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[发明专利]NAND温度数据管理-CN201880064074.8有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;P·汤姆森;H·R·桑吉迪;辉俊胜;P·S·费利;J·黄 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文中公开了用于NAND温度数据管理的装置和技术。将数据写入到NAND装置中的NAND组件的命令在所述NAND装置的NAND控制器处被接收到。响应于接收到所述命令获得对应于所述NAND组件的温度。随后执行所述命令以将数据写入到所述NAND组件并且以写入所述温度的表示。所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。
nand 温度数据管理

[发明专利]优化扫描间隔-CN201880067268.3有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;H·R·桑吉迪;G·S·阿尔萨苏阿;G·F·贝桑格;S·瑞特南;P·S·费利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明揭示额外设备、系统及方法。
优化扫描间隔

[发明专利]温度通知的存储器刷新-CN202210608267.3在审
发明人： G·S·阿尔萨苏阿;H·R·桑吉迪;K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;R·小帕迪利亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本文中描述用于温度通知的存储器刷新的装置及技术。可响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度数据。此处，对所述存储器组件中的存储器组件元件执行所述写入。可基于所述温度数据将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上。一旦排序到这些存储器组件元件的顶部，就可对所述存储器组件元件执行刷新。
温度通知存储器刷新

[发明专利]经调整扫描事件阈值-CN202210609998.X在审
发明人： G·S·阿尔萨苏阿;H·R·桑吉迪;P·S·菲利;A·马尔谢;R·小帕迪拉;K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及经调整扫描事件阈值。本申请公开了一种系统及方法，所述系统包括：存储器装置，其包括存储器单元的多个群组，所述群组包括存储器单元的第一群组和存储器单元的第二群组，所述第一群组和所述第二群组经配置成以每一存储器单元的相同位容量来存储信息；及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置经配置以将用于存储器单元的所述第一或第二群组中的一个的扫描事件阈值调整为小于用于存储器单元的所述第一和第二群组的目标扫描事件阈值的阈值，以在所述存储器装置上及时分配扫描事件。
调整扫描事件阈值

[发明专利]经调整扫描事件阈值-CN201980070789.9有效
发明人： G·S·阿尔萨苏阿;H·R·桑吉迪;P·S·菲利;A·马尔谢;R·小帕迪拉;K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C29/32 文献下载
摘要：公开系统及方法，所述系统包括：存储器装置，其包括存储器单元的多个群组，所述群组包括存储器单元的第一群组和存储器单元的第二群组，所述第一群组和所述第二群组经配置成以每一存储器单元的相同位容量来存储信息；及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置经配置以将用于存储器单元的所述第一或第二群组中的一个的扫描事件阈值调整为小于用于存储器单元的所述第一和第二群组的目标扫描事件阈值的阈值，以在所述存储器装置上及时分配扫描事件。
调整扫描事件阈值

[发明专利]温度通知的存储器刷新-CN201980071437.5有效
发明人： G·S·阿尔萨苏阿;H·R·桑吉迪;K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;R·小帕迪利亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本文中描述用于温度通知的存储器刷新的装置及技术。可响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度数据。此处，对所述存储器组件中的存储器组件元件执行所述写入。可基于所述温度数据将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上。一旦排序到这些存储器组件元件的顶部，就可对所述存储器组件元件执行刷新。
温度通知存储器刷新

[发明专利]跟踪逻辑块地址的数据温度-CN201980029110.1在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;彼特·西恩·费利;A·马尔谢;S·瑞特南;H·R·桑吉迪;V·P·拉亚普鲁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：多种应用可包含如下设备和/或方法：其包含通过一或多个数据温度分析器操作多个累加器来对到逻辑块地址范围的主机写入计数，跟踪存储器装置的逻辑块地址的数据温度。主机写入的数据的数据温度是覆写逻辑块地址处的数据的频率的度量。在各种实施例中，跟踪可包含使所述多个累加器中的每一个进行的计数的起点交错以提供逻辑块地址带区到温度区中的后续分组，这可达成更好的数据分离。可基于一或多个数据温度分析器对所述多个累加器的交错操作提供的分组，将从主机接收的具有逻辑块地址的数据路由到与温度区相关联的块。公开了额外的设备、系统和方法。
跟踪逻辑地址数据温度

[发明专利]基于主机IO操作的读取电压校准-CN201880065857.8在审
发明人： S·瑞特南;K·坦派罗;A·马尔谢;K·K·姆奇尔拉;H·R·桑吉迪;P·S·费利;罗婷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明揭示用于基于主机输入输出操作的基于快闪的存储系统的读取电压校准的装置及技术。在实例中，一种存储器装置包含：“与非”存储器阵列，其具有存储器单元的多个块的群组；及存储器控制器，其用于优化所述存储器阵列的读取电压校准。在实例中，优化技术包含：监测针对相应块发生的读取操作；基于所述读取操作来识别用于触发读取电平校准的条件；及对所述相应块或包含所述相应块的存储器组件执行所述读取电平校准。在另一实例中，基于用于读取所述相应块的阈值电压来执行所述校准，可在由所述读取电平校准执行的取样操作内评估用于读取所述相应块的所述阈值电压时考量用于读取所述相应块的所述阈值电压。
基于主机 io 操作读取电压校准

[发明专利]先占式闲置时间读取扫描-CN201780096675.2在审
发明人： A·马尔谢;H·桑吉迪;K·K·姆奇尔拉;M·G·米勒;S·瑞特南;约翰·张;周杰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于在基于快闪的存储系统中起始及控制先占式闲置时间读取扫描的装置及技术。在实例中，存储器装置包含：NAND存储器阵列；及存储器控制器，其用以调度并起始所述存储器阵列的多个位置中的读取扫描，其中此类读取扫描在所述存储器装置的闲置(背景)状态期间先占地触发，因此缩减在所述存储器装置的活动(前景)状态中的读取及写入操作期间的主机延时。在实例中，优化技术包含：调度读取扫描操作；监测主机IO操作的活动或闲置状态；及在所述读取扫描操作经调度发生之前，在进入闲置状态时先占地起始所述读取扫描操作。在另外实例中，所述读取扫描可基于基于时间的调度、基于频率的条件或触发所述读取扫描的事件驱动条件而先占地发生。
先占闲置时间读取扫描

[发明专利]移动NAND奇偶校验信息技术-CN201910955412.3在审
发明人： H·R·桑吉迪;罗贤钢;J·黄;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;S·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及移动NAND奇偶校验信息技术。在一些实例中揭示用于处理具有有限高速缓冲存储器的非易失性存储器装置的奇偶校验数据的技术。在某些实例中，用户数据可以数据条带被编程到所述非易失性存储器装置的所述非易失性存储器中，且可计算所述非易失性存储器装置的有限容量高速缓冲存储器内的每一个别数据条带的奇偶校验信息。当编程额外数据条带时，所述个别奇偶校验信息可在所述非易失性存储器的交换块与所述有限容量高速缓冲存储器之间交换。
移动 nand 奇偶校验信息技术

[发明专利]块读取计数电压调整-CN201811290472.X在审
发明人： H·R·桑吉迪;K·K·姆奇尔拉;G·S·阿尔萨苏阿;A·马尔谢;S·瑞特南;G·F·贝桑格;M·G·米勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：在一些实例中，公开了方法、系统和机器可读媒体，其通过基于读取计数器移位用于读取NAND单元中的值的读取电压来补偿读取干扰效应。例如，NAND存储器装置可以具有与NAND单元的群组(例如，页、块、超级块)对应的读取计数器。无论何时读取所述群组中的NAND单元，都可以递增所述读取计数器。可以基于所述读取计数器调整所述读取电压Vread以考虑读取干扰电压。
读取计数器读取读取电压读取干扰群组机器可读媒体电压调整超级块移位递增

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