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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]三维铁电随机存取存储器器件-CN202310283039.8在审
  • 李炅奂;金容锡;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-21 - 2023-09-29 - H10B51/20
  • 一种三维铁电随机存取存储器(3D FeRAM)器件包括：栅电极，所述栅电极在衬底上在竖直方向上延伸；铁电图案和栅极绝缘图案，所述铁电图案和所述栅极绝缘图案在水平方向上堆叠在所述栅电极上以围绕所述栅电极；第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和所述第二沟道在所述栅极绝缘图案的外侧壁上在所述水平方向上彼此间隔开；第一源极/漏极图案结构，所述第一源极/漏极图案结构在所述第一沟道的外侧壁上在所述竖直方向上彼此间隔开；以及第二源极/漏极图案结构，所述第二源极/漏极图案结构在所述第二沟道的外侧壁上在所述竖直方向上彼此间隔开。
  • 三维随机存取存储器器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310134747.5在审
  • 河大元;李炅奂 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-17 - 2023-08-29 - H01L29/51
  • 一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区；衬底上的栅电极，在第二方向上延伸；以及有源区上的多个沟道层。多个沟道层在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开。该器件包括在多个沟道层和栅电极之间的多个介电层，多个介电层包括铁电材料或反铁电材料中的至少一种，并且多个介电层中的每个介电层具有不同的矫顽电压。该器件包括在有源区凹陷的凹陷区中的源/漏区，源/漏区在栅电极的两侧上，并且源/漏区与多个沟道层接触。
  • 半导体器件
  • [发明专利]图像传感器、图像感测系统和图像感测方法-CN202310146505.8在审
  • 姜正淳;金炫哲;宋宇彬;李炅奂 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-21 - 2023-08-25 - H04N25/51
  • 一种图像传感器，包括光电转换器，被配置为响应于接收的光而将接收的光转换为电荷，并且将电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为向浮置扩散节点提供第一节点的电压；复位晶体管，被配置为基于复位信号将浮置扩散节点的电压复位到驱动电压；源极跟随器晶体管，被配置为基于浮置扩散节点的电压来提供单元像素输出；选择晶体管，连接到源极跟随器晶体管，并且用选择信号选通，以向外部输出单元像素输出；以及铁电电容器，连接到浮置扩散节点，其中铁电电容器被配置为基于铁电电容器的转换增益模式来调整浮置扩散节点的转换增益，该转换增益模式是第一转换增益模式、第二转换增益模式或第三转换增益模式。
  • 图像传感器图像系统方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202211649703.8在审
  • 李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-21 - 2023-07-11 - H10B51/20
  • 提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]存储器装置-CN202211407941.8在审
  • 金炫哲;金容锡;李炅奂;李玟浚;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-10 - 2023-06-13 - H10B12/00
  • 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；鳍结构，位于基底上；栅极结构，位于鳍结构上；第一源极/漏极，位于鳍结构的一端处；以及第二源极/漏极，位于鳍结构的另一端处，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在鳍结构上的捕获层、阻挡层和栅电极层，第一源极/漏极掺杂有第一导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第一导电类型的掺杂剂，并且第二源极/漏极掺杂有第二导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第二导电类型的掺杂剂，第二导电类型的掺杂剂不同于第一导电类型的掺杂剂。
  • 存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202211022832.4在审
  • 李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 - 三星电子株式会社
  • 2022-08-25 - 2023-05-16 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件可以包括：彼此间隔开的第一位线和第二位线；层间绝缘层，覆盖第一位线和第二位线并包括凹槽，凹槽延伸以与第一位线和第二位线两者交叉；第一沟道图案，连接到第一位线并与凹槽的内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；第二沟道图案，连接到第二位线并与凹槽的另一内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；在凹槽中的字线；第一电极和第二电极，在层间绝缘层上并分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202210876878.6在审
  • 金炫哲;金容锡;禹东秀;李炅奂;李玟浚 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-25 - 2023-05-09 - H10B43/30
  • 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：基底；第一杂质区和第二杂质区，位于基底上；第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，顺序地堆叠在基底上，并且在第一杂质区与第二杂质区之间在一方向上延伸；以及栅电极，位于第二栅极绝缘层上。第一杂质区和第二杂质区可以具有彼此不同的导电类型，第一栅极绝缘层的底表面可以与基底的顶表面直接接触，并且第二栅极绝缘层可以包括铁电材料。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202211188493.7在审
  • 李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-27 - 2023-03-31 - H10B12/00
  • 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个栅电极，在基板上在第一水平方向上延伸并且每个包括彼此相对的第一垂直延伸侧壁和第二垂直延伸侧壁；沟道层，布置在每个栅电极的第一垂直延伸侧壁上并包括垂直延伸部分；铁电层和栅极绝缘层，依次位于沟道层和每个栅电极的第一垂直延伸侧壁之间使得铁电层在栅极绝缘层和栅电极之间；绝缘层，在每个栅电极的第二垂直延伸侧壁上；以及多条位线，电连接到沟道层并在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202210515049.5在审
  • 金炫哲;金容锡;禹东秀;李炅奂 - 三星电子株式会社
  • 2022-05-11 - 2023-03-14 - H01L29/06
  • 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：沟道；栅极结构，位于沟道上；第一源/漏极，布置在沟道的第一端处并包括金属；第一可调带隙层，布置在沟道与第一源/漏极之间，并且具有根据应力而变化的带隙；第一电致伸缩层，位于栅极结构与第一可调带隙层之间，第一电致伸缩层具有基于电场的施加而变形且在被施加电场时变形的性质；以及第二源/漏极，位于沟道的第二端处。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统-CN202210685628.4在审
  • 李炅奂;金容锡;禹东秀;林濬熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-16 - 2023-02-17 - H10B43/35
  • 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括堆叠在基底上的电极，所述电极中的每个包括在单元阵列区域上的线部分和在连接区域上的垫部分；竖直图案，贯穿电极结构；单元接触件，在连接区域上并且连接到垫部分；绝缘柱，在单元接触件下方，且垫部分介于绝缘柱与单元接触件之间。垫部分可以包括第一部分和第二部分，第一部分具有高于线部分的顶表面，第二部分包括第一突出部分，第一突出部分从第一部分朝向基底延伸并且覆盖绝缘柱的顶表面。
  • 半导体装置包括电子系统
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