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[发明专利]集成电路器件及制造其的方法-CN201811509486.6有效
发明人：金熙中;韩成熙;李基硕;金奉秀;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种集成电路器件和制造其的方法。所述集成电路器件可以包括在衬底上方的支撑图案、在衬底上方的下电极图案和电介质结构、以及在电介质结构上的上电极结构。支撑图案可以包括在垂直方向上延伸的第一支撑结构。下电极图案可以在支撑图案与电介质结构之间。下电极图案可以包括彼此间隔开的第一组N个(例如4或更大的整数)下电极，并且可以在垂直方向上延伸到衬底之上的第一水平。电介质结构可以包括在垂直方向上延伸并围绕第一支撑结构和第一组N个下电极的第一电介质突起。上电极结构可以包括围绕第一电介质突起的第一上电极突起。
集成电路器件制造方法

[发明专利]图案形成方法、集成电路器件和集成电路器件制造方法-CN202010258067.0有效
发明人：李东俊;金根楠;金大铉;朴台镇;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。
图案形成方法集成电路器件制造

[发明专利]用于改善器件特性的半导体器件-CN201910307879.7有效
发明人：全辰桓;金熙中;金根楠;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有由器件隔离区限定的有源区；导电线，在有源区上沿一方向延伸；绝缘衬垫，在导电线的下部的两个侧壁上，导电线的下部与有源区接触；间隔物，在与衬底的表面垂直的方向上与绝缘衬垫隔开，并且顺序地形成在导电线的上部的两个侧壁上；阻挡层，布置在绝缘衬垫与位于所述多个间隔物中间的间隔物之间的间隔处，并且在从位于所述多个间隔物中间的间隔物的一端朝导电线凹入的凹陷部分中；以及导电图案，布置在所述多个间隔物两侧的有源区上。
用于改善器件特性半导体器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201811091300.X有效
发明人：李基硕;李明东;金熙中;金桐;金奉秀;朴硕韩;安佑松;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：衬底，包括有源区；字线，在所述衬底中，并且每个字线沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸；位线结构，分别与有源区相连，并且每个位线结构沿与第一方向相交的第二方向延伸；以及间隔物结构，在所述位线结构中的相应位线结构的侧壁上。每个间隔物结构包括第一间隔物、第二间隔物和第三间隔物。第二间隔物设置在第一间隔物和第三间隔物之间，并且包括由第二间隔物的内表面限定的至少一个空隙。所述第二间隔物的高度大于所述至少一个空隙的高度。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]具有气隙的半导体器件-CN202210109837.4在审
发明人：金熙中;李明东;金仁雨;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，该半导体器件包括衬底，该衬底包括有源区和接触凹槽。栅电极设置在衬底中并且在第一方向上延伸。位线结构与栅电极交叉并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。位线结构包括设置在接触凹槽中的直接接触部。掩埋接触部设置在衬底上并且电连接到有源区。间隔物结构设置在位线结构与掩埋接触部之间。间隔物结构包括：掩埋间隔物，其设置在直接接触部的横向侧表面上；以及气隙，其设置在掩埋间隔物上。气隙暴露位线结构的横向侧表面。
有气半导体器件

[发明专利]其中具有埋置字线的集成电路装置-CN202210410580.6在审
发明人：朴台镇;金台勋;金圭镇;朴哲权;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种集成电路装置包括具有有源区域的衬底和衬底中的字线沟槽。字线沟槽包括具有第一宽度的下部、以及在下部与衬底的表面之间延伸并且具有大于第一宽度的第二宽度的上部。提供了在字线沟槽的底部中延伸并且与字线沟槽的底部相邻的字线。提供了在字线与字线沟槽的下部的侧壁之间延伸的栅极绝缘层。电绝缘栅极封盖层设置在字线沟槽的上部中。提供了在栅极封盖层与字线沟槽的上部的侧壁之间延伸的绝缘衬层。栅极绝缘层在绝缘衬层与栅极封盖层的在字线沟槽的上部内延伸的部分之间延伸。
其中具有埋置字线集成电路装置

[发明专利]集成电路器件-CN202210109946.6在审
发明人：金熙中;李明东;金仁雨;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：衬底，包括有源区；直接接触部，与选自有源区的第一有源区电连接；掩埋接触插塞，与选自有源区的第二有源区电连接并包括导电半导体层，第二有源区在第一水平方向上与第一有源区相邻；位线，在衬底上沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸，并电连接到直接接触部；导电着接焊盘，沿竖直方向朝向掩埋接触插塞延伸，具有在第一水平方向上面对位线的侧壁，并包括金属；以及外绝缘间隔物，在位线与导电着接焊盘之间，与导电着接焊盘的侧壁接触，并与掩埋接触插塞间隔开。
集成电路器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN202111307203.1在审
发明人：朴台镇;金圭镇;朴哲权;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和围绕存储器单元区的伪单元区，存储器单元区包括多个存储器单元；存储器单元区中的多个有源区，多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，长轴方向是相对于第一水平方向和与第一水平方向正交的第二水平方向的对角线方向，多个有源区中的每一个在与长轴方向正交的短轴方向上具有第一宽度；以及伪单元区中的多个伪有源区，多个伪有源区中的每一个在长轴方向上延伸，多个伪有源区中的每一个在短轴方向上具有比第一宽度大的第二宽度。
半导体存储器装置

[发明专利]包括绝缘图案的半导体装置-CN202110755874.8在审
发明人：崔祐荣;裵熊辉;裵珍宇;尹彩璘;韩成熙;许先佑;黄德性 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的第一位线。设置掩埋接触件，掩埋接触件设置在第一位线之间并且连接到基底。接合垫设置在掩埋接触件上。第二位线设置在基底的外围区域上。第二位线的上表面和接合垫的上表面彼此共面。第一绝缘图案设置在第二位线之间。第二绝缘图案设置在接合垫之间。设置连接到接合垫的单元电容器。第一绝缘图案包括与第二绝缘图案的至少一个绝缘层不同的绝缘层。
包括绝缘图案半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111208245.X在审
发明人：金恩娥;金根楠;李基硕;崔祐荣;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；在衬底上并排延伸的第一位线结构和第二位线结构；存储节点接触件，其在第一位线结构与第二位线结构之间电连接到有源区域；下着陆焊盘，其位于第一位线结构与第二位线结构之间并且位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其与第一位线结构接触并且电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层。与第一位线结构接触的上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向衬底的方向上增大的部分，并且与下着陆焊盘接触的封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从相邻的上着陆焊盘起在朝向衬底的方向上增大的部分。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110638451.8在审
发明人：金熙中;安濬爀;尹宰铉;李明东;李锡奐;韩成熙;许仁景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并且设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并且电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。
半导体存储器装置

[实用新型]半导体存储器装置-CN202121279416.3有效
发明人：金熙中;安濬爀;尹宰铉;李明东;李锡奂;韩成熙;许仁景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。
半导体存储器装置

[外观设计]送货机器人-CN202130335542.5有效
发明人：李大成;赵善一;韩成熙 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： 12-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：送货机器人。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于搬运货物。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.参考图2的A是门，参考图3的B是传感器。
送货机器人

[外观设计]送货机器人-CN202130335539.3有效
发明人：李大成;赵善一;韩成熙 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： 12-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：送货机器人。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于搬运货物。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
送货机器人

[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法-CN202011481686.2在审
发明人：金孝燮;朴素贤;金大元;金桐;金恩娥;朴哲权;朴台镇;李基硕;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。
半导体存储器器件及其制造方法

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