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[发明专利]用于闪存存储器系统的改进的感测放大器-CN201810619270.9有效
发明人： 钱晓州;X.Y.皮;K.M.岳;L.F.卞 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。
用于闪存存储器系统改进放大器

[发明专利]用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置-CN201810626274.X有效
发明人： 钱晓州;K.M.岳;罗光燕 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置。本发明公开了一种方法和装置，以用于减少由于寄生电容和寄生电阻而导致闪存存储器系统中的字线和控制栅极线之间原本可能出现的耦合。所述闪存存储器系统包括被组织成行和列的闪存存储器单元的阵列，其中每行被耦合到字线和控制栅极线。
用于减少闪存存储器系统中字线控制栅极之间耦合方法装置

[发明专利]存储器系统中执行地址故障检测的分层ROM编码器系统-CN202111444122.6在审
发明人： 钱晓州;朱瑶华 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本发明题为“存储器系统中执行地址故障检测的分层ROM编码器系统。”本发明公开了用于使用分层ROM编码系统在存储器系统中执行地址故障检测的各种实施方案。在一个实施方案中，分层ROM编码系统包括两级ROM编码器，该两级ROM编码器用于检测地址故障。在另一个实施方案中，分层ROM编码系统包括三级ROM编码器，该三级ROM编码器用于检测地址故障。
存储器系统执行地址故障检测分层 rom 编码器

[发明专利]由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡-CN202010106388.9在审
发明人：林光明;钱晓州;皮小燕;V·蒂瓦里;P·丁 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明题为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”。本发明涉及用于在模拟EEPROM的闪存装置中实现损耗均衡的系统和方法。实施方案利用索引阵列，该索引阵列存储仿真EEPROM中的每个逻辑地址的索引字。每个索引字中的每一位都与仿真EEPROM中的物理字的物理地址相关联，并且索引字跟踪哪个物理字是特定逻辑地址的当前字。使用索引字可实现损耗均衡算法，该算法允许对逻辑地址的编程命令，这导致：(i)如果存储在当前字中的数据不包含与要存储的数据中的“0”相对应的“1”，则跳过编程操作，(ii)在某些情况下对当前字的一个或多个位进行重编程，或者(iii)在某些情况下转移到下一个物理字并对其进行编程。
闪存单元构成 eeprom 仿真器中的损耗均衡

[发明专利]具有存储的索引信息的非易失性存储器设备-CN201910875107.3在审
发明人： 钱晓州;皮小燕;V·蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器设备，该存储器设备包括：具有多个非易失性存储器单元的存储器阵列、各自与多个非易失性存储器单元中的不同的非易失性存储器单元相关联的多个索引存储器单元、以及控制器。该控制器被配置为：对多个非易失性存储器单元进行擦除；将索引存储器单元中的每一个索引存储器单元设置为第一状态；以及通过以下操作将第一数据编程到存储器阵列中：读取多个索引存储器单元并且确定索引存储器单元中的第一索引存储器单元处于所述第一状态；将第一数据编程到与索引存储器单元中的第一索引存储器单元相关联的多个非易失性存储器单元中；以及将索引存储器单元中的第一索引存储器单元设置为不同于第一状态的第二状态。
具有存储索引信息非易失性存储器设备

[发明专利]用于对分离栅式非易失性存储器单元编程的系统和方法-CN201510166483.7有效
发明人： 钱晓州;V.马科夫;J-W.尤;X.Y.皮;A.科托夫 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储器装置，以及一种采用与现有技术的方法相比减轻装置劣化的方式对所述装置编程的方法。
用于分离非易失性存储器单元编程系统方法

[发明专利]用于高速闪存存储器系统的位线调节器-CN201410429526.1有效
发明人： 钱晓州;周耀;盛斌;彭家旭;朱瑶华 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：用于高速闪存存储器系统的位线调节器。公开了一种用于在高速闪存存储器系统中使用的位线调节器。该位线调节器响应于一组微调位，该微调位通过比较位线的偏置电压和参考电压来生成。
用于高速闪存存储器系统调节器

[发明专利]具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列-CN201510089866.9有效
发明人： J.金;V.蒂瓦里;N.杜;X.刘;钱晓州;白宁;余启文 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，其包括多个ROM单元以及在所述多个ROM单元上面延伸的导电线，其中每一个ROM单元具有：形成在衬底中的间隔开的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区两者间设有沟道区；第一栅极，其设置在所述沟道区的第一部分上面并与之绝缘；第二栅极，其设置在所述沟道区的第二部分上面并与之绝缘。所述导电线电耦接到所述ROM单元的第一子组的所述漏极区，并且不电耦接到所述ROM单元的第二子组的所述漏极区。另选地，所述ROM单元的第一子组在所述沟道区中各自包括较高电压阈值的植入物区，而所述ROM单元的第二子组在所述沟道区中各自缺少任何较高电压阈值的植入物区。
具有 rom 单元非易失性存储器阵列

[发明专利]用于读出放大器的低电压电流参考产生器-CN201210419802.7有效
发明人：周耀;钱晓州;林光明 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于读出放大器的低电压电流参考产生器。公开了具有包括电流镜的读出放大器的非易失性存储设备，该电流镜包括一对电阻器。
用于读出放大器电压电流参考产生器

[发明专利]具有电流注入读出放大器的非易失性存储装置-CN201210089957.9有效
发明人：周耀;钱晓州;白宁 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种具有电流注入读出放大器的非易失性存储装置。本发明涉及一种用于存储装置中的设备，包括电流注入器，具有多个注入输出；一个或多个参考单元，其中每个参考单元连接到所述多个注入输出中的不同的一个注入输出；选定存储单元，连接到与所述一个或多个参考单元所连接到的注入输出不同的所述多个注入输出之一；以及比较器，连接到所述多个注入输出，其中所述比较器包括指示存储在选定存储单元中的值的一个或多个比较器输出。
具有电流注入读出放大器非易失性存储装置

[发明专利]即时可调整读出放大器-CN201210089949.4有效
发明人：周耀;钱晓州 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：公开了一种用于存储装置中的可调整读出放大器。本发明涉及一种用于调整读出放大器的方法，包括在读操作期间把第一读出放大器耦合到选定存储单元和参考电路；在第一读出放大器的调整操作期间使第一读出放大器与选定存储单元和参考电路分离；在第一读出放大器的调整操作期间把选定存储单元和参考电路耦合到第二读出放大器；其中所述调整操作包括确定施加于第一读出放大器以补偿晶体管失配的电流水平。
即时可调整读出放大器

[发明专利]抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法-CN201410447574.3在审
发明人： J·金;N·杜;Y·特卡彻夫;余启文;钱晓州;白宁 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法。公开了一种在允许扇区的剩余部分被擦除的同时抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法。该抑制由控制逻辑控制，所述控制逻辑将一个或多个偏压施加至其擦除将被抑制的扇区的部分。
抑制擦除分裂闪存存储器单元扇区部分系统方法

[发明专利]数控延迟锁定环基准发生器-CN201410401923.8在审
发明人：周耀;曹羽欧;钱晓州;白宁;许新颜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H03L7/083 文献下载
摘要：本发明涉及数控延迟锁定环基准发生器。公开了一种用于数控延迟锁定环基准发生器的系统和方法。一种用于生成时序延迟信号的系统，包括：相位误差检测器，用于确定第一周期信号和第二周期信号之间的相位误差；计数器，用于接收来自相位误差检测器的一个或多个输出以及生成数字信号；控制器，用于接收所述数字信号并且生成用来驱动电流控制延迟环的信号，所述电流控制延迟环生成所述第二周期信号以及所述时序延迟信号。
数控延迟锁定基准发生器

[发明专利]用于读出放大器的可调整参考发生器-CN201210089847.2在审
发明人：周耀;钱晓州;余启文;林光明 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：公开了一种用于读出放大器中的可调整电流参考发生器。本发明涉及一种用于存储装置中的设备，包括：可调整电流参考发生器；选定存储单元；和比较器，用于比较由可调整电流参考发生器产生的电流与由选定存储单元汲取的电流。
用于读出放大器可调整参考发生器

[发明专利]可达到无穷次疲劳的相变存储器-CN201110106568.8无效
发明人：陈邦明;钱晓州 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可达到无穷次疲劳的相变存储器，将Gain单元中的晶体管与相变存储器中的晶体管连接，并与有相变材料的电阻连接。本发明能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流，达到无穷次的疲劳次数。
达到无穷疲劳相变存储器

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