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[发明专利]NAND温度数据管理-CN201880064074.8有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;P·汤姆森;H·R·桑吉迪;辉俊胜;P·S·费利;J·黄 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文中公开了用于NAND温度数据管理的装置和技术。将数据写入到NAND装置中的NAND组件的命令在所述NAND装置的NAND控制器处被接收到。响应于接收到所述命令获得对应于所述NAND组件的温度。随后执行所述命令以将数据写入到所述NAND组件并且以写入所述温度的表示。所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。
nand 温度数据管理

[发明专利]用于以不同码率在分区之间回拷的多层码率架构-CN202310209622.4在审
发明人： M·N·凯纳克;K·K·姆奇尔拉;S·帕塔萨拉蒂;J·菲兹帕特里克;M·A·赫尔姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及用于以不同码率在分区之间回拷的多层码率架构。在一个方法中，将用户数据存储在非易失性存储器的第一分区中。产生用于所述用户数据的第一错误校正码数据，且将其与所述用户数据一起存储在所述第一分区中。产生用于所述用户数据的第二错误校正码数据，且将其存储在所述第一分区外部。所述第二错误校正码数据提供与用于所述第一错误校正码数据的错误校正算法兼容的增大的错误校正能力。使用回拷操作来将所述用户数据和所述第一错误校正码而不将所述第二错误校正码复制到所述非易失性存储器的第二分区。如果需要恢复存储在所述第一分区中的所述用户数据的部分，则可选择性地使用所述第二错误校正码。
用于不同分区之间多层架构

[发明专利]用于自动字线状态旁路管理的系统、方法及存储媒体-CN202210101422.2有效
发明人：吴建刚;辉俊胜;林其松;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F13/18 文献下载
摘要：本公开涉及自动字线状态旁路管理。一种处理装置存取用以将数据编程到存储器装置的块中的页的命令。所述处理装置确定所述页是否为所述块中的最后剩余开放页。所述处理装置存取指示用以对所述存储器装置中的一或多个开放块施加读取电平偏移的功能的启用的列表。所述处理装置确定所述列表包含匹配于所述块的条目。所述条目指示用以对所述块施加读取电平偏移的所述功能的启用。所述处理装置基于确定所述页是所述块中的最后剩余开放页而停用所述功能。所述处理装置将所述命令添加到命令的优先化队列。所述存储器装置以基于指派于每一命令的优先级的次序执行来自所述优先化队列的命令。
用于自动线状旁路管理系统方法存储媒体

[发明专利]优化扫描间隔-CN201880067268.3有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;H·R·桑吉迪;G·S·阿尔萨苏阿;G·F·贝桑格;S·瑞特南;P·S·费利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明揭示额外设备、系统及方法。
优化扫描间隔

[发明专利]混合模块的操作-CN201880029406.9有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;P·A·汤姆森;M·G·米勒;G·G·贝桑格;S·A·斯托勒;S·K·瑞特南;R·C·帕迪拉;P·菲利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明揭示用于操作混合模块的设备及方法。一种实例方法可包含：跟踪对所述混合模块执行的单电平胞元SLC模式循环及额外电平胞元XLC模式循环；维持对应于所述混合模块的混合模式循环计数；及使在SLC模式中操作的混合模块不同于在XLC模式中操作的混合模块而调整所述混合模式循环计数。
混合模块操作

[发明专利]用于基于有效转换单元计数的存储器管理的方法、设备和系统-CN202210203666.1有效
发明人： A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及用于基于有效转换单元计数的存储器管理的方法、设备和系统。一种方法包含：确定第一存储器单元块的第一有效转换单元计数VTC；当所述第一VTC低于对应于存储器管理操作的执行的VTC阈值时，确定第二存储器单元块的第二VTC；当合并的第一VTC和所述第二VTC等于或超出对应于所述存储器管理操作的所述执行的所述VTC阈值时，合并所述第一VTC和所述第二VTC；以及利用所述合并的第一VTC和所述第二VTC来执行所述存储器管理操作。
用于基于有效转换单元计数存储器管理方法设备系统

[发明专利]对存储器装置中的多个块的并发扫描操作-CN202211698149.2在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;J·A·拉克绍;J·S·麦克尼尔;V·莫斯基亚诺;P·Z·亥特;S·齐德日茨;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及对存储器装置中的多个块的并发扫描操作。存储器装置中的控制逻辑在扫描操作期间选择多个块中的两个或更多个块以并发地进行扫描。所述控制逻辑可进一步致使将第一电压施加到所述两个或更多个块中的每一块的虚设字线以将所述两个或更多个块中的每一块中的存储器单元串选择性地耦合到与所述多个块耦合的感测放大器集合的不同感测放大器。所述控制逻辑可致使将第二电压施加到所述两个或更多个块中的每一块的选定字线以将存储于每一块中的所述存储器单元串的相应存储器单元处的位读出到所述感测放大器集合。
存储器装置中的多个块并发扫描操作

[发明专利]使用复制数据来改善错误校正能力-CN202211657672.0在审
发明人： J·S·麦克尼尔;K·K·姆奇尔拉;S·帕塔萨拉蒂;P·哈亚特;S·桑卡拉纳拉亚南;J·宾福特;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开涉及使用复制数据用于改善错误校正能力。一种系统可包含存储器装置和处理装置，所述处理装置与所述存储器装置以操作方式耦合以执行包含以下各项的操作：接收待存储于所述存储器装置上的数据；在所述存储器装置的第一存储器单元集合中存储所述数据的第一副本；以及在所述存储器装置的第二存储器单元集合中存储所述数据的第二副本。所述操作还可包含：读取所述数据的所述第一副本且确定所述第一存储器单元集合中的单元的阈值电压是否在电压分布的重叠范围内；以及读取所述数据的所述第二副本且确定所述第二存储器单元集合中的单元的所述阈值电压是否在电压分布的重叠范围内。所述操作还可包含使用所述数据的所述第二副本。
使用复制数据改善错误校正能力

[发明专利]用虚设数据来同时编程弃用字线单元-CN202211649814.9在审
发明人： J·S·麦克尼尔;K·K·姆奇尔拉;S·齐尔迪克;合田晃;J·S·帕里;V·莫斯基亚诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请案涉及用虚设数据来同时编程弃用字线单元。一种系统包含存储器装置，所述存储器装置包含存储器阵列和控制逻辑，所述控制逻辑以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包含以下各项的操作：接收用虚设数据来同时编程所述存储器阵列的一组单元的一组命令，所述组单元对应于所述多个字线的弃用字线群组；响应于接收到所述组命令，获得所述虚设数据；以及通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，用所述虚设数据来同时编程所述组单元。
虚设数据同时编程用字单元

[发明专利]存储器装置交叉矩阵奇偶校验-CN202211582945.X在审
发明人： C·J·比布;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本公开描述与存储器装置中的交叉矩阵奇偶校验相关的方法、装置及系统。在实例中，可将到阵列中的存储器胞元的各自保护存储在所述阵列的存储器胞元行中的数据的第一多个奇偶校验数据集写入到所述阵列。此外，可将到所述阵列中的存储器胞元的各自保护存储在所述阵列的存储器胞元列中的数据的第二多个奇偶校验数据集写入到所述阵列。可将所述第一多个奇偶校验数据集及所述第二多个奇偶校验数据集发送到处理器以进行进一步的ECC处理。可从处理器接收指示包含阈值数量的错误的数据群集的纠错数据。可对所述数据群集执行纠错。
存储器装置交叉矩阵奇偶校验

[发明专利]存储器装置交叉矩阵奇偶校验-CN202211597628.5在审
发明人： C·J·比布;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置交叉矩阵奇偶校验。描述与存储器装置中的交叉矩阵奇偶校验相关的方法、装置及系统。在实例中，可产生第一组奇偶校验数据集，所述第一组奇偶校验数据集各自保护存储在阵列的存储器胞元行中的数据。此外，可产生第二组奇偶校验数据集，所述第二组奇偶校验数据集各自保护存储在阵列的存储器胞元列中的数据。可将所述第一奇偶校验数据集及所述第二奇偶校验数据集发送到主机以进行进一步的ECC处理。所述主机可基于所述第一奇偶校验数据集及所述第二奇偶校验数据集向所述存储器装置提供ECC数据。所述存储器装置可基于所述所提供ECC数据修复存储器胞元，停用存储器胞元等。
存储器装置交叉矩阵奇偶校验

[发明专利]验证存储器装置中的读取电平电压-CN202211542647.8在审
发明人： J·S·麦克尼尔;E·N·李;V·P·拉亚普鲁;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特;V·莫斯基亚诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述用于验证存储器装置中的读取电平电压的系统和方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及响应于确定预期位计数和所述实际位计数的差超过预定阈值，调整所述读取电平电压。
验证存储器装置中的读取电平电压

[发明专利]用于减小存储器装置开销的电压校准扫描-CN202210223101.X有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;M·N·凯纳克;S·帕塔萨拉蒂;罗贤钢;P·费利;D·M·巴图蒂斯;吴建刚;S·K·瑞特南;S·诺埃尔;K·D·舒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及用于减小存储器装置开销的电压校准扫描。起始电压校准扫描。接收基于与指定为当前仓的块的第一仓相关联的读取电压偏移集合而针对存储器装置的样本块测量的数据状态度量的第一值。所述第一值指定为最小值。基于与具有高于所述当前仓的索引值的块的第二仓相关联的读取电压偏移集合而测量所述样本块的数据状态度量的第二值。响应于确定所述第二值超过所述第一值，将所述第一仓维持为所述当前仓并且停止所述电压校准扫描。
用于减小存储器装置开销电压校准扫描

[发明专利]用于缓冲器的阈值电压分布调整-CN202180049923.4在审
发明人： J·S·小麦克尼尔;N·里盖蒂;C·米科利;合田晃;K·K·姆奇尔拉;J·宾福特;G·普齐利;M·A·赫尔姆;T·A·马夸特;G·戈洛夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种方法包含根据第一阈值电压分布集将接收到的数据依序写入到存储器装置的循环缓冲器的特定位置。所述方法另外包含响应于确定已发生触发事件，通过将所述数据的所述第一阈值电压分布集调整到第二阈值电压分布集来对所述特定位置执行修整操作。所述第二阈值电压分布集与所述第一阈值电压分布集相比可在所述第二集的相邻阈值电压分布之间具有较大读取窗口。
用于缓冲器阈值电压分布调整

[发明专利]用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令-CN202211396950.1在审
发明人： J·S·麦克尼尔;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特;S·齐德日茨;V·莫斯基亚诺;J·菲兹帕特里克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令。一种方法包含：由存储器装置的控制逻辑从处理装置接收回写清除命令；响应于所述回写清除命令，使得页缓冲器对经配置为单层级单元的第一存储器单元执行双选通读取操作，所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到在所述第一存储器单元的阈值电压分布之间；使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分布内于所述第一/第二阈值电压之间的阈值电压范围中检测到的一位值的数目；及响应于一位值的所述数目不满足阈值准则，使得在无来自所述处理装置的干预的情况下将所述第一存储器单元中的数据回写到经配置为高层级单元的第二存储器单元。
用于存储器装置执行扫描读取清除命令

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