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[实用新型]图像传感器-CN201220258198.X有效
发明人：赵立新;李文强;蒋珂玮 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：源跟随晶体管是结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于第一导电类型衬底表面外并至少部分位于第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于第一导电类型衬底中和/或第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于第二导电类型阱与第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得第一导电类型源区与第一导电类型漏区电连接，并在其与第二导电类型阱之间以及其与第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成
图像传感器

[发明专利]ESD保护器件及芯片-CN202110770173.1有效
发明人：胡伟佳;张航 -专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：其中，ESD保护器件包括括衬底、MOS管、第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区和第二导电类型的第三扩散区；衬底内形成有第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区；第一导电类型的阱区设于第二导电类型的阱区内；MOS管位于第一导电类型的阱区；第二导电类型的第一扩散区位于第一导电类型的阱区；第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区和第二导电类型的第三扩散区位于第二导电类型的阱区；第二导电类型的第二扩散区与第一导电类型的第一扩散区电连接；第二导电类型的第三扩散区连接MOS管的漏极；第二导电类型的第一扩散区用于连接衬底的PAD引脚。
esd 保护器件芯片

[发明专利]门极换流晶闸管及其制备方法-CN202310645829.6有效
发明人：刘佳鹏;吴锦鹏;曾嵘;张君明;余占清;屈鲁;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。
换流晶闸管及其制备方法

[发明专利]超级结器件及其制造方法-CN202110587413.4在审
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该超级结器件包括多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱，多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱交替布置。多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的界面为平面。多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结为陡结。
超级器件及其制造方法

[发明专利]高压隔离结构及其制造方法-CN202111092769.7在审
发明人：房子荃 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：方法包括：提供基底层的第一导电类型衬底；以第一注入能量进行第一导电类型离子注入形成第一导电类型埋层A部；以第二注入能量进行第一导电类型离子注入，形成第一导电类型埋层B部初级结构，使得第一导电类型埋层B部初级结构向下与第一导电类型埋层A部接触；第一注入能量高于第二注入能量；在第一导电类型衬底上生长第二导电类型外延层，第一导电类型埋层B部初级结构向第二导电类型外延层中扩展，形成第一导电类型埋层B部；通过第一导电类型离子注入，形成第一导电类型阱区，使得第一导电类型阱区向下与第一导电类型埋层B部接触。
高压隔离结构及其制造方法

[发明专利]一种具有部分埋层的SJ-LDMOS器件-CN201810570242.2在审
发明人：高巍;宋炳炎;胡玉芳;任敏;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有部分埋层的SJ‑LDMOS器件，第一导电类型半导体轻掺杂外延层中具有y方向交替排列的第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱；第二导电类型半导体体区横贯于第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱之中，第二导电类型半导体衬底一侧顶部具有第一导电类型埋层，第一导电类型半导体漏区在贯穿第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱，第一导电类型半导体柱下方具有第一导电类型埋层；本发明通过第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱实现电荷平衡减弱x方向电场，以实现更低的导通电阻，同时由于第二导电类型半导体衬底的辅助耗尽使得柱间电荷不平衡，此时通过交替部分第一导电类型埋层改善柱间电荷平衡。
第一导电类型导电类型半导体半导体柱埋层电荷平衡衬底轻掺杂外延层半导体漏区导通电阻方向电场交替排列电荷耗尽体区半导体横贯贯穿

[发明专利]闩锁测试结构-CN202110902708.6在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第一导电类型的第一掺杂区远离第二导电类型的第一掺杂区一侧
测试结构

[发明专利]闩锁测试结构-CN202110903890.7在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第二导电类型的第一掺杂区远离第一导电类型的第一掺杂区的一侧
测试结构

[发明专利]逆导IGBT器件结构及制造方法-CN201210372401.0有效
发明人：徐承福;朱阳军;卢烁今;陈宏;吴凯;邱颖斌 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆导IGBT器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设第二导电类型基区，第二导电类型基区上部设第一导电类型发射区；第二导电类型基区通过栅氧化层及位于栅氧化层下方的第一导电类型漂移区隔离；栅氧化层与两侧第二导电类型基区接触，并与第二导电类型基区内相邻的第一导电类型发射区接触；在栅氧化层上设多晶栅，在多晶栅上设栅电极；在第二导电类型基区上设发射极，发射极与第二导电类型基区和第二导电类型基区内的第一导电类型发射区接触；在第一导电类型漂移区的底部设第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面设第二导电类型集电金属区。
逆导 igbt 器件结构制造方法

[发明专利]图像传感器与晶体管的制作方法-CN201210179855.6有效
发明人：赵立新;李文强;蒋珂玮 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：源跟随晶体管是结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于第一导电类型衬底表面外并至少部分位于第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于第一导电类型衬底中和/或第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于第二导电类型阱与第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得第一导电类型源区与第一导电类型漏区电连接，并在其与第二导电类型阱之间以及其与第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成
图像传感器晶体管制作方法

[发明专利]一种门极换流晶闸管-CN202310953328.4在审
发明人：陈芳林;郭雅迪;武思捷;陈勇民 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明公开了一种门极换流晶闸管，包括：依次设置的第一导电类型导电层、第二导电类型基区以及第一导电类型基区，第二导电类型基区包括位于中心的凸起部和位于凸起部外围的水平部，凸起部贯穿第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区内的多个第二导电类型短路发射区，第二导电类型短路发射区背对第一导电类型导电层的第一表面未被第一导电类型基区覆盖；设置在第二导电类型短路发射区第一表面的至少一个放大门极；设置在第一导电类型基区背对第一导电类型导电层的第一表面以及第一导电类型导电层背对第二导电类型基区的第一表面的晶闸管功能层
一种换流晶闸管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610121682.7无效
发明人：王世辰;陈信铭;卢俊宏;何明洲;沈士杰;徐清祥 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，设置在第一导电类型基底上，其具有栅极、第二导电类型漏极区、第二导电类型源极区和第二导电类型第一轻掺杂区。栅极设置在第一导电类型基底上。第二导电类型漏极区与第二导电类型源极区设置在栅极的两侧的第一导电类型基底中。第二导电类型第一轻掺杂区设置在栅极与第二导电类型源极区之间的第一导电类型基底中。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010304041.5在审
发明人：李理 -专利权人：深圳方正微电子有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底上方；沟槽，位于所述第一导电类型外延层内；第一导电类型扩散区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述沟槽外围；第二导电类型外延层，位于所述沟槽内；第二导电类型第一注入区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第一导电类型扩散区远离所述沟槽的两侧；第一导电类型注入区，位于对应的所述第二导电类型第一注入区内靠近所述第一导电类型扩散区的一侧通过在第一导电类型外延层内形成第二导电类型外延层，在该多层外延的结构基础上形成两组横向二极管并联结构，降低了寄生电容。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件-CN202111675159.X在审
发明人：何乃龙;张森;王浩 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：其中，LDMOS器件的制备方法包括步骤：形成第一导电类型的漂移区；于所述第一导电类型的漂移区内形成第二导电类型的埋层；于所述第一导电类型的漂移区内形成第一导电类型的通道区，所述第一导电类型的通道区位于所述第二导电类型的埋层上方，与所述第二导电类型的埋层邻接，所述第一导电类型的通道区的面积大于所述第二导电类型的埋层的面积。通过在第一导电类型的漂移区中形成第一导电类型的通道区和第二导电类型的埋层，并使得第一导电类型的通道区的面积大于第二导电类型的埋层的面积，实现了器件在提升击穿电压的同时能够进一步降低导通电阻的效果。
ldmos 器件制备方法

[发明专利]一种超结MOSFET器件及其制造方法-CN201310408434.0有效
发明人：朱袁正;李宗清 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种超结MOSFET器件及其制造方法，在第一导电类型漂移层内设置紧邻第二导电类型体区的第一导电类型的第一缓冲层及紧邻第二导电类型第二柱的第一导电类型的第二缓冲层；第二导电类型体区与第一导电类型漂移层被所述第一导电类型的第一缓冲层隔离，第二导电类型第二柱与第一导电类型第一柱被所述第一导电类型的第二缓冲层隔离；第一导电类型的第一缓冲层和第一导电类型的第二缓冲层的杂质浓度大于第一导电类型漂移层及第一导电类型第一柱的杂质浓度。
一种 mosfet 器件及其制造方法

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