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[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110614874.6在审
发明人：金在雄 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中多个存储块被控制为具有设定温度；外围电路，其用于对多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；温度检测电路，其用于检测存储器单元阵列的温度并基于存储器单元阵列的温度产生温度检测信号；以及控制逻辑，其用于在读取操作期间控制外围电路，并且被配置为响应于温度检测信号而产生加热控制信号，加热控制信号可以控制被选存储块以具有设定温度。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储装置、其操作方法以及电子装置的操作方法-CN202111230654.X在审
发明人：卢海东;全有珍;尹慧智;成宗泽;白埈杰;千允洙 -专利权人：三星电子株式会社;高丽大学校产学协力团
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储装置，并且该存储装置的操作方法包括：在存储器控制器处将第一读取命令和第一偏移信息发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处基于第一读取命令和第一偏移信息来执行第一读取操作；在非易失性存储器装置处将第一读取操作的结果作为第一数据发送到存储器控制器；在存储器控制器处将第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处基于第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息来执行第二读取操作；以及在非易失性存储器装置处将第二读取操作的结果作为第二数据发送到存储器控制器。
存储装置操作方法以及电子

[发明专利]处理非易失性存储器中的操作冲突-CN201980082930.7有效
发明人： L·E·亚当斯;M·伊什;P·西塔姆拉尤;K·D·舒;D·图皮 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：第一操作标识符被分配给指向存储器组件的第一操作，所述第一操作标识符具有在第一数据结构中将所述第一操作标识符与第一多个缓冲器标识符相关联的条目。确定所述第一操作是否与分配有第二操作标识符的先前操作冲突，所述第二操作标识符具有在所述第一数据结构中将所述第二操作标识符与第二多个缓冲器标识符相关联的条目。确定所述第一操作是读取操作还是写入操作。响应于确定所述第一操作与所述先前操作冲突并且所述第一操作是读取操作，用包含在所述第二多个缓冲器标识符中的缓冲器标识符来更新所述第一多个缓冲器标识符。
处理非易失性存储器中的操作冲突

[发明专利]使用触发度量计分来管理用于存储器装置的块族的格仓放置-CN202111279905.3在审
发明人： S·诺埃尔;M·N·凯纳克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及使用触发度量计分来管理用于存储器装置的块族的格仓放置。存储器子系统的处理装置被配置成在多个预定时间段中的第一时间段期间，选择与存储器装置相关联的多个电压格仓中的第一电压格仓，其中所述多个电压格仓中的每个电压格仓与对应的读取电平偏移集相关联；在第二时间段期间，使用与所述第一电压格仓相关联的第一读取电平偏移集执行所述存储器装置的块的读取操作；确定与所述第一读取电平偏移集相关联的触发度量；和响应于确定所述触发度量未能满足预定义条件，选择第二电压格仓，其中与所述第二电压格仓相关联的第二读取电平偏移集与满足所述预定义条件的第二触发度量相关联。
使用触发度量计分管理用于存储器装置放置

[发明专利]非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统-CN202111631516.2在审
发明人：贾建权;刘红涛;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了非易失性存储器及数据读取方法以及存储系统，存储器包括存储单元和字线，同一行的存储单元连接于同一条字线，所述方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段。在预导通阶段中将与选定存储单元字线相邻的字线的电压升高至第一电平；在读取阶段中将选定存储单元字线的电压升高至初始读取电平，并将相邻字线的电压升高至第二电平。所述方法包括至少一次按照存储单元的低编程态、中编程态和高编程态进行读取的读取操作，初始读取电平为用于读取低编程态和中编程态中的任一个的读取电平，第一电平大于用于读取高编程态的读取电平。本方法可减缓字线间影响数据读取可靠性的耦合作用、减轻数据读取中与电势差相关的读取干扰，压缩读取时段。
非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统

[发明专利]存储器及其读取操作方法、存储器系统-CN202111459999.2在审
发明人：刘红涛;靳磊;赵向南;黄莹;关蕾;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储器及其读取操作方法、存储器系统。其中，所述存储器的读取操作方法包括：确定第一次读取操作失败时，执行第二次读取操作；其中，在执行所述第二次读取操作的过程中，在第一未选定字线上施加第一导通电压，且在第二未选定字线上施加第二导通电压；所述第一未选定字线为与选定字线相邻的字线；所述第二未选定字线为所有未选定字线中除所述第一未选定字线以外的剩余未选定字线；所述第一导通电压大于所述第二导通电压；所述第二导通电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上的电压。
存储器及其读取操作方法系统

[发明专利]用于以优化读取电压读取数据的非易失性存储器设备-CN201711274002.X有效
发明人：尹铉竣;朴一汉;崔那荣;宋承桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了一种用于以最佳读取电压读取数据的非易失性存储器设备的读取方法。读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取第一组存储器单元的数据。读取数据包括：当读取M页中的每个页时，通过对第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行片上谷搜索(OVS)操作；以及基于OVS操作的结果，经由对与第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作。在数据恢复读取操作中，不执行对第一字线的读取操作。
用于优化读取电压数据非易失性存储器设备

[发明专利]读取电压电平校正方法、存储器存储装置及控制电路单元-CN202210022113.6在审
发明人：曾士家;曹峻玮;林晓宜;林纬 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种读取电压电平校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。此方法包括：使用第一读取电压电平作为起始读取电压电平来对多个实体单元中的第一实体单元执行第一数据读取操作，以取得被用来成功读取第一实体单元的第二读取电压电平；将第一读取电压电平以及第二读取电压电平之间的关联信息记录在暂态查找表；以及根据读取电压电平追踪表以及暂态查找表中所记录的关联信息执行第二数据读取操作。
读取电压电平校正方法存储器存储装置控制电路单元

[发明专利]数据读取电路及存储单元-CN201910240416.3有效
发明人：侯海华;李智;姜敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种数据读取电路及存储单元，所述数据读取电路包括基准电压生成单元、下拉信号产生单元、灵敏放大单元、列译码单元以及与所述列译码单元一一对应的基准电压调整单元，其中所述基准电压生成单元用于接收反相芯片使能信号、生成芯片使能信号以及生成基准电压，并将所述基准电压输出至所述灵敏放大单元以及所述基准电压调整单元，将所述芯片使能信号输出至所述下拉信号产生单元；所述下拉信号产生单元用于根据所述芯片使能信号产生下拉信号，并将所述下拉信号输出至所述灵敏放大单元以及所述基准电压调整单元；所述基准电压调整单元用于在所述基准电压随下拉信号下降后，将所述基准电压调整至稳定状态。上述方案可以保证基准电压的稳定性。
数据读取电路存储单元

[发明专利]存储装置-CN202011065021.3在审
发明人：林哲逸 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置，包括存储单元阵列以及电压产生电路。电压产生电路电性连接存储单元阵列且包括主动电压电路与感测电路。主动电压电路用以当存储装置在主动模式时输出给存储单元阵列的操作电压。感测电路用以当存储装置在待机模式时感测操作电压并且在操作电压下降至低于临界值后短暂启动主动电压电路以拉升操作电压。
存储装置

[发明专利]一种闪存重读方法和装置-CN202111651211.8在审
发明人：袁伟 -专利权人：合肥大唐存储科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种闪存重读方法和装置，该方法包括：循环执行以下步骤，直至闪存数据或本次读电压满足预设条件：获取以本次读电压重读闪存时读到的闪存数据的特征信息；其中初始获得的本次读电压为从预设的重试表中获取的任意读电压；根据特征信息利用预设的模糊控制算法计算出下一个可获取的新的读电压相比于本次读电压的偏移方向和偏移步长；根据偏移方向和偏移步长得到新的读电压在重试表中的序号；以序号为索引在重试表中获得新的读电压；将新的读电压作为本次读电压读取闪存上的数据。通过该实施例方案，减少了闪存重读次数。
一种闪存重读方法装置

[发明专利]存储运算电路-CN202111655724.6在审
发明人：郭令仪;李琛;段杰斌;余学儒;许博闻 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请提供一种存储运算电路，包括第一芯片、第二芯片以及多个数据引脚。其中，第一芯片与第二芯片三维堆叠，多个数据引脚为第一芯片的数据引脚，以二维阵列的形式排布。第一芯片包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元。第二芯片包括多个与存储块一一对应的运算块，每个运算块包括读写电路以及与读写电路相连接的块内运算电路。本申请的存储运算电路，第一芯片与第二芯片三维堆叠，从而可以使数据引脚以二维阵列的形式排布，个数不再受限于存储器的边长，从而在一个读写周期内，可以读写并传输多于现有存储器内一行的数据参与运算，提高了带宽，进而提高了运算速度。
存储运算电路

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN201610944976.3有效
发明人：尹铉竣;任载禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种操作非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：接收第一读命令；响应于第一读命令执行第一读出操作；以及接收第二读命令。所述方法还包括：当在完成第一读出操作之前接收到第二读命令时，在不执行恢复操作的情况下完成对应于第一读命令的存储器操作；以及响应于第二读命令执行第二读出操作。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种提高固态硬件存储性能方法及装置-CN202111369308.X在审
发明人：李悦;弗兰克·陈;李晓龙 -专利权人：至誉科技（武汉）有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高固态硬件存储性能方法及装置，涉及固态硬盘存储领域，该方法包括记录各个SSD(Solid State Drive，固态硬盘)块区写入待读取数据的写入时间；接到任一SSD块区读取命令后，依照存储时长与偏移电压的对应关系，以对应的偏移电压读取所述待读取数据；所述存储时长与偏移电压的对应关系由测试数据在不同SSD块区存储不同的时间后，记录成功读取所述测试数据所使用的偏移电压所得到，本发明减少了因为长时间存储劣化造成的重读次数，进而提升了SSD的数据读取性能，减少了主机响应延迟，减少了SSD错误处理的开销。
一种提高固态硬件存储性能方法装置

[发明专利]一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法-CN202111600084.9在审
发明人：田仲政;于达程;任中阳;田姣姣;李慕禅;于学敏;彭沛;王紫东;任黎明;傅云义 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
一种提高基于金属隧穿结存储器耐久性方法