“H01L23/528”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1015个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的互连结构的方法-CN202310467664.8在审
发明人：崔宰铭;金泰善;李长根;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的互连结构的方法。提供一种半导体器件，该半导体器件包括互连结构和连接到互连结构的至少一个前段制程(FEOL)元件，该互连结构包括：第一金属图案或通路结构，在其侧壁上具有间隔物结构；和第一层间电介质(ILD)层，形成在其侧壁上具有间隔物结构的第一金属图案或通路结构的侧部处，其中间隔物结构包括与第一ILD层中包括的材料不同的电介质材料。
半导体器件以及制造互连结构方法

[发明专利]具有保护机制的半导体装置及其相关系统、装置及方法-CN201880056037.2有效
发明人：周卫;B·K·施特雷特;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置，其包含：衬底，其包含衬底顶面；互连件，其经连接到所述衬底且在所述衬底顶面上方延伸；裸片，其经附接于所述衬底上方，其中所述裸片包含连接到用于电耦合所述裸片及所述衬底的所述互连件的裸片底面；及金属围封体，其直接接触所述衬底顶面及所述裸片底面，且垂直延伸于所述衬底顶面与所述裸片底面之间，其中所述金属围封体沿外围包围所述互连件。
具有保护机制半导体装置及其相关系统方法

[发明专利]存储阵列导线结构及布线、制备方法和外围电路驱动方法-CN202311044751.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：温州核芯智存科技有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了存储阵列导线结构及布线、制备方法和外围电路驱动方法。本发明将存储阵列内外围电路及其对应的驱动线通过重新布线跳线方案实现连接，且改变了导线的结构，由单一一根线变为多根导线并联，增大了可用于连接的导线面积，在不改变当前金属层分布密度的情况下，成功解决RDL封装工艺能力不足的问题，也避免了单纯增加线宽会发大刻蚀负载效应的情况。
存储阵列导线结构布线制备方法外围电路驱动

[发明专利]一种板级扇出封装结构及方法-CN202310937647.6在审
发明人：马书英;申九林 -专利权人：华天科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种板级扇出封装结构及方法，所述结构包括：芯片；无源器件；塑封料，所述塑封料将芯片和无源器件并排封装，其中芯片的正面朝下；金属重布线层，所述金属重布线层通过钝化层间隔堆叠于芯片的正面，与芯片及无源器件导通；信号导出结构，布置于金属重布线层上；散热结构，布置于芯片的背面。本发明采用大板级RDL封装代替传统的基板和倒装焊接，可以使得产品整体结构更轻薄，且大板级封装，可以大幅提高产出效率，显著降低生产成本；还可避免芯片与基板回流焊接的高温制程，在简化工艺的同时能够减少产品变形翘曲及应力积累的问题；在芯片的背面制作有散热结构，可以提高产品的散热效果。
一种板级扇出封装结构方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202310468870.0在审
发明人：林晋申;卢永峰;甘皓天;廖人政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括具有电源控制电路的衬底、前侧金属层和背侧金属层以及第一和第二馈送贯通孔(FTV)。前侧金属层具有第一和第二前侧电源轨。背侧金属层具有第一和第二背侧电源轨。第一FTV延伸穿过衬底，并将第一前侧电源轨耦接到第一背侧电源轨。第二FTV延伸穿过衬底并将第二前侧电源轨耦接到第二背侧电源轨。电源控制电路耦接到第一和第二前侧电源轨，并且是可控制以将第一前侧电源轨电连接到第二前方电源轨，或者将第一前侧电源轨与第二前侧电源轨电性断开连接。本申请的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202211554661.X在审
发明人：徐元一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：堆叠在衬底上并在其顶表面上包括第一焊盘和第二焊盘的半导体芯片、以及将第一焊盘和第二焊盘连接到衬底的接合布线。半导体芯片在第一方向和与第一方向相反方向上交替地突出。半导体芯片具有与另一半导体芯片间隔开的第一横向表面。半导体芯片的顶表面上设置有沿第一横向表面延伸的第一布置线和从第一布置线的相对端延伸的第二布置线。其中，随着第一布置线与第二布置线之间的距离增加，第二布置线与第一横向表面之间的距离增加。第一焊盘沿第一布置线布置。第二焊盘沿第二布置线布置。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202110984595.9有效
发明人：张永会 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，解决半导体器件的电学性能差的技术问题，该半导体器件包括衬底和位于衬底上的介质层；介质层中设有刻蚀停止层和位于刻蚀停止层上的第一金属层，第一金属层至少包裹刻蚀停止层的侧壁；衬底背离介质层的一侧设有通孔，通孔中填充有导电体，导电体贯穿通孔的底部与第一金属层电导通。本申请提供的半导体器件的电学性能好。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910517155.5有效
发明人：川崎裕二;吉野学 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明目的是提供能够缓和台阶的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：第1层间绝缘膜，具有第1开口；第2层间绝缘膜，具有俯视观察时与第1开口重叠且露出第1配线层的第2开口；第2配线层；第3层间绝缘膜；以及SOG(Spin on Glass)膜，以俯视观察时与第1开口重叠的方式形成，第2开口的开口面积比第1开口大，在剖视观察时，在将第1开口的宽度即第1开口宽度设为W1，将第2开口的宽度即第2开口宽度设为W2，将从半导体衬底表面到第2开口处的第3层间绝缘膜的表面为止的高度的最小值设为H1，以及将从半导体衬底表面到第2开口的端部即第2开口端处的第3层间绝缘膜的表面为止的高度设为H2时，满足(H2‑H1)/((W2‑W1)/2)≤3.6。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]互连结构、包括其的集成电路和制造集成电路的方法-CN202310429560.8在审
发明人： E·金;朴孝恩;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了互连结构、包括其的集成电路和制造集成电路的方法。该互连结构可以包括：金属线，包括沿第一方向具有不同厚度的多个区段；以及多个通路，分别从金属线的所述多个区段突出。
互连结构包括集成电路制造方法

[发明专利]半导体元件-CN202211627414.8在审
发明人：蔡志楹;王瑞僧;陈益义 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基底、一接触结构、一第一导电元件以及一第一介电间隙子结构。该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该接触结构位于该半导体基底的该主动区上。该第一导电元件位于该半导体基底的该隔离结构上。该第一介电间隙子结构位于该接触结构与该第一导电元件之间。该第一介电间隙子结构具有面向该第一导电元件的一第一凹面。
半导体元件

[发明专利]电子器件和半导体器件-CN202310328773.1在审
发明人：仮屋崎修一;及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子器件和半导体器件。布线板具有与第一半导体器件重叠的第一区域，并且具有不与第一半导体器件和第二半导体器件中的每一者重叠的第二区域。布线板的第一信号布线具有在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分。在布线板的厚度方向上，第二部分在被提供有基准电位的两个接地图案之间，而第一部分具有不位于被提供有基准电位的两个接地图案之间的部分。第一部分具有第一宽部分，第一宽部分具有比第二部分的宽度大的宽度。
电子器件半导体器件

[发明专利]局部互连电源轨和上部电源轨-CN202310269460.3在审
发明人： J·P·马扎;N·K·贾恩;朱雪莲;曾伽;M·拉希德 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及局部互连电源轨和上部电源轨。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及与上部电源轨合并的局部互连电源轨和制造方法。该结构包括：有源基元，其包括包围在有源区中的接触；至少一个局部互连电源轨，其连接到有源区的接触；以及至少一个电源轨，其位于至少一个局部互连电源轨上方并且连接到至少一个局部互连电源轨。
局部互连电源上部

[发明专利]半导体器件-CN202310410247.X在审
发明人：都桢湖;柳志秀;李在夏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：根据本公开的一些实施例，一种半导体器件包括：第一电力轨，被配置为提供第一电压并且沿第一方向延伸；衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；第一阱上的第一阱分接部，具有第一导电类型；第一阱上的第一源/漏区，具有第二导电类型；第一源/漏区上的第一源/漏接触部，沿第二方向延伸并且电连接到第一电力轨；第一连接布线，电连接到第一源/漏接触部并且沿第一方向延伸；以及第一阱分接部上的第一阱接触部，电连接到第一连接布线。
半导体器件

[发明专利]微电子装置及相关存储器装置、电子系统和方法-CN202111623846.7有效
发明人： S·R·苏雷沙;T·B·麦克丹尼尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及微电子装置及相关存储器装置、电子系统和方法。一种微电子装置包括导电结构、金属氮化物材料和金属硅化物材料。所述导电结构包括具有第一宽度的第一部分，以及在所述第一部分下方且延伸到半导电材料中的第二部分。所述第二部分具有限定额外宽度的锥形轮廓，所述额外宽度从所述第二部分的上部边界处的所述第一宽度变成所述第二部分的下部边界处的小于所述第一宽度的第二宽度。所述金属氮化物材料基本上环绕所述导电结构的所述第一部分和所述第二部分的外表面。所述金属硅化物材料基本上覆盖在所述导电结构的所述第二部分的竖直边界内的所述金属氮化物材料的外表面。
微电子装置相关存储器电子系统方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202010252030.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括若干沿第一方向拼接排布的第一区，每个所述第一区包括器件区以及围绕所述器件区的屏蔽区；位于每个所述屏蔽区上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括屏蔽层，所述屏蔽层具有2个沿所述第一方向排布的第一开口，所述2个第一开口以所述第一区的中心线为对称轴呈轴对称分布。从而，通过所述半导体结构能够提高集成度。
半导体结构形成方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 1015 条