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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件-CN201910921105.3在审
发明人： 金熙中;金根楠;李宪国;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了半导体存储器件。所述半导体存储器件包括衬底，该衬底包括单元区域、第一接触区域、第二接触区域和设置在第一接触区域与第二接触区域之间的位外围电路区域。第一堆叠结构设置在单元区域和第一接触区域上。第二堆叠结构设置在单元区域和第二接触区域上。外围晶体管设置在位外围电路区域上并且电连接到第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一堆叠结构和第二堆叠结构均包括：竖直堆叠在单元区域上的多个半导体图案；以及连接到多个半导体图案并且沿第一方向从单元区域延伸到对应的第一接触区域和第二接触区域上的多条导线。多条导线在第一接触区域和第二接触区域上具有阶梯结构。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN201910708940.9在审
发明人： 金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体装置可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括竖直堆叠在衬底上的多个层，以及竖直延伸以穿透堆叠结构的多个栅电极。多个层中的每一个可包括多个半导体图案，其沿第一方向平行延伸；位线，其电连接到半导体图案并沿与第一方向相交的第二方向延伸；第一气隙，其在位线上；以及数据存储元件，其电连接到半导体图案中的对应的一个。第一气隙插入在多个层中的第一层的位线和多个层中的第二层的位线之间。
半导体图案堆叠结构位线电连接气隙数据存储元件半导体装置方向平行方向延伸竖直堆叠竖直延伸第一层在位线栅电极衬底穿透相交延伸

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201910547303.8在审
发明人： 金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括：在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成模结构；形成穿透模结构的孔；在基底上形成填充孔的第二半导体层；以及将激光照射到第二半导体层上。
半导体层模结构半导体装置基底上交替激光照射介电层填充孔堆叠基底穿透制造

[发明专利]可变电阻存储器装置-CN201910567221.X在审
发明人： 金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线，在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；存储器单元，在第一导线的侧面上沿第一方向彼此隔开并连接到第一导线；以及第二导线，分别连接到存储器单元。每条第二导线在第二方向上与第一导线隔开。第二方向与基底的顶表面平行并且与第一方向交叉。第二导线在与基底的顶表面垂直的第三方向上延伸，并且在第一方向上彼此隔开。每个存储器单元包括可变电阻元件和选择元件，可变电阻元件和选择元件布置在同一水平处并且在第二方向上水平地布置。
存储器单元顶表面隔开基底可变电阻存储器可变电阻元件选择元件平行方向交叉同一水平垂直的延伸平地侧面

[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的方法-CN201910306629.1在审
发明人：李炅奂;姜昌锡;金容锡;金森宏治;金熙中;林浚熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体器件的一个例子包括：交替重复设置在半导体衬底上的层间绝缘层和水平结构；在半导体衬底上在与半导体衬底的上表面垂直的方向上延伸且在与半导体衬底的上表面平行的第一水平方向上延伸的分离结构；以及设置在分离结构之间的竖直结构。每个水平结构包括多个半导体区域，每一个水平结构的多个半导体区域包括在远离对应竖直结构的侧表面的方向上顺序地布置并且具有不同导电类型的第一半导体区域以及第二半导体区域。
半导体器件半导体区域衬底半导体水平结构分离结构竖直结构上表面层间绝缘层导电类型交替重复侧表面垂直的延伸平行

[发明专利]半导体存储装置-CN201811542208.0在审
发明人： 金熙中;李基硕;金俊秀;韩成熙;金奉秀;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了半导体存储装置。半导体存储装置包括：基底；以及堆叠件，包含位于基底上的多个层。所述多个层中的每一个层包括：半导体图案；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案。第二导电线和第三导电线穿透堆叠件。半导体图案包括在所述多个层中的第一层中彼此相邻并且彼此间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。
半导体图案导电线半导体存储装置堆叠件基底地连接第一层穿透

[发明专利]半导体存储器件-CN201811330850.2在审
发明人： 金熙中;金奉秀;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：根据本发明构思的一示例实施方式的半导体存储器件可以包括：多个下电极，其位于衬底上并彼此间隔开；以及蚀刻停止图案，其位于衬底上并围绕所述多个下电极中的每个的至少一部分，其中蚀刻停止图案包括：包含碳的第一蚀刻停止图案；以及第二蚀刻停止图案，其位于第一蚀刻停止图案上并包括与第一蚀刻停止图案的材料不同的材料。
蚀刻停止图案半导体存储器件下电极衬底发明构思

[发明专利]半导体存储器件-CN201811284157.6在审
发明人：李基硕;金俊秀;金熙中;金奉秀;山田悟;李圭弼;韩成熙;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括顺序堆叠的第一电介质层、半导体层和第二电介质层、以及在第二电介质层中并在第一方向上延伸的第一导电线。该半导体存储器件还包括垂直地延伸穿过堆叠结构的第二导电线、以及在堆叠结构中并与第二导电线间隔开的电容器。半导体层包括在第一导电线与衬底之间在交叉第一方向的第二方向上延伸的半导体图案。第二导电线在沿第一方向彼此相邻的成对的半导体图案之间。每个半导体图案的一端电连接到电容器的第一电极。
导电线堆叠结构半导体存储器件半导体图案电介质层电容器半导体层垂直地衬底第一电极顺序堆叠延伸穿过成对的电连接延伸堆叠

[发明专利]集成电路器件-CN201810466717.3在审
发明人：安浚爀;金恩靓;金熙中;李基硕;金奉秀;李明东;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括成对的线结构。每对线结构可以包括在第一水平方向上在衬底之上延伸的一对导电线、以及分别覆盖一对导电线的一对绝缘盖图案。集成电路器件可以包括在成对的线结构之间的导电插塞、以及在成对的绝缘盖图案之间接触导电插塞的顶表面的金属硅化物膜。在垂直于第一水平方向的第二水平方向上，导电插塞可以在成对的导电线之间具有第一宽度并在成对的绝缘盖图案之间具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。
成对的集成电路器件导电线绝缘盖导电插塞线结构图案金属硅化物膜接触导电顶表面插塞衬底对线垂直延伸覆盖

[发明专利]半导体存储器件-CN201810901544.3在审
发明人： 金熙中;赵珉熙;金奉秀;金俊秀;山田悟;李元锡;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括在第一沟槽中的隔离层和在隔离层上的第一栅电极部分。该半导体存储器件包括在第二沟槽中的第二栅电极部分。在一些实施方式中，第二栅电极部分在一方向上比第一栅电极部分宽。而且，在一些实施方式中，第二沟槽的上部区域比第二沟槽的下部区域在所述方向上与第一沟槽间隔开更大的距离。还提供了形成半导体存储器件的相关方法。
半导体存储器件栅电极隔离层沟槽间隔上部区域下部区域

[发明专利]用于车辆的带有滑动车门的鸥翼式车门-CN201510547430.X在审
发明人：李柱爀;具慈容;金艺瑟;张容硕;金熙中;姜旼秀;李承俊 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： B60J5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于车辆的带有滑动车门的鸥翼式车门，其可以包括：鸥翼式车门，其包括沿着水平长度方向在上端部分、下端部分以及中间部分处成直线的上轨道、下轨道以及中间轨道，所述鸥翼式车门通过位于上端部分处的铰接部支撑在车身上并且绕着所述铰接部在竖直方向可打开/可关闭；以及滑动车门，其包括在上端部分、下端部分以及中间部分的鸥翼式车门的上部分、下部分以及中间部分，当通过上辊子组件、下辊子组件以及中间辊子组件支撑在鸥翼式车门上时所述滑动车门在水平方向上可打开/可关闭。
用于车辆带有滑动车门鸥翼式

[发明专利]半导体存储器件-CN201010614320.8有效
发明人：郑铉雨;金冈昱;吴容哲;金熙中;金铉琦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括分别设置在形成于有源部分和器件隔离图案中的凹槽的两个内侧壁上的第一掩埋栅和第二掩埋栅。第一掩埋栅和第二掩埋栅彼此独立地受控。
半导体存储器件

[发明专利]制造垂直沟道晶体管的方法-CN201010593037.1有效
发明人：金冈昱;吴容哲;金熙中;郑铉雨;金铉琦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造垂直沟道晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成线型有源图案从而在第一水平方向上延伸；在衬底上形成垂直沟道，该垂直沟道在与第一水平方向交叉的第二水平方向上使有源图案隔离，且该垂直沟道垂直地延伸；在衬底上形成在第一水平方向上延伸的掩埋位线；以及沿垂直沟道的至少一个侧表面形成在第二水平方向上延伸的字线。
制造垂直沟道晶体管方法

[发明专利]包括掩埋字线的半导体器件-CN201010294401.4有效
发明人： 金熙中;吴容哲;郑铉雨;金铉琦;金冈昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种包括掩埋字线的半导体器件。该半导体器件包括：隔离层，用于限定衬底的多个有源区，其中隔离层设置在衬底上；多条掩埋字线，具有比有源区的上表面低的上表面，被有源区围绕，并在平行于衬底的主表面的第一方向上延伸；栅电介质膜，插设在掩埋字线与有源区之间；以及多条掩埋位线，具有比多条掩埋字线的上表面低的上表面，平行于衬底的主表面，并在不同于第一方向的第二方向上延伸。
包括掩埋半导体器件

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201010229306.6有效
发明人： 金熙中;吴容哲;尹在万;郑铉雨;金铉琦;金冈昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘中间层图案以及电容器。第一晶体管形成在基板的第一区。第一晶体管具有从基板向上突出的柱并且在柱的上部提供有杂质区。第二晶体管形成在基板的第二区。绝缘中间层图案形成在第一区和第二区上以覆盖第二晶体管并且暴露出柱的上表面。绝缘中间层图案的上表面实质上比第一区中的柱的上表面高。电容器形成在柱的上部中的杂质区上并且电连接到该杂质区。
半导体器件制造方法

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