“金恩靓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造半导体存储器装置的方法-CN201810329924.4有效
发明人： 金恩靓;金大益;金奉秀;朴济民;张世明;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体存储器装置的方法，包含：在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案；形成覆盖位线封盖图案的侧壁和位线的侧壁的第一间隔物；形成与第一间隔物的侧壁接触且具有低于第一间隔物的上部末端的顶部表面的接触塞；移除第一间隔物的上部部分；形成封闭至少空隙的入口的第一牺牲层；形成覆盖位线封盖图案的侧壁且具有与第一间隔物的顶部表面接触的底部表面的第二间隔物；以及移除第一牺牲层。位线封盖图案在位线上。接触塞包含暴露于顶部表面上的空隙。
制造半导体存储器装置方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202211279939.7在审
发明人：朴素贤;金恩靓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括包含有源区域的基底。字线可以位于有源区域上并且可以在第一方向上延伸。位线结构可以位于字线上，并且每个位线结构可以包括连接到有源区域的第一杂质区的接触部以及位于所述接触部上并在第二方向上延伸的线部。接触插塞可以位于位线结构之间并且可以连接到有源区域的相应的第二杂质区。连接图案可以将接触插塞连接到第二杂质区。每个连接图案可以包括面对所述接触部的第一凹入表面以及与第一凹入表面相对的第二凸出表面。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202210649266.3在审
发明人： 金恩靓;金铉用;李相昊;安容奭;崔宰福 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：器件隔离图案，在基板中并限定彼此间隔开的第一有源部分和第二有源部分，其中第一有源部分的中心邻近第二有源部分的端部；跨越第一有源部分的中心的位线；在位线和第一有源部分之间的位线接触；以及在第二有源部分的该端部上的第一存储节点焊盘。第一存储节点焊盘包括第一焊盘侧壁和第二焊盘侧壁。第一焊盘侧壁邻近位线接触。第二焊盘侧壁与第一焊盘侧壁相反。当在平面图中观看时，第二焊盘侧壁在远离位线接触的方向上是凸起的。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN201710673839.5有效
发明人： 金恩靓;金熙中;金根楠;金大益;金奉秀;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及接触焊盘结构，在平面图中在字线之间且在位线结构之间。间隔物结构在位线结构与接触焊盘结构之间延伸。间隔物结构包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202210591218.3在审
发明人： 金恩靓;金孝燮;崔宰福;安容奭;安濬爀;李基硕;李明东;崔允荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；在衬底中并延伸跨过第一有源部分的字线；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；在位线的一侧上并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面被圆化。
半导体存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202210053083.5在审
发明人： 金恩靓;金惠远;崔世领 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域、外围区域以及在单元区域与外围区域之间的边界区域；单元有源图案，在基底的单元区域上；外围有源图案，在基底的外围区域上；边界绝缘图案，设置在基底的边界区域上并且设置在单元有源图案与外围有源图案之间；以及缓冲图案，设置在基底的单元区域上并且设置在边界绝缘图案与单元有源图案之间。缓冲图案在与基底的顶表面平行的第一方向上的宽度可以大于每个单元有源图案在第一方向上的宽度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110895452.0在审
发明人：柳成然;金恩靓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当执行间隙填充工艺以填充有源图案之间的区域时，支撑图案可以用于固定有源图案的上部，因此，可以防止或减少有源图案弯曲或倒塌的可能性。因此，可以减少半导体器件的故障和/或提高半导体器件的可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110830313.X在审
发明人：金惠远;金恩靓;成金重;崔宰福 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区、外围区和单元区与外围区之间的边界区；单元器件隔离图案，其位于衬底的单元区上，以限定单元有源图案；外围器件隔离图案，其位于衬底的外围区上，以限定外围有源图案；以及绝缘隔离图案，其位于衬底的边界区上，所述绝缘隔离图案在单元有源图案与外围有源图案之间，其中，绝缘隔离图案的底表面包括：第一边缘，其邻近于单元有源图案中对应的一个的侧表面，以及第二边缘，其邻近于外围有源图案中对应的一个的侧表面，当从衬底的底表面测量时，第一边缘位于低于第二边缘的高度。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202110742338.4在审
发明人： 金恩靓;金惠远;柳成然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：多个第一导电图案，在基板上在第一方向上平行地延伸；多个第二导电图案，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上平行地延伸；多个掩埋接触，在所述多个第一导电图案之间和在所述多个第二导电图案之间连接到基板；以及着陆焊盘，在所述多个掩埋接触上连接到每个掩埋接触。着陆焊盘包括在平面图中在第一方向上延伸的第一侧表面以及在平面图中在第三方向上延伸的第二侧表面。在平面图中，第三方向不同于第一方向和第二方向。
半导体存储器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910417483.8在审
发明人：李基硕;金根楠;金恩娥;金恩靓;沈正燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括形成有源结构，所述有源结构包括多个有源图案、限定有源图案的装置隔离层以及跨越有源图案并沿第一方向延伸的栅极结构；在有源结构上形成第一掩模图案；以及通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来图案化有源结构以形成沟槽。形成第一掩模图案包括在第一掩模层中形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第一开口，以及在第一掩模层中形成沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸的多个第二开口。
源结构方向延伸掩模图案源图案方向交叉掩模层开口半导体装置装置隔离层蚀刻掩模栅极结构图案化申请制造

[发明专利]集成电路器件-CN201810466717.3在审
发明人：安浚爀;金恩靓;金熙中;李基硕;金奉秀;李明东;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括成对的线结构。每对线结构可以包括在第一水平方向上在衬底之上延伸的一对导电线、以及分别覆盖一对导电线的一对绝缘盖图案。集成电路器件可以包括在成对的线结构之间的导电插塞、以及在成对的绝缘盖图案之间接触导电插塞的顶表面的金属硅化物膜。在垂直于第一水平方向的第二水平方向上，导电插塞可以在成对的导电线之间具有第一宽度并在成对的绝缘盖图案之间具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。
成对的集成电路器件导电线绝缘盖导电插塞线结构图案金属硅化物膜接触导电顶表面插塞衬底对线垂直延伸覆盖

[发明专利]半导体器件-CN201310072970.8在审
发明人：李宰圭;高升必;金容准;金恩靓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体层，在基板上且在第一方向上延伸；多个第二半导体层，在第一半导体层上且在第一方向上间隔开；以及绝缘层结构，围绕第一半导体层的侧壁和多个第二半导体层的侧壁。第一半导体层可以具有第一导电类型，多个第二半导体层可以具有第二导电类型。
半导体器件

1
共 12 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top