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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202310465058.2在审
  • 安濬爀;李基硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-26 - 2023-10-27 - H10B12/00
  • 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源区域，有源区域包括第一区域和第二区域；位线，在基底上沿第一方向延伸，并且电连接到有源区域的第一区域；间隔结构，设置在位线的侧表面上；接触结构，设置在间隔结构的侧表面上，并且电连接到有源区域的第二区域；以及数据存储结构，设置在接触结构上，并且电连接到接触结构。接触结构包括：导电接触层，包括第一部分和设置在第一部分上的第二部分；阻挡层，围绕导电接触层的第一部分；以及气隙，围绕导电接触层的第二部分。
  • 半导体装置
  • [发明专利]制造半导体器件的方法-CN202310323742.7在审
  • 朴硕汉;刘宝元;申贤叙;李基硕;郑文泳 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-29 - 2023-10-24 - H01L21/8234
  • 一种制造半导体器件的方法包括在衬底中形成多个第一沟槽。形成多个第一填充层，多个第一填充层填充第一沟槽并具有延伸以从衬底突出的突出部。在第一填充层的突出部的侧壁上形成间隔物。间隔物暴露衬底的在相邻的第一填充层之间的部分。通过蚀刻衬底的由间隔物暴露的部分，在第一沟槽周围形成多个第二沟槽。形成填充第二沟槽的多个第二填充层。去除所有的第一填充层和间隔物。形成共形地覆盖第一沟槽的内壁的栅材料层。通过分离栅材料层在每个第一沟槽中形成一对栅结构。
  • 制造半导体器件方法
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202310026104.9在审
  • 金孝燮;李基硕;李明东;金钟珉;金熙中;李志勋;李泓濬 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-09 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：器件隔离图案，设置在基底上以提供第一有源部分和第二有源部分；第一存储节点垫，设置在第一有源部分上；第二存储节点垫，设置在第二有源部分上；垫分离图案，设置在第一存储节点垫与第二存储节点垫之间；字线，设置在基底中以与第一有源部分和第二有源部分交叉；位线，设置在垫分离图案上并与字线交叉；缓冲层，设置在垫分离图案上；以及掩模多晶硅图案，置于缓冲层与位线之间，其中，掩模多晶硅图案的侧表面与位线的侧表面基本对齐，并且掩模多晶硅图案与垫分离图案竖直地叠置。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202310267630.4在审
  • 郑文泳;李基硕;崔贤根;卢亨俊;李相昊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-20 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体装置可包括：衬底，其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区；栅电极，其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区；背栅电极，其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸；竖直导电图案，其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；以及有源层，其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。有源层可在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且可电连接到竖直导电图案。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
  • 郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-28 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202211663754.6在审
  • 赵珉熙;李基硕;李元锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-23 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供半导体装置。所述半导体装置包括：第一导线，在第一水平方向上延伸；多个半导体图案，在第一导线上并且在第一水平方向上彼此间隔开，其中，所述多个半导体图案中的每个包括在第一水平方向上彼此相对的第一垂直部和第二垂直部；第二导线，在所述多个半导体图案中的每个的第一垂直部与第二垂直部之间在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向相交；栅极介电图案，在第一垂直部与第二垂直部之间以及第二垂直部与第二导线之间；以及阻挡图案，在相邻的半导体图案之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202310085613.9在审
  • 崔贤根;李基硕;李亥濬;郑承宰 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-18 - 2023-09-29 - H10B12/00
  • 半导体存储器件可以包括：下层，包括第一区域和第二区域，下层沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向延伸；以及堆叠，包括沿垂直于第一方向和第二方向的第三方向交替堆叠的字线和层间绝缘图案，该堆叠具有在第二区域上的阶梯结构。字线可以沿第一方向从第一区域延伸到第二区域。每条字线可以包括在第一区域中的彼此平行延伸的子栅电极，以及在第二区域中的共同连接到子栅电极的字线焊盘。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN201910108496.7有效
  • 李基硕;金奉秀;金志永;金熙中;朴硕韩;李宪国;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2019-02-03 - 2023-09-29 - H10B41/20
  • 本发明提供半导体存储器件，该半导体存储器件可包括在衬底上的第一堆叠和第二堆叠以及在第一堆叠和第二堆叠上的第一互连线和第二互连线。第一堆叠和第二堆叠中的每个可包括垂直堆叠在衬底上的半导体图案、分别连接到半导体图案的导线以及邻近半导体图案并且沿着垂直方向延伸的栅电极。第一堆叠可包括第一导线和第一栅电极，第二堆叠可以包括第二导线和第二栅电极。第一导线和第二导线的下表面可以是共面的。第一互连线可以电连接到第一导线和第二导线中的至少一条。第二互连线可以电连接到第一栅电极和第二栅电极中的至少一个。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]集成电路器件和制造该集成电路器件的方法-CN201810494130.3有效
  • 尹灿植;李昊仁;李基硕;朴济民 - 三星电子株式会社
  • 2018-05-22 - 2023-09-26 - H10B12/00
  • 本发明提供一种集成电路器件和制造该集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括具有沿平行于衬底的上表面的方向彼此分开的第一区域和第二区域的衬底。界面器件隔离层填充在第一区域与第二区域之间的界面区域中的界面沟槽，并且限定位于第一区域中的第一有源区的一部分和位于第二区域中的第二有源区的一部分。绝缘图案从第一区域延伸到界面器件隔离层的上部分。绝缘图案覆盖界面器件隔离层的至少一部分和第一有源区。绝缘图案在界面器件隔离层的上表面上限定底切区域。掩埋图案实质上填充底切区域。
  • 集成电路器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202310212812.1在审
  • 任遂彬;金仁洙;孟瑞贤;朴基钟;朴壬洙;李基硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-06 - 2023-09-19 - H10B12/00
  • 一种半导体器件可以包括：衬底上的第一柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行；衬底上的第二柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行，第二柱状绝缘图案和第一柱状绝缘图案在与第一方向垂直的第二方向上彼此重叠；堆叠在衬底上以在竖直方向上间隔开的硅图案，沿第二方向延伸并位于两个第一柱状绝缘图案之间和两个第二柱状绝缘图案之间；每个硅图案的上表面和下表面中的每个表面上的字线，沿第一方向延伸，接触第一柱状绝缘图案和/或第二柱状绝缘图案中的至少一个的侧壁；接触硅图案中的至少第一硅图案的第一侧壁的位线，沿竖直方向延伸；及接触第一硅图案的第二侧壁的电容器，沿水平方向设置。
  • 半导体器件
  • [发明专利]集成电路器件及制造其的方法-CN201811509486.6有效
  • 金熙中;韩成熙;李基硕;金奉秀;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2018-12-11 - 2023-09-19 - H01L23/64
  • 本发明构思提供了一种集成电路器件和制造其的方法。所述集成电路器件可以包括在衬底上方的支撑图案、在衬底上方的下电极图案和电介质结构、以及在电介质结构上的上电极结构。支撑图案可以包括在垂直方向上延伸的第一支撑结构。下电极图案可以在支撑图案与电介质结构之间。下电极图案可以包括彼此间隔开的第一组N个(例如4或更大的整数)下电极，并且可以在垂直方向上延伸到衬底之上的第一水平。电介质结构可以包括在垂直方向上延伸并围绕第一支撑结构和第一组N个下电极的第一电介质突起。上电极结构可以包括围绕第一电介质突起的第一上电极突起。
  • 集成电路器件制造方法
  • [发明专利]包括接触结构的半导体装置-CN201810203802.0有效
  • 尹灿植;李基硕;金廷泫;朴济民 - 三星电子株式会社
  • 2018-03-13 - 2023-08-22 - H10B12/00
  • 本申请提供一种半导体装置，其包括位于支承层上的第一布线图案、位于第一布线图案上的第二布线图案和多重绝缘图案。第一布线图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。支承层包括位于第一布线图案之间在第一方向和第二方向上彼此间隔开的第一接触孔图案。第二布线图案在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开。所述多重绝缘图案位于支承层的未形成第一接触孔图案的上表面上，排列在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上，并且在第一布线图案与第二布线图案之间。
  • 包括接触结构半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202310118648.8在审
  • 李基硕;尹灿植;金根楠 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-03 - 2023-08-08 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括包含有源区的衬底、字线结构、在衬底上的位线结构、以及配置为将有源区的第一杂质区与位线结构电连接的位线接触图案。该半导体器件包括在位线结构的侧壁上的存储节点接触，存储节点接触电连接到有源区的第二杂质区。该半导体器件包括在位线结构的侧壁上的间隔物结构，间隔物结构在位线接触图案的侧壁上，间隔物结构包括围绕下部的侧表面的下间隔物结构和设置在上部的侧表面上的上间隔物结构。该半导体器件包括电连接到存储节点接触的电容器结构。
  • 半导体器件
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