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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201810769672.7有效
发明人：金成禹;金奉秀;金英培;许基宰;高宽协;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器件-CN201811156224.6有效
发明人：金志永;李基硕;金奉秀;金俊秀;禹东秀;李圭弼;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B41/40 文献下载
摘要：提供了半导体存储器件。半导体存储器件包括基板。半导体存储器件包括垂直堆叠在基板上的多个存储单元晶体管。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的源极区的第一导电线。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管的多个栅电极的第二导电线。此外，半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的漏极区的数据存储元件。
半导体存储器件

[发明专利]半导体装置-CN201810691775.6有效
发明人：金成禹;金奉秀;金英培;许基宰;高宽协;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器位于距离所述衬底相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201711234913.X有效
发明人：金成禹;李宰圭;徐基皙;洪亨善;黄有商;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法，其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810691309.8有效
发明人：金成禹;金奉秀;金英培;许基宰;高宽协;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。
半导体装置

[发明专利]磁存储器件-CN202010811130.9在审
发明人：李叙元;文廷桓;朴正熏;金禹珍;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。
磁存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710281627.2有效
发明人：金根楠;朴善暎;廉癸憙;张贤禹;郑震源;赵昶贤;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN201811284157.6在审
发明人：李基硕;金俊秀;金熙中;金奉秀;山田悟;李圭弼;韩成熙;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括顺序堆叠的第一电介质层、半导体层和第二电介质层、以及在第二电介质层中并在第一方向上延伸的第一导电线。该半导体存储器件还包括垂直地延伸穿过堆叠结构的第二导电线、以及在堆叠结构中并与第二导电线间隔开的电容器。半导体层包括在第一导电线与衬底之间在交叉第一方向的第二方向上延伸的半导体图案。第二导电线在沿第一方向彼此相邻的成对的半导体图案之间。每个半导体图案的一端电连接到电容器的第一电极。
导电线堆叠结构半导体存储器件半导体图案电介质层电容器半导体层垂直地衬底第一电极顺序堆叠延伸穿过成对的电连接延伸堆叠

[发明专利]包括2D材料的装置-CN201811024895.7在审
发明人：朴台镇;金真范;金奉秀;李圭弼;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供了包括二维材料的装置，所述装置包括：基底；第一电极，位于基底上；绝缘图案，位于基底上；第二电极，位于绝缘图案的上端上；二维(2D)材料层，位于绝缘图案的侧表面上；栅极绝缘层，覆盖2D材料层；以及栅电极，接触栅极绝缘层。绝缘图案在与基底基本垂直的方向上从第一电极延伸。2D材料层包括与绝缘图案的侧表面基本平行的至少一个原子层的2D材料。
绝缘图案基底材料层栅极绝缘层第一电极侧表面第二电极二维材料基本平行装置提供垂直的原子层栅电极上端二维延伸覆盖

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410076999.8有效
发明人：金志永;金大益;金冈昱;金那罗;朴济民;李圭现;郑铉雨;秦教英;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法-CN201310512143.6有效
发明人：金奉秀;朴正焕;崔成菅;李圭现;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。
包括凹陷有源半导体器件形成方法

[发明专利]具有掩埋沟道阵列的半导体装置的制造方法-CN201310148163.X有效
发明人：崔宰福;黄有商;金雅煐;李艺路;秦教英;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。
具有掩埋沟道阵列半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310491132.4在审
发明人：金根楠;朴善暎;廉癸憙;张贤禹;郑震源;赵昶贤;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210165160.2有效
发明人：金志永;吴容哲;禹东秀;郑铉雨;秦教英;崔成菅;洪亨善;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在该半导体器件中由两个子栅独立地控制一个沟道区以抑制泄漏电流的产生。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法-CN201110302245.6有效
发明人：金大益;洪亨善;黄有商;郑铉雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；半导体柱，从半导体衬底延伸，该半导体柱包括第一区域、第二区域和第三区域，第二区域位于第一区域和第三区域之间，第三区域位于第二区域与半导体衬底之间，直接相邻的区域具有不同的导电类型；第一栅极图案，设置在第二区域上，第一绝缘层在第一栅极图案与第二区域之间；以及第二栅极图案，设置在第三区域上，其中第二区域通过第二栅极图案欧姆连接到衬底。
具有垂直沟道晶体管半导体存储器件及其制造方法

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