专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202310026104.9在审
  • 金孝燮;李基硕;李明东;金钟珉;金熙中;李志勋;李泓濬 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-09 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:器件隔离图案,设置在基底上以提供第一有源部分和第二有源部分;第一存储节点垫,设置在第一有源部分上;第二存储节点垫,设置在第二有源部分上;垫分离图案,设置在第一存储节点垫与第二存储节点垫之间;字线,设置在基底中以与第一有源部分和第二有源部分交叉;位线,设置在垫分离图案上并与字线交叉;缓冲层,设置在垫分离图案上;以及掩模多晶硅图案,置于缓冲层与位线之间,其中,掩模多晶硅图案的侧表面与位线的侧表面基本对齐,并且掩模多晶硅图案与垫分离图案竖直地叠置。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202211673253.6在审
  • 安濬爀;郑宇陈;金熙中 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-26 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:有源部分,由器件隔离图案限定,有源部分包括位于有源部分的中心部分的第一杂质区域和位于有源部分的端部部分的第二杂质区域;字线,设置在有源部分上并沿第一方向延伸;位线,设置在字线上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸;位线接触件,设置在位线和有源部分的第一杂质区域之间;存储节点垫,设置在有源部分的第二杂质区域上;以及存储节点接触件,设置在存储节点垫上并且设置在位线的一侧。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN201910108496.7有效
  • 李基硕;金奉秀;金志永;金熙中;朴硕韩;李宪国;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2019-02-03 - 2023-09-29 - H10B41/20
  • 本发明提供半导体存储器件,该半导体存储器件可包括在衬底上的第一堆叠和第二堆叠以及在第一堆叠和第二堆叠上的第一互连线和第二互连线。第一堆叠和第二堆叠中的每个可包括垂直堆叠在衬底上的半导体图案、分别连接到半导体图案的导线以及邻近半导体图案并且沿着垂直方向延伸的栅电极。第一堆叠可包括第一导线和第一栅电极,第二堆叠可以包括第二导线和第二栅电极。第一导线和第二导线的下表面可以是共面的。第一互连线可以电连接到第一导线和第二导线中的至少一条。第二互连线可以电连接到第一栅电极和第二栅电极中的至少一个。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]集成电路器件及制造其的方法-CN201811509486.6有效
  • 金熙中;韩成熙;李基硕;金奉秀;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2018-12-11 - 2023-09-19 - H01L23/64
  • 本发明构思提供了一种集成电路器件和制造其的方法。所述集成电路器件可以包括在衬底上方的支撑图案、在衬底上方的下电极图案和电介质结构、以及在电介质结构上的上电极结构。支撑图案可以包括在垂直方向上延伸的第一支撑结构。下电极图案可以在支撑图案与电介质结构之间。下电极图案可以包括彼此间隔开的第一组N个(例如4或更大的整数)下电极,并且可以在垂直方向上延伸到衬底之上的第一水平。电介质结构可以包括在垂直方向上延伸并围绕第一支撑结构和第一组N个下电极的第一电介质突起。上电极结构可以包括围绕第一电介质突起的第一上电极突起。
  • 集成电路器件制造方法
  • [发明专利]集成电路器件-CN202310133841.9在审
  • 明美笑;金根楠;金恩娥;金熙中;李相昊 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-10 - 2023-08-15 - H01L23/538
  • 一种集成电路器件,包括:衬底,具有有源区域;衬底上的位线结构,位线结构在其每个侧壁上具有绝缘间隔物;在位线结构之间的掩埋接触部,掩埋接触部连接到有源区域;每个位线结构上的绝缘封盖图案;阻挡导电层,覆盖绝缘封盖图案的侧表面以及绝缘间隔物的上表面和侧表面;以及着接焊盘,电连接到掩埋接触部,着接焊盘在绝缘封盖图案和阻挡导电层上与位线结构中的一个位线结构竖直地重叠。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202010348098.5有效
  • 慎重赞;金志永;金熙中;安泰炫;赵银珠;崔贤根;韩相然 - 三星电子株式会社
  • 2020-04-28 - 2023-07-25 - H10B41/10
  • 公开了一种半导体存储器件,其包括:堆叠结构,包括垂直地堆叠在衬底上的层,每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案;栅电极,在穿透堆叠结构的孔中,并沿着半导体图案的堆叠延伸;垂直绝缘层,覆盖栅电极并填充孔;以及数据存储元件,电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极,第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状,第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202210802412.1在审
  • 李基硕;金根楠;金容锡;金熙中;赵珉熙;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-07 - 2023-05-16 - H01L23/538
  • 提供了一种半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:堆叠结构,包括竖直堆叠在基底上的层组并且包括字线、沟道层和电连接到沟道层的数据存储元件;以及位线,在堆叠结构的一侧上竖直延伸,其中,层组中的每个的字线在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸,层组包括顺序堆叠的第一层组和第二层组,沟道层在第一层组的字线下方,沟道层在第二层组的字线上方,并且位线包括连接到第一层组的沟道层的第一突起部分以及连接到第二层组的沟道层的第二突起部分。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202210620882.6在审
  • 李基硕;金根楠;金熙中;李元锡;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-01 - 2023-04-07 - H10B12/00
  • 公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括:位线,所述位线在第一方向上延伸;字线,所述字线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸;沟道图案,所述沟道图案位于所述位线上,所述沟道图案包括:连接到所述位线的水平沟道部分,以及从所述水平沟道部分起在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸的垂直沟道部分;以及栅极绝缘图案,所述栅极绝缘图案位于所述字线与所述沟道图案之间。所述沟道图案的所述水平沟道部分可以被设置为平行于向所述第一方向和所述第二方向倾斜的第四方向。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202210634014.3在审
  • 李基硕;金根楠;金熙中;李元锡;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-06 - 2023-04-07 - H01L29/10
  • 可以提供一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括:位线;沟道图案,所述沟道图案位于所述位线上,所述沟道图案包括设置在所述位线上的水平沟道部分和从所述水平沟道部分垂直延伸的垂直沟道部分;字线,所述字线设置在所述沟道图案上以与所述位线交叉,所述字线包括设置在所述水平沟道部分上的水平部分和从所述水平部分垂直延伸以面对所述垂直沟道部分的垂直部分;以及栅极绝缘图案,所述栅极绝缘图案设置在所述沟道图案与所述字线之间。
  • 半导体存储器件

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