的顶表面之上的多个鳍；以及使用替换金属栅极(RMG)工艺从该多个鳍形成一个或多个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。围绕VTFET中的给定VTFET的至少一个鳍的栅极包括设置在栅极接触金属层之上的栅极自对准接触(SAC)帽盖层，栅极接触金属层被设置成与至少一个鳍的端部相邻。
用于垂直传输场效应晶体管替换金属栅极工艺

[发明专利]用于短沟道器件的保形替代栅极电极-CN201880070633.6在审
发明人： J·罗泽恩;安藤崇志;V·纳拉雅南;鲍如强;小川洋平;畠中正信 -专利权人：国际商业机器公司;株式会社爱发科
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。
用于沟道器件替代栅极电极

[发明专利]半导体器件栅极叠层-CN201780006616.1在审
发明人： 鲍如强;S·克瑞什南;权彦五;V·纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的栅极叠层的方法，包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成阻挡层；在阻挡层上方形成第一栅金属层；在第一栅极金属层上方形成覆盖层；去除阻挡层、第一栅极金属层和覆盖层的一部分以暴露栅极堆叠的p型场效应晶体管(pFET)区域中的第一介电层的一部分，在覆盖层和第一介电层的暴露部分之上沉积第一氮化物层；在第一氮化物层之上沉积清除层；在清除层之上沉积第二氮化物层；以及在第二氮化物层之上沉积栅极电极材料。
氮化物层介电层覆盖层阻挡层沉积半导体器件栅极金属层栅极叠层清除层沉积栅极电极栅极堆叠栅金属层沟道区暴露去除制造

[发明专利]具有带可调功函数的栅叠层的半导体器件-CN201780006819.0在审
发明人： 鲍如强;S.克里什南;权彦五;V.纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上沉积清除层，在清除层上形成覆盖层，去除部分覆盖层和清除层以暴露栅叠层的n型场效应晶体管(nFET)区中第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和清除层上形成第一栅极金属层，在第一栅极金属层上沉积第二氮化物层，在第二氮化物层上沉积栅电极材料。
氮化物层清除层栅叠层半导体器件栅极金属层覆盖层介电层沉积沉积栅电极可调功函数沟道区去除暴露制造

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