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[发明专利]存储器系统-CN202210696772.8在审
发明人：柴崎健太;进藤佳彦;平嶋康伯;菅原昭雄;长坂繁辉;中村大;萩原洋介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提高存储器系统的处理能力。根据实施方式，存储器系统包括包含存储单元阵列(111)的存储器芯片(11)、及控制存储器芯片的存储器控制器(20)。在存储单元阵列中，存储在存储器芯片启动时执行的第1动作(POR)中所使用的第1数据(芯片启动数据)。存储器芯片在从存储器控制器接收到第1数据的情况下，在第1动作中不从存储单元阵列读出第1数据，而在未从存储器控制器接收到第1数据的情况下，在第1动作中从存储单元阵列读出第1数据。
存储器系统

[发明专利]存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法-CN201711207662.6有效
发明人：韩一洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法，所述方法包含：通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息从多个防御代码中选择至少一个第一选择防御代码，所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值；基于所述第一选择防御代码确定用于执行读取操作的读取电压的水平；以及通过使用具有所述确定的水平的读取电压执行读取操作。通过执行选择防御代码，可确定读取电压的最佳水平或期望水平。
存储器读取操作方法控制器存储系统

[发明专利]存储器系统-CN202310127957.1在审
发明人：初田幸辅 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了一种存储器系统，其能够在适合于由命令等等指示的动作的条件下，执行从非易失性存储器的读取动作和向非易失存储器的写入动作。一种存储器系统包括非易失性存储器和存储器控制器，该存储器控制器被配置为从外部设备接收包括非易失性存储器中的访问对象和设置信息的命令，并被配置为控制针对访问对象的写入动作或读取动作。该存储器控制器具有条件设置电路。该条件设置电路能够在多个不同条件下执行写入动作或读取动作。存储器控制器在根据设置信息由条件设置电路选择的所述多个不同条件中的一个条件下，执行写入动作或读取动作。
存储器系统

[发明专利]优化扫描间隔-CN201880067268.3有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;H·R·桑吉迪;G·S·阿尔萨苏阿;G·F·贝桑格;S·瑞特南;P·S·费利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明揭示额外设备、系统及方法。
优化扫描间隔

[发明专利]一种数据读取方法、集成电路及芯片-CN201710154782.8有效
发明人：温浪明;陈恒;易冬柏;方励 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据读取方法、集成电路及芯片，集成电路包括：低电压检测逻辑电路和NVM控制器，在NVM控制器从NVM读取数据之前，低电压检测逻辑电路会首先从NVM的预烧区域读取预烧区域返回值，通过比较预烧区域返回值和预先烧写到预烧区域的目标预烧值是否相等，确定NVM的供电电压是否正常，并且只有在预烧区域返回值和目标预烧值相等时，即NVM的供电电压正常时，NVM控制器才会从NVM内读取数据。由此可知，本发明是在确定NVM的供电电压正常后，才读取NVM内的数据，因此，能够有效保证读取NVM的数据的稳定性，避免因NVM的供电电压处于非正常状态所带来的读取数据不稳定的问题。
一种数据读取方法集成电路芯片

[发明专利]一种基于LVGL的固件存储读取方法及装置-CN202110580642.3有效
发明人：胡文;黄金华;于嘉 -专利权人：翱捷科技股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于LVGL的固件存储读取方法。在固件中将代码的镜像文件保存在第一分区中，将资源文件保存在第二分区中，第二分区采用只读的文件系统。为所述只读的文件系统设置第一缓存区和第二缓存区。当所述电子设备的固件想要读取某个资源文件时，发出目标文件的字符串形式的路径以及文件名称，所述只读的文件系统在第二分区中遍历文件头以匹配到目标文件的路径中的各级目录以及目标文件的文件名称，获取目标文件的文件头的绝对逻辑地址。根据目标文件的文件头的绝对逻辑地址找到文件内容的绝对逻辑地址的起始地址，读出目标文件的二进制数据。本申请支持电子设备的固件中的资源文件单独升级。
一种基于 lvgl 存储读取方法装置

[发明专利]用于有效地执行读取操作的存储器装置及其操作方法-CN202310104105.0在审
发明人：辛范柱;柳泰熙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及用于有效地执行读取操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置可以包括：多个平面，每个平面适用于以页为单位输入/输出数据；锁存器，其适用于响应于一个或更多个读取命令而对多个平面中的一个或更多个平面执行读取操作，从多个平面当中的任何一个平面接收数据，并且存储接收到的数据；以及逻辑控制器，其适用于响应于在接收到读取命令之后接收的输出命令而将与存储在锁存器中的数据相对应的第一平面信息和与输出命令相对应的第二平面信息进行比较，并且适用于选择性地输出锁存器的数据。
用于有效地执行读取操作存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种优化tRCD参数的方法-CN201710349534.9有效
发明人：亚历山大 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种回写方法和一种存储器。所述回写方法包括：步骤a:通过第一级灵敏放大器将位线和参考位线之间的电压差放大，之后将经放大的电压差数据传输到局部数据线上；步骤b：将步骤a中经放大的电压差数据从局部数据线送入第二级灵敏放大器，通过第二级灵敏放大器对步骤a中经放大的电压差数据进行放大并锁存；步骤c：将步骤b中经放大并锁存的电压差数据回写到局部数据线上；其中，步骤c发生在列选信号CSL有效时。正确数据的回写阻止了灵敏放大器中的错误翻转，并且还能帮助灵敏放大器很快地把错误翻转的值拉回到正确值上，以消除列选信号开启带来的噪声对位线和参考位线及SA的影响。
一种优化 trcd 参数方法

[发明专利]一种动态调整预测NAND最优读电压的方法-CN202310762030.5在审
发明人：孙义;曹成;李瑞东 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种动态调整预测NAND最优读电压的方法，涉及NAND Flash技术领域，可以代替目前存储设备中使用的固定电压轴表读取的方式。解决了固定电压轴无法覆盖所有复杂使用情况的问题。此方法在电压轴准确度的基础上兼顾了效率，在最优电压阈值动态生成过程中有一定的自学习能力，对于SSD读性能有一定的提升作用。
一种动态调整预测 nand 最优电压方法

[发明专利]闪存的读电路的控制装置和方法-CN202310572543.X在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的读电路的控制装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件，包括：第一源和第二源漏区，多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，第一栅极结构间的第二栅极结构。各第一栅极结构的控制栅连接到控制栅线。第二栅极结构连接到对应的字线。控制装置用于实现对未选定存储位的控制栅电压和字线电压进行控制，包括：设置第一时间段，将控制栅电压和字线电压设置为高压以实现读取；在第一时间段后设置第二时间段，在第二时间段内，将控制栅电压和字线电压设置为一个以上依次降低的中压，以防止在第二时间段内产生读取干扰。本发明还提供一种闪存的读电路的控制方法。本发明提高读取窗口，同时还能防止较高读取电压所带来的读干扰。
闪存电路控制装置方法

[发明专利]存储器装置、存储器系统及操作存储器系统的方法-CN201910475761.5有效
发明人：李显雨;金荣均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器系统。该存储器系统包括：存储器单元阵列，包括多个存储块；外围电路，被配置成对多个存储块之中的选择的存储块执行读取操作，并且对多个存储块之中的备份块执行备份编程操作；以及控制电路，被配置成当在对选择的存储块的读取操作中，选择的存储块的选择的物理页面的读取计数等于或大于设定值时，控制外围电路将包括在选择的存储块中的弱逻辑页面的数据备份在备份块中。
存储器装置系统操作方法

[发明专利]从存储器中读取配置信息的控制方法、装置和系统-CN201710156086.0有效
发明人：温浪明;陈恒;易冬柏;张浩亮 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种从存储器中读取配置信息的控制方法、装置和系统。其中，该方法包括：获取从存储器的第一存储区域读取到的第一存储值，以及从存储器的第二存储区域读取到的第二存储值，其中，第一存储区域为存储器中用于存储预烧值的存储区域，第二存储区域为存储器中用于存储配置信息的存储区域；判断第一存储值是否等于预烧值；如果第一存储值等于预烧值，则根据第二存储值与初始状态值确定输出的配置信息的状态值，其中，状态值用于表征配置信息是否有效。本发明解决了现有技术在从NVM(非易失存储器)中读取系统配置信息的过程中无法抵御低电压攻击的技术问题。
存储器读取配置信息控制方法装置系统

[发明专利]存储装置及编程存储装置中存储单元的方法-CN201911032384.4有效
发明人：陈重光 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置及编程存储装置中存储单元的方法，所述存储装置包括：存储单元阵列，具有多个存储单元被排列为单元串列而耦接至金属位线；感测放大器，用于向存储单元阵列提供感测电流；以及存储控制器，用于控制感测放大器提供感测电流以在存储器存取周期存取数据。存储控制器执行包括以下的操作：在存储器存取周期的预充电阶段，提供预充电电压至感测放大器以驱动感测放大器，使得特定电压被提供给存储单元阵列；在第一感测阶段，提供预充电电压至感测放大器；及在第二感测阶段，提供感测电压以驱动感测放大器，使得提供给存储单元阵列的特定电压被维持。
存储装置编程单元方法

[发明专利]深度学习人工神经网络中模拟神经存储器的输入和数字输出机制-CN202180081820.6在审
发明人： H·V·特兰;T·乌;S·特林;S·洪;T·勒;N·勒;H·帕姆 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了用于读取或验证人工神经网络中的矢量‑矩阵乘法(VMM)阵列中的所选择的存储器单元中所存储的值的多个实施方案。在一个实施方案中，输入包括一组输入位，该组输入位产生施加到所选择的存储器单元的端子的一系列输入信号，进一步产生一系列输出信号，该一系列输出信号被数字化，基于相应输入位在该组输入位中的位位置进行移位，并相加以产生输出，该输出指示存储在所选择的存储器单元中的值。
深度学习人工神经网络模拟神经存储器输入数字输出机制

[发明专利]用于闪存存储器系统的改进的感测放大器-CN201810619270.9有效
发明人：钱晓州;X.Y.皮;K.M.岳;L.F.卞 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。
用于闪存存储器系统改进放大器