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[发明专利]NAND温度数据管理-CN201880064074.8有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;P·汤姆森;H·R·桑吉迪;辉俊胜;P·S·费利;J·黄 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文中公开了用于NAND温度数据管理的装置和技术。将数据写入到NAND装置中的NAND组件的命令在所述NAND装置的NAND控制器处被接收到。响应于接收到所述命令获得对应于所述NAND组件的温度。随后执行所述命令以将数据写入到所述NAND组件并且以写入所述温度的表示。所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。
nand 温度数据管理

[发明专利]优化扫描间隔-CN201880067268.3有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;H·R·桑吉迪;G·S·阿尔萨苏阿;G·F·贝桑格;S·瑞特南;P·S·费利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明揭示额外设备、系统及方法。
优化扫描间隔

[发明专利]基于主机IO操作的读取电压校准-CN201880065857.8在审
发明人： S·瑞特南;K·坦派罗;A·马尔谢;K·K·姆奇尔拉;H·R·桑吉迪;P·S·费利;罗婷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明揭示用于基于主机输入输出操作的基于快闪的存储系统的读取电压校准的装置及技术。在实例中，一种存储器装置包含：“与非”存储器阵列，其具有存储器单元的多个块的群组；及存储器控制器，其用于优化所述存储器阵列的读取电压校准。在实例中，优化技术包含：监测针对相应块发生的读取操作；基于所述读取操作来识别用于触发读取电平校准的条件；及对所述相应块或包含所述相应块的存储器组件执行所述读取电平校准。在另一实例中，基于用于读取所述相应块的阈值电压来执行所述校准，可在由所述读取电平校准执行的取样操作内评估用于读取所述相应块的所述阈值电压时考量用于读取所述相应块的所述阈值电压。
基于主机 io 操作读取电压校准

[发明专利]使用块盖写率进行无用单元收集候选对象选择-CN201911380341.5在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·K·瑞特南;A·马尔谢;P·S·费利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请涉及使用块盖写率进行无用单元收集候选对象选择。存储器系统中的处理装置确定存储器组件上的多个数据块中的第一数据块是否满足第一阈值准则，所述第一阈值准则关于所述多个数据块中具有比所述多个数据块的其余部分低的有效数据量的第一数目。响应于所述第一数据块满足所述第一阈值准则，所述处理装置确定所述第一数据块是否满足第二阈值准则，所述第二阈值准则关于所述多个数据块中比所述多个数据块的所述其余部分更新近地被写的第二数目。响应于所述第一数据块满足所述第二阈值准则，所述处理装置确定所述第一数据块上的有效数据量的变化率是否满足第三阈值准则。响应于所述变化率满足所述第三阈值准则，所述处理装置将所述第一数据块识别为所述存储器组件上的无用单元收集候选对象。
使用块盖写率进行无用单元收集候选对象选择

[发明专利]用于存储器装置的系统和方法-CN201911368765.X在审
发明人：辉俊胜;P·S·费利;S·K·瑞特南;S·齐德日茨;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储器装置的系统和方法。存储器系统中的处理装置接收指示读取窗口大小和第一读取电压的存储器命令，且识别具有所述读取窗口大小且在所述第一读取电压处居中的所述存储器组件的第一数据块的读取窗口。所述处理装置确定所述读取窗口内的所述第一数据块的位翻转数目是否超出错误阈值，且响应于所述位翻转数目超出所述错误阈值，刷新存储在所述存储器组件的所述第一数据块上的数据。
用于存储器装置系统方法