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- [发明专利]控制器及其操作方法-CN202110414427.6在审
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金壮燮
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爱思开海力士有限公司
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2021-04-16
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2022-01-14
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G11C16/26
- 本公开涉及一种用于控制存储器装置的控制器，该存储器装置包括多个多层单元存储块，该控制器包括：处理器，适用于控制存储器装置使用所选择的读取电压组中的多个读取电压中的一些读取电压来对目标逻辑页面执行读取操作；以及错误校正码(ECC)组件，适用于通过对在读取操作中生成的并从存储器装置输出的数据执行错误检测和校正，确定读取操作是否成功，其中，当确定读取操作成功时，处理器利用读取操作成功时在该读取操作中已使用的读取电压以及所选择的读取电压组的未使用的读取电压的估计值来更新所选择的读取电压组，该估计值基于已使用的读取电压而确定。
- 控制器及其操作方法
- [发明专利]存储器读取速度调节电路-CN201911133050.6有效
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洪亮
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上海华力微电子有限公司
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2019-11-19
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2021-12-14
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G11C16/26
- 本发明公开了一种存储器读取速度调节电路，采用读脉冲触发内部标志寄存器置1，并通过存储器读电路反馈的读操作完成脉冲对内部标志寄存器清0的过程确保存储器读电路的读数据操作完成，在规定时间内读操作完成时，内部标志寄存器保持为原值0不变，而当读操作未完成时，内部标志寄存器仍为1，主控制器则把存储器读电路的读取速度配置加快，再次发送粗调操作使能信号重新进行粗调判断。该存储器读取速度调节电路，通过内部标志寄存器值来判断存储器是否在规定时间内完成读操作，作为调节存储器的模拟读电路配置的依据，从而能自适应于不同应用场景下，自动调节存储器的读电路的读数据操作速度，可减少存储的读数据功耗以及提高读数据操作可靠性。
- 存储器读取速度调节电路
- [发明专利]分层读取参考校准-CN202110366831.0在审
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A.巴扎斯基;E.沙隆;I.阿尔罗德
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西部数据技术公司
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2021-04-06
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2021-12-03
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G11C16/26
- 本发明题为“分层读取参考校准”。本发明公开了校准读取参考电压。在一个方面，控制管芯校准用于读取非易失性存储器单元的读取参考电压。控制管芯接合到包含存储器单元的存储器管芯。在一个方面，采用了校准读取参考电压的分层方法。例如，首先，控制管芯可尝试确定读取参考电压的新值。如果新读取参考电压令人满意，则控制管芯可使用新读取参考电压。控制管芯可使用一种或多种不同技术来确定新读取参考电压。如果由控制管芯确定的新读取参考电压不令人满意，则与控制管芯通信的存储器控制器可校准读取参考电压。通过控制管芯确定新读取参考电压，存储器控制器很大程度地减轻了此类任务的负担。
- 分层读取参考校准
- [发明专利]半导体存储装置及其读取方法-CN202110562897.7在审
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妹尾真言
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华邦电子股份有限公司
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2021-05-24
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2021-12-03
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G11C16/26
- 本发明提供一种半导体存储装置及其读取方法，其中所述半导体存储装置可以通过电容耦合补偿存储单元的阈值，其包含：NAND型的存储单元阵列，由监视用NAND串列形成；编程装置，编程与选择字线连接的存储单元；以及读取装置，进行与选择字线连接的存储单元的读取。编程装置编程选择字线时，编程监视用NAND串列的存储单元。读取装置包含：电流检测部，读取选择字线n的存储单元时，于非选择字线n+1的存储单元施加读取电压，检测流经监视用NAND串列的电流；以及偏移电压决定部，根据检测到的电流决定第一偏移电压以及第二偏移电压。附加第一偏移电压的读取通过电压施加于非选择字线，附加第二偏移电压的读取电压施加于选择字线n。
- 半导体存储装置及其读取方法
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