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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202310032343.5在审
  • 赵珉熙;柳民泰;柳喜齐;柳成原;李镕珍;李元锡 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-10 - 2023-10-20 - H10B12/00
  • 公开了半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构，包括在半导体基底上的外围电路和在外围电路上的第一介电层；单元阵列结构，在半导体基底上；以及屏蔽层，在外围电路结构和单元阵列结构之间。单元阵列结构包括：位线；第一有源图案和第二有源图案，在位线上；第一字线，在第一有源图案上沿第二方向延伸；第二字线，在第二有源图案上沿第二方向延伸；数据存储图案，在第一有源图案和第二有源图案上；以及第二介电层，在半导体基底上。第一介电层的氢浓度大于第二介电层的氢浓度。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202211663754.6在审
  • 赵珉熙;李基硕;李元锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-23 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供半导体装置。所述半导体装置包括：第一导线，在第一水平方向上延伸；多个半导体图案，在第一导线上并且在第一水平方向上彼此间隔开，其中，所述多个半导体图案中的每个包括在第一水平方向上彼此相对的第一垂直部和第二垂直部；第二导线，在所述多个半导体图案中的每个的第一垂直部与第二垂直部之间在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向相交；栅极介电图案，在第一垂直部与第二垂直部之间以及第二垂直部与第二导线之间；以及阻挡图案，在相邻的半导体图案之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202211569365.7在审
  • 李镕珍;金容锡;柳民泰;柳熙济;柳成原;李元锡;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-07 - 2023-09-12 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件，包括：衬底；导线，在衬底上方沿第一水平方向延伸；在导线上方的隔离绝缘层，包括在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并从隔离绝缘层的上表面延伸到下表面的沟道槽；沟道结构，设置在导线上方；栅电极，在沟道槽中沿第二水平方向延伸；电容器结构，在隔离绝缘层上方，以及接触结构，介于沟道结构与电容器结构之间，其中，沟道结构包括：非晶氧化物半导体层，设置在导线上方并在沟道槽中；以及上晶体氧化物半导体层，介于非晶氧化物半导体层与接触结构之间。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]热塑性树脂组合物-CN202080005036.2有效
  • 李如达;崔正洙;李元锡;朴相厚;李宗周 - 株式会社LG化学
  • 2020-06-04 - 2023-08-18 - C08L51/04
  • 本发明提供一种热塑性树脂组合物，包含：基体树脂，该基体树脂包含重量比为70:30至90:10的第一共聚物和第二共聚物，所述第一共聚物通过平均粒径为50nm至200nm的二烯类橡胶聚合物与包含(甲基)丙烯酸烷基酯类单体和芳香族乙烯基类单体的第一单体混合物的接枝聚合形成，所述第二共聚物是包含(甲基)丙烯酸烷基酯类单体和芳香族乙烯基类单体的第二单体混合物的共聚物；和增塑剂。
  • 塑性树脂组合
  • [发明专利]热塑性树脂组合物-CN202280007122.6在审
  • 崔正洙;李元锡;李如达;朴相厚;李宗周 - 株式会社LG化学
  • 2022-07-19 - 2023-07-18 - C08L55/02
  • 本发明涉及一种热塑性树脂组合物，其包含接枝聚合物，所述接枝聚合物包含凝胶含量为0重量％至10重量％，并且包含芳族乙烯基类单体单元和二烯类单体单元的橡胶聚合物，和包含与所述橡胶聚合物接枝的(甲基)丙烯酸酯类单体单元和芳族乙烯基类单体单元的壳；以及非接枝聚合物，所述非接枝聚合物包含(甲基)丙烯酸酯类单体单元和芳族乙烯基类单体单元，其中，所述接枝聚合物和所述非接枝聚合物的折射率相差0.0100以下。
  • 塑性树脂组合
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202211617837.1在审
  • 李元锡;柳民泰;柳成原;李基硕;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-15 - 2023-06-27 - H01L29/10
  • 一种半导体存储器装置包括：位线，其设置在衬底上并且在第一方向上彼此平行地延伸；氢供应绝缘层，其包括氢并且填充位线之间的空间；源图案，其位于位线中的每一条上并且与氢供应绝缘层部分接触；氢扩散势垒层，其覆盖氢供应绝缘层的顶表面并且与源图案的侧表面接触；第一沟道图案，其位于源图案上；第一字线，其邻近于第一沟道图案的侧表面并且与位线交叉；以及着陆焊盘，其在第一沟道图案上。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202211082798.X在审
  • 卢仁浩;郭东华;文炅燉;李元锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-06 - 2023-06-16 - H10B12/00
  • 提供半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括有源区域，有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域；字线，在基底的第一表面上，字线在第一方向上延伸；第一位线，在字线上，第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且第一位线连接到第一杂质区域；第一接触塞，在第一位线之间，第一接触塞分别连接到第二杂质区域；第二位线，在基底的第二表面上，第二位线电连接到第一杂质区域；以及第一电容器，在第一接触塞上。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202211142787.6在审
  • 赵珉熙;裴东一;李元锡;金容锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-20 - 2023-05-12 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件，包括：单元区和外围区；单元区中的基底绝缘层，包括相对的第一前表面和第一后表面；外围区中的第一半导体衬底，包括相对的第二前表面和第二后表面；第一前表面上的有源图案；第一导线，在有源图案的侧面上沿第一方向延伸；有源图案上的电容器结构；第二前表面上的第一电路元件；以及第二导线，在第一后表面和第二后表面上沿与第一方向交叉的第二方向延伸。有源图案在与第一方向和第二方向交叉的竖直方向上延伸，以将第二导线电连接到电容器结构。
  • 半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202210620882.6在审
  • 李基硕;金根楠;金熙中;李元锡;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-01 - 2023-04-07 - H10B12/00
  • 公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括：位线，所述位线在第一方向上延伸；字线，所述字线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；沟道图案，所述沟道图案位于所述位线上，所述沟道图案包括：连接到所述位线的水平沟道部分，以及从所述水平沟道部分起在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸的垂直沟道部分；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述字线与所述沟道图案之间。所述沟道图案的所述水平沟道部分可以被设置为平行于向所述第一方向和所述第二方向倾斜的第四方向。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202210634014.3在审
  • 李基硕;金根楠;金熙中;李元锡;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-06 - 2023-04-07 - H01L29/10
  • 可以提供一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括：位线；沟道图案，所述沟道图案位于所述位线上，所述沟道图案包括设置在所述位线上的水平沟道部分和从所述水平沟道部分垂直延伸的垂直沟道部分；字线，所述字线设置在所述沟道图案上以与所述位线交叉，所述字线包括设置在所述水平沟道部分上的水平部分和从所述水平部分垂直延伸以面对所述垂直沟道部分的垂直部分；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案设置在所述沟道图案与所述字线之间。
  • 半导体存储器件
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