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[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110004636.3有效
发明人：赵向南;关蕾;黄莹;刘红涛;宋雅丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行验证操作及读取操作的目标字线；在验证操作及读取操作时分别对目标字线施加验证电压和读取电压，对与目标字线相邻的第一字线组施加第一导通电压，以及对与目标字线相邻的第二字线组中的至少一部分字线施加小于第一导通电压的第二导通电压，目标字线连接的存储单元连接于第一字线组及第二字线组连接的存储单元之间；其中，与第一字线组中的字线相连的存储单元在所述验证操作时为未编程状态，与第二字线组中的字线相连的存储单元在所述验证操作时为已编程状态。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]半导体存储装置及其操作方法-CN201711481897.4有效
发明人：崔吉福;赵诚勋;金成镐;朴玟相;李庆泽;曹明宽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：半导体存储装置及其操作方法。半导体存储装置可以包括控制逻辑。控制逻辑可以通过读取和写入(读取/写入)电路来联接至位线并且可以联接至字线。控制逻辑被配置为确定用于读写电路的选通信号的激活时间的持续时间。
半导体存储装置及其操作方法

[发明专利]用于感测存储器单元的设备及方法-CN201980026764.9有效
发明人： M·斯福尔津;P·阿马托 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：感测存储器单元可包含：将电压斜坡施加到存储器单元群组以感测其各自状态；响应于所述经施加电压斜坡而感测所述存储器单元中的一者何时发生第一切换事件；在发生所述第一切换事件后的特定时间量之后停止所述电压斜坡的施加；及确定所述群组的哪些额外存储器单元在所述特定时间量期间经历所述切换事件。确定为已响应于所述经施加电压斜坡而经历所述切换事件的单元被感测为存储第一数据值且确定为未响应于所述经施加电压斜坡而经历所述切换事件的单元被感测为存储第二数据值。所述群组根据经约束使得每一代码模式包含具有所述第一数据值的至少一个数据单元的编码功能存储数据。
用于存储器单元设备方法

[发明专利]闪存存储器的读取方法-CN202210022929.9在审
发明人：沈安星;张有志;郑之永 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存存储器的读取方法，在对闪存存储器进行读取时，通过在选中的存储单元连接的位线上施加第一电压，并在每个存储单元连接的源线上施加零电压，如此设置，在读取过程中，减小了存储单元的横向电场与纵向电场之间的压差，降低了存储单元导电沟道的平均电场的强度，从而可以减少或避免读取过程中的干扰。
闪存存储器读取方法

[发明专利]提高SSD写性能的方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202111637912.6在审
发明人：徐攀;臧鑫;甘金涛 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及提高SSD写性能的方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法，包括：获取前端下发的cmd写命令；生成写控制命令，并记录cmd写命令中包含的hw_index信息；分配包含块地址和页地址的写入点，将该写入点记录到写控制命令中；判断写入点页地址是否为当前块的首页；若是，更新当前块的块属性信息和写入数据的数据版本信息；根据块属性信息和数据版本信息指定Meta表，将该Meta表的索引号保存至SRAM中；将块属性信息和数据版本信息写入至Meta表中；将Meta表的索引号写入至写控制命令中；将写控制命令发送至后端NFC模块。本发明节省了写每个页都要配置Meta信息所需的时间，有效提高SSD写性能。
提高 ssd 性能方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]读电路及电子设备-CN202111550957.X在审
发明人：秦军瑞;胡建国;吴劲;王德明;丁颜玉;段志奎 -专利权人：广州智慧城市发展研究院
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种读电路及电子设备，其中读电路包括：与处理器连接的开关模块、整形模块和逻辑控制模块；开关模块用于在接收到处理器发送的读数据使能信号时，将从存储模块读出的电压信号发送至整形模块；整形模块用于在接收到处理器发送的读数据控制信号时，将电压信号转化为电平信号后发送至逻辑控制模块；逻辑控制模块用于接收处理器发送的读数据控制信号和输出数据使能信号，根据读数据控制信号和电平信号得到目标数据，并根据输出数据使能信号确定是否将目标数据发送至处理器；其中，开关模块包括相连的第一倒比管和第二倒比管，第一倒比管和第二倒比管的栅宽与栅长的比值远小于1。本发明提供的读电路和电子设备，降低了读电路的功耗。
电路电子设备

[发明专利]3D存储器件及其读取方法-CN202111332455.X在审
发明人：程婷;刘红涛;靳磊;赵向南;谢学准;夏仕钰;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其读取方法，3D存储器件包括多个存储单元串，每个存储单元串包括多个存储单元，每个存储单元串最顶部存储单元连接至顶部选择管，顶部选择管连接至位线，存储单元串最底部的存储单元连接至底部选择管，读取方法包括：根据编程顺序对一存储单元串的多个存储单元依次进行编程；对一个存储单元进行读取操作时，根据存储单元的编程顺序向存储单元串施加不同的位线电压。本申请根据存储单元的编程顺序调整向存储单元串施加不同的位线电压，先编程的存储单元在读取时采用较大的位线电压，增大存储单元串上的电流，从而减小BPD效应引起的Vt正向漂移及展宽以增加读窗口边距，降低读干扰的影响。
存储器件及其读取方法

[发明专利]一种非易失性随机存储器数据读取电路、存储器及方法-CN201910427497.8有效
发明人：张悦;王进凯;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性随机存储器数据读取电路、存储器及方法，用于读取数据存储单元的阻态，待读取数据存储单元为高阻态或低阻态，电路包括电压差生成单元和三电压放大单元；所述电压差生成单元用于形成预设电压输入高阻态和低阻态的数据存储单元时分别对应的第一参考信号和第二参考信号以及获取待读取的数据存储单元在所述预设电压输入时对应的阻态信号；所述三电压放大单元用于基于所述第一参考信号、所述第二参考信号和所述阻态信号形成与待读取数据存储单元的阻态对应的判断信号，本发明可有效的降低读干扰的同时，提高非易失性存储器的读裕度，同时减少读取时间，降低读取功耗。
一种非易失性随机存储器数据读取电路方法

[发明专利]NOR型闪存编程电路-CN202111459053.6在审
发明人：汪齐方;金晓明 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR型闪存编程电路，其电源电压检测电路，用于检测电荷泵输入端的编程工作电源电压；其地址译码单元用于选择NOR型存储阵列中需要进行编程操作的存储单元，提供电荷泵输出端到需要编程的存储单元的电流通道；所述编程控制电路，实时编程工作电源电压越高，在一次编程脉冲中所述地址译码单元的电荷泵输出端到对应同一字线的需要编程的存储单元的位线的电流通道的最大允许连通数量越大。该NOR型闪存编程电路，能减小芯片面积，并且即便接到电荷泵输入端的编程工作电源电压大幅变化，也都能对NOR型闪存进行有效编程。
nor 闪存编程电路

[发明专利]半导体存储装置-CN202110973528.7在审
发明人：清水佑树;柳平康辅 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明的一实施方式提供一种缩短通电读出处理所用时间的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具有：存储器面(P0)，能存储用户数据及系统信息；存储器面(P1)，能存储用户数据及系统信息；存储器面(P0)的锁存电路(ADL)，能存储从存储器面(P0)读出的系统信息的偶数比特数据或奇数比特数据中的一个；存储器面(P1)的锁存电路(ADL)，能存储从存储器面(P1)读出的系统信息的偶数比特数据或奇数比特数据中的另一个；以及定序器(27)。定序器(27)并行地执行读出偶数比特数据并存储到存储器面(P0)的锁存电路(ADL)中的第1处理、与读出奇数比特数据并存储到存储器面(P1)的锁存电路(ADL)中的第2处理。
半导体存储装置

[发明专利]包含在存储器单元中建立负本体电位的设备及方法-CN201780000908.4有效
发明人：作井浩司;M·霍斯;丹沢彻;J·宾福特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：设备及操作此种设备的方法包含在对存储器单元起始感测操作之前、响应于计时器或在另一存储器单元的存取操作期间，在所述存储器单元的本体中建立负电位。
包含存储器单元建立本体电位设备方法

[发明专利]存储器读参考电压的确定方法-CN201911220037.4有效
发明人：张华帆;王晓光;徐化平;管琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器读参考电压的确定方法，所述存储器具有n个数据状态，所述数据状态对应的阈值电压依次升高，其中n为大于1的自然数，每一数据状态对应一初始读参考电压，该方法包括如下步骤：确定第n‑1个数据状态的读参考电压；获得第n‑1个数据状态的初始读参考电压与第n‑1个数据状态的读参考电压的差值；确定第n个数据状态的读参考电压：将第n个数据状态的初始读参考电压与差值之差作为基准，获得多个预设参考电压，将预设参考电压施加在存储器上，获得每一预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。本发明的优点是，极大地减少了读参考电压确定过程的读次数，且精度高，准确度高，能更好的满足用户需求。
存储器参考电压确定方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202110380346.9在审
发明人：文敏焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种存储器系统及其操作方法。根据本公开的示例性实施例，当在针对多个存储块之中的第一存储块的第一读取操作中生成的错误位的数量大于或等于第一阈值并且小于第二阈值时，存储器系统可以将关于在第一读取操作中生成的错误位的数量的信息存储在错误位历史集中，并且在针对第一存储块的第一读取操作之后执行的读取操作期间，可以重复校准与第一存储块相对应的历史读取偏压的操作，直到满足设定的终止条件为止。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]具有优化读取及编程操作的SPI NOR存储器-CN202110862038.X在审
发明人： S·韩 -专利权人：芯成半导体（开曼）有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开一种具有优化读取及编程操作的SPI NOR存储器。串行NOR存储器装置使用单倍数据速率SDR模式接收串行输入数据且使用双倍数据速率DDR模式传输串行输出数据。在一些实施例中，串行NOR存储器装置包含输入‑输出电路，其包含经耦合以接收时钟信号及串行输入数据且提供串行输出数据的收发器。所述收发器经配置以使用所述单倍数据速率模式接收串行输入数据且经配置以使用所述双倍数据速率模式传输串行输出数据。
具有优化读取编程操作 spi nor 存储器

[发明专利]能够支持多次读操作的存储装置-CN201810592537.X有效
发明人：申桂完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：能够支持多次读操作的存储装置。一种存储装置包括：第一平面和第二平面的存储单元；以及控制电路，所述控制电路响应于读命令而对所述存储单元执行多次读操作。所述多次读操作可包括在第一读时段中对所述第一平面的存储单元执行的第一读操作和在第二读时段中对所述第二平面的存储单元执行的第二读操作。
能够支持多次操作存储装置